1、第9章 集成逻辑门电路,9.1 TTL与非门 9.2 其它集成门电路简介 9.3 CMOS门电路,9.1 TTL与非门,这种集成逻辑门的输入级和输出级都是由晶体管构成，并实现与非功能，所以称为晶体管晶体管逻辑与非门，简称TTL与非门。,9.1.1 典型TTL与非门电路1. 电路组成 图9.1是典型TTL与非门电路，它由三部分组成：输入级由多发射极管V1和电阻R1组成,完成与逻辑功能；中间级由V2、R2、R3组成，其作用是将输入级送来的信号分成两个相位相反的信号来驱动V3和V5管；输出级由V3、V4、V5、R4和R5组成，其中V5为反相管，V3、V4组成的复合管是V5的有源负载，完成逻辑上的“非
2、”。,图9.1 典型TTL与非门,由于中间级提供了两个相位相反的信号，使V4、V5总处于一管导通而另一管截止的工作状态。这种形式的输出电路称为“推拉式输出”电路。,2.工作原理1）当输入端有低电平时（UiL=0.3V）在图9.1所示电路中，假如，输入信号A为低电平，即UA=0.3V，UB=UC=3.6V（A=0，B=C=1），则对应于A端的V1管的发射结导通，V1管基极电压UB1被钳位在UB1=UA+UbeA=0.3+0.7=1V。该电压不足以使V1管集电结、V2及V5管导通，所以V2及V5管截止。由于V2管截止，UC2约为5V。此时，输出电压Uo为：Uo=UoHUC2-Ube3-Ube4=5
3、-0.7-0.7=3.6V，即输入有低电平时，输出为高电平。,2）当输入端全为高电平时(UiH=3.6V)假如，输入信号A=B=C=1，即：UA=UB=UC=3.6V，V1管的基极电位升高，使V2及V5管导通，这时V1管的基极电压钳位在Ub1=Ubc1+Ube2+Ube5=0.7+0.7+0.7=2.1V。于是V1的三个发射结均反偏截止，电源UCC经过R1、V1的集电结向V2、V5提供基流，使V2、V5管饱和，输出电压Uo为Uo=UoL=UCES5=0.3V，故输入全为高电平时，输出为低电平。,由以上分析可知，当电路输入有低电平时，输出为高电平；而输入全为高电平时，输出为低电平。电路的输出和输
4、入之间符合与非逻辑，即,9.1.2 TTL与非门的特性与主要参数1. 电压传输特性及主要参数1)电压传输特性电压传输特性是指与非门输出电压uo随输入电压ui变化的关系曲线。图9.2(a)、(b)分别为电压传输特性的测试电路和电压传输特性曲线。,图9.2 TTL与非门的电压传输特性 (a)测试电路； (b)电压传输特性,图9.2 TTL与非门的电压传输特性 (a)测试电路； (b)电压传输特性,图9.2（b）所示电压传输特性曲线可分成下列四段： ab段(截止区)0ui0.6V,uo=3.6V。 bc段(线性区)0.6Vui1.3V,uo线性下降。 cd段(转折区)1.3Vui1.5V,uo急剧下
5、降。 de段(饱和区)ui1.5V,uo=0.3V。,2)主要参数从电压传输特性可得以下主要参数：（1）输出高电平UoH和输出低电平UoL。UoH是指输入端有一个或一个以上为低电平时的输出高电平值；UoL是指输入端全部接高电平时的输出低电平值。UoH的典型值为3.6V，UoL的典型值为0.3V。但是，实际门电路的UoH和UoL并不是恒定值，考虑到元件参数的差异及实际使用时的情况，手册中规定高、低电平的额定值为：UoH=3V，UoL=0.35V。有的手册中还对标准高电平（输出高电平的下限值）USH及标准低电平（输出低电平的上限值）USL规定：USH2.7V,USL=0.5V。,（2）阈值电压UT
6、H。UTH是电压传输特性的转折区中点所对应的ui值，是V5管截止与导通的分界线，也是输出高、低电平的分界线。它的含义是：当uiUTH时，与非门开门（V5管导通），输出为低电平。实际上，阈值电压有一定范围，通常取UTH=1.4V。,（3）关门电平Uoff和开门电平Uon。在保证输出电压为标准高电平USH（即额定高电平的90%）的条件下，所允许的最大输入低电平，称为关门电平Uoff。在保证输出电压为标准低电平USL（额定低电平）的条件下，所允许的最小输入高电平，称为开门电平Uon。Uoff和Uon是与非门电路的重要参数，表明正常工作情况下输入信号电平变化的极限值，同时也反映了电路的抗干扰能力。一般
