1、PCB 線路板外層電路的蝕刻工藝 一.概述 目前, 印刷電路板(PCB)加工的典型工藝採用“圖形電鍍法“。即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層，然後用化學方式將其餘的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。 要注意的是,這時的板子上面有兩層銅. 在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的, 其餘的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在於鉛錫抗蝕層的下面。另外一種工藝方法是整個板子上都鍍銅,感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比,全板鍍銅的最大缺點是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時還必須都把它們腐蝕掉。
2、因此當導線線寬十分精細時將會產生一系列的問題。同時,側腐蝕會嚴重影響線條的均勻性。 在印製板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似於內層蝕刻工藝，可以參閱內層製作工藝中的蝕刻。 目前，錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝中.氨性蝕刻劑是普遍使用的化工藥液，與錫或鉛錫不發生任何化學反應。氨性蝕刻劑主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。此外，在市場上還可以買到氨水/硫酸氨蝕刻藥液。以硫酸鹽為基的蝕刻藥液 ,使用後,其中的銅可以用電解的方法分離出來,因此能夠重複使用。由於它的腐蝕速率較低，一般在實際生產中不多見,但有望用在無氯蝕刻中。有人試驗用
3、硫酸-雙氧水做蝕刻劑來腐蝕外層圖形。由於包括經濟和廢液處理方面等許多原因,這種工藝尚未在商用的意義上被大量採用. 更進一步說,硫酸-雙氧水，不能用於鉛錫抗蝕層的蝕刻，而這種工藝不是 PCB 外層製作中的主要方法，故決大多數人很少問津。二.蝕刻品質及先期存在的問題對蝕刻品質的基本要求就是能夠將除抗蝕層下面以外的所有銅層完全去除乾淨，止此而已。從嚴格意義上講，如果要精確地界定，那麼蝕刻品質必須包括導線線寬的一致性和側蝕程度。由於目前腐蝕液的固有特點，不僅向下而且對左右各方向都產生蝕刻作用，所以側蝕幾乎是不可避免的。 側蝕問題是蝕刻參數中經常被提出來討論的一項,它被定義為側蝕寬度與蝕刻深度之比,稱為
4、蝕刻因數。在印刷電路工業中，它的變化範圍很寬泛，從 1：1 到 1：5。顯然，小的側蝕度或低的蝕刻因數是最令人滿意的。蝕刻設備的結構及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因數或側蝕度產生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進行控制。採用某些添加劑可以降低側蝕度。這些添加劑的化學成分一般屬於商業秘密，各自的研製者是不向外界透露的。至於蝕刻設備的結構問題，後面的章節將專門討論。 從許多方面看，蝕刻品質的好壞，早在印製板進入蝕刻機之前就已經存在了。因為印製電路加工的各個工序或工藝之間存在著非常緊密的內部聯繫，沒有一種不受其他工序影響又不影響其他工藝的工序。許多被認定是蝕刻品質的問題，實際上在去膜甚至更以前的工藝
5、中已經存在了。對外層圖形的蝕刻工藝來說，由於它所體現的“倒溪”現像比絕大多數印製板工藝都突出，所以許多問題最後都反映在它上面。同時，這也是由於蝕刻是自貼膜，感光開始的一個長系列工藝中的最後一環，之後，外層圖形即轉移成功了。環節越多，出現問題的可能性就越大。這可以看成是印製電路生產過程中的一個很特殊的方面。 從理論上講，印製電路進入到蝕刻階段後，在圖形電鍍法加工印製電路的工藝中，理想狀態應該是:電鍍後的銅和錫或銅和鉛錫的厚度總和不應超過耐電鍍感光膜的厚度,使電鍍圖形完全被膜兩側的“牆”擋住並嵌在裏面。然而, 現實生產中，全世界的印製電路板在電鍍後，鍍層圖形都要大大厚於感光圖形。在電鍍銅和鉛錫的過
6、程中，由於鍍層高度超過了感光膜，便產生橫向堆積的趨勢，問題便由此產生。在線條上方覆蓋著的錫或鉛錫抗蝕層向兩側延伸，形成了“沿”，把小部分感光膜蓋在了“沿”下面。錫或鉛錫形成的“沿”使得在去膜時無法將感光膜徹底去除乾淨，留下一小部分“ 殘膠”在“沿” 的下面。“殘膠”或“殘膜”留在了抗蝕劑“沿”的下麵，將造成不完全的蝕刻。線條在蝕刻後兩側形成“銅根”，銅根使線間距變窄，造成印製板不符合甲方要求，甚至可能被拒收。由於拒收便會使 PCB的生產成本大大增加。 另外，在許多時候，由於反應而形成溶解，在印製電路工業中,殘膜和銅還可能在腐蝕液中形成堆積並堵在腐蝕機的噴嘴處和耐酸泵裏，不得不停機處理和清潔，而
7、影響了工作效率。三.設備調整及與腐蝕溶液的相互作用關係 在印製電路加工中，氨性蝕刻是一個較為精細和複雜的化學反應過程。反過來說它又是一個易於進行的工作。一旦工藝上調通，就可以連續進行生產。關鍵是一旦開機就需保持連續工作狀態,不宜幹幹停停。蝕刻工藝在極大的程度上依賴設備的良好工作狀態。就目前來講，無論使用何種蝕刻液，必須使用高壓噴淋，而且為了獲得較整齊的線條側邊和高品質的蝕刻效果，必須嚴格選擇噴嘴的結構和噴淋方式。 為得到良好的側面效果,出現了許多不同的理論 ,形成不同的設計方式和設備結構。這些理論往往是大相徑庭的。但是所有有關蝕刻的理論都承認這樣一條最基本的原則，即儘量快地讓金屬表面不斷的接觸
8、新鮮的蝕刻液。對蝕刻過程所進行的化學機理分析也證實了上述觀點。在氨性蝕刻中，假定所有其他參數不變，那麼蝕刻速率主要由蝕刻液中的氨（NH3）來決定。因此用新鮮溶液與蝕刻表面作用,其目的主要有兩個：一是沖掉剛剛產生的銅離子；二是不斷提供進行反應所需要的氨（NH3）。 在印製電路工業的傳統知識裏, 特別是印製電路原料的供應商們,大家公認, 氨性蝕刻液中的一價銅離子含量越低，反應速度就越快.這已由經驗所證實。事實上，許多的氨性蝕刻液產品都含有一價銅離子的特殊配位基（一些複雜的溶劑），其作用是降低一價銅離子(這些即是他們的產品具有高反應能力的技術秘訣),可見一價銅離子的影響是不小的。將一價銅由 5000
9、ppm 降至 50ppm，蝕刻速率會提高一倍以上。 由於蝕刻反應過程中生成大量的一價銅離子，又由於一價銅離子總是與氨的絡合基緊緊的結合在一起,所以保持其含量近於零是十分困難的。通過大氣中氧的作用將一價銅轉換成二價銅可以去除一價銅。用噴淋的方式可以達到上述目的。這就是要將空氣通入蝕刻箱的一個功能性的原因。但是如果空氣太多，又會加速溶液中的氨損失而使 PH 值下降，其結果仍使蝕刻速率降低。氨在溶液中也是需要加以控制的變化量。一些用戶採用將純氨通入蝕刻儲液槽的做法。這樣做必須加一套 PH 計控制系統。當自動測得的 PH 結果低於給定值時，溶液便會自動進行添加。 在與此相關的化學蝕刻（亦稱之為光化學蝕
10、刻或PCH）領域中,研究工作已經開始，並達到了蝕刻機結構設計的階段。在這種方法中,所使用的溶液為二價銅，不是氨-銅蝕刻。它將有可能被用在印製電路工業中。在 PCH 工業中，蝕刻銅箔的典型厚度為 5 到 10密耳（mils），有些情況下厚度則相當大。它對蝕刻參量的要求經常比 PCB 工業中的更為苛刻。 有一項來自 PCM 工業系統中的研究成果，目前尚未正式發表，但其結果將是令人耳目一新的。由於有較雄厚的項目基金支持，因此研究人員有能力從長遠意義上對蝕刻裝置的設計思想進行改變,同時研究這些改變所產生的效果。比如,與錐形噴嘴相比，最佳的噴嘴設計採用扇形，並且噴淋集流腔（即噴嘴擰進去的那段管子）也有一
11、個安裝角度,能對進入蝕刻艙中工件呈 30 度噴射.如果不進行這樣的改變，那麼集流腔上噴嘴的安裝方式會導致每個相鄰噴嘴的噴射角度都不是完全一致的。第二組噴嘴各自的噴淋面與第一組相對應的略有不同（它表示了噴淋的工作情況）。這樣使噴射出的溶液形狀成為疊加或交叉的狀態。從理論上講，如果溶液形狀相互交叉，那麼該部分的噴射力就會降低，不能有效地將蝕刻表面上的舊溶液沖掉而保持新溶液與其接觸。在噴淋面的邊緣處，這種情況尤其突出。其噴射力比垂直方向的要小得多。 這項研究發現,最新的設計參數是 65 磅/ 平方英寸（即 4 Bar）。每個蝕刻過程和每種實用的溶液都有一個最佳的噴射壓力的問題,而就目前來講，蝕刻艙內
12、噴射壓力達到 30 磅/平方英寸（2Bar）以上的情況微乎其微。有一個原則，即一種蝕刻溶液的密度（即比重或玻美度）越高，最佳的噴射壓力也應越高。當然這不是單一的參數。另一個重要的參數是在溶液中控制其反應率的相對淌度（或遷移率）。四.關於上下板面,導入邊與後入邊蝕刻狀態不同的問題 大量的涉及蝕刻品質方面的問題都集中在上板面上被蝕刻的部分。瞭解這一點是十分重要的。這些問題來自印製電路板的上板面蝕刻劑所產生的膠狀板結物的影響。膠狀板結物堆積在銅表面上，一方面影響了噴射力，另一方面阻擋了新鮮蝕刻液的補充，造成了蝕刻速度的降低。正是由於膠狀板結物的形成和堆積使得板子的上下面圖形的蝕刻程度不同。這也使得在
13、蝕刻機中板子先進入的部分容易蝕刻的徹底或容易造成過腐蝕，因為那時堆積尚未形成，蝕刻速度較快。反之，板子後進入的部分進入時堆積已形成，並減慢其蝕刻速度。五.蝕刻設備的維護 蝕刻設備維護的最關鍵因素就是要保證噴嘴的清潔，無阻塞物而使噴射通暢。阻塞物或結渣會在噴射壓力作用下衝擊版面。假如噴嘴不潔，那麼會造成蝕刻不均勻而使整塊 PCB 報廢。明顯地，設備的維護就是更換破損件和磨損件，包括更換噴嘴，噴嘴同樣存在磨損的問題。除此之外，更為關鍵的問題是保持蝕刻機不存在結渣，在許多情況下都會出現結渣堆積.結渣堆積過多，甚至會對蝕刻液的化學平衡產生影響。同樣,如果蝕刻液出現過量的化學不平衡，結渣就會愈加嚴重。結渣堆積的問題怎麼強調都不過分。一旦蝕刻液突然出現大量結渣的情況，通常是一個信號，即溶液的平衡出現問題。這就應該用較強的鹽酸作適當地清潔或對溶液進行補加。殘膜也可以產生結渣物，極少量的殘膜溶於蝕刻液中，然後形成銅鹽沉澱。殘膜所形成的結渣說明前道去膜工序不徹底。去膜不良往往是邊緣膜與過電鍍共同造成的結果。、浓硫酸 10