7、为：Uoff0.8V，Uon1.8V。,（4）噪声容限。低电平噪声容限是指与非门截止，保证输出高电平不低于高电平下限值时，在输入低电平基础上所允许叠加的最大正向干扰电压，用UNL表示。由图9.2可知，UNL=Uoff-UiH。高电平噪声容限是指与非门导通，保证输出低电平不高于低电平上限值时，在输入高电平基础上所允许叠加的最大负向干扰电压，用UNH表示。由图9.2可知,UNH=UiH-Uon。显然，为了提高器件的抗干扰能力，要求UNL与UNH尽可能地接近。,2.输入特性及主要参数1)输入伏安特性及主要参数输入伏安特性是指与非门输入电流随输入电压变化的关系曲线。图9.3(a)为测试电路,图9.3（
8、b）为TTL与非门的输入伏安特性曲线。一般规定输入电流以流入输入端为正。,图9.3TTL与非门的输入伏安特性 （a）测试电路； （b）输入伏安特性,图9.3TTL与非门的输入伏安特性 （a）测试电路； （b）输入伏安特性,由图9.3可以得到以下几个主要参数：（1）输入短路电流IiS为当输入端有一个接地时,流经这个输入端的电流，如图9.4所示。由图9.3得,当Ui=0时,图9.4 IiS的定义,式中，负号表示电流是流出的，当与非门是由前级门驱动时，IiS就是流入（灌入）前级与非门V5的负载电流，因此，它是一个和电路负载能力有关的参数，它的大小直接影响前级门的工作情况。一般情况下，IiS2mA。,
9、（2）输入漏电流IiH为当任何一个输入端接高电平时，流经这个输入端的电流，如图9.5所示。由于此电流是流入与非门的，因而是正值。当与非门的前级驱动门输出为高电平时，IiH就是前级门的流出(拉)电流，因此，它也是一个和电路负载能力有关的参数。显然，IiH越大,前级门输出级的负载就越重。一般情况下，IiH40A。 IiS和IiH都是TTL与非门的重要参数，是估算前级门带负载能力的依据之一。,图9.5 IiH的定义,2）输入端负载特性及主要参数输入端负载特性是指输入端接上电阻Ri时,输入电压Ui随Ri的变化关系。图9.6（a）为测试电路，图9.6（b）为TTL与非门的输入负载特性曲线。,图9.6 T
10、TL与非门的输入端负载特性 （a）测试电路; （b）特性曲线,当TTL与非门的一个输入端外接电阻Ri时（其余输入端悬空），在一定范围内，输入电压ui随着Ri的增大而升高。在V5管导通前，输入电压,由图9.6（b）可知，开始ui随Ri增大而上升，但当ui=1.4V后，V5导通，V1的基极电位钳位在2.1V不变，ui亦被钳位在1.4V，不再随Ri增大而增大。这时，V5饱和导通，输出为低电平0.3V。,由以上分析可知，输入端外接电阻的大小，会影响门电 路的工作情况。当Ri较小时，相当于输入信号是低电平，门电路输出为高电平；当Ri较大时，相当于输入信号是高电平，门电路输出为低电平。(1）关门电阻Rof
11、f。使TTL与非门输出为标准高电平USH时，所对应的输入端电阻Ri的最大值称为关门电阻，用Roff表示。（2）开门电阻Ron。使TTL与非门输出为标准低电平时，输入端外接电阻的最小值称为开门电阻，用Ron表示。 ,这两个参数是与非门电路中的重要参数。当RiRon时，TTL与非门导通，输出低电平。在TTL与非门典型电路中，一般选Roff=0.9k，Ron2.5k。,3. 输出特性及主要参数TTL与非门的输出特性是指它的输出电压与输出电流（负载电流）的关系。在实际应用中，TTL与非门的输出端总是要与其它门电路连接，也就是它要带负载。TTL与非门带的负载分为灌电流负载和拉电流负载两种。,1）输入为高
12、电平时的输出特性（灌电流负载特性） 当输入全为高电平时，TTL与非门导通，输出为低电平。此时，V5管饱和，负载电流为灌电流，如图9.7（a）所示。负载RL越小，灌入V5管的电流IoL越大，V5管饱和程度变浅，输出低电平值增大，如图9.7（b）所示。为了保证TTL与非门的输出为低电平，对IoL要有一个限制。一般将输出低电平UoL=0.35V时灌电流定为最大灌电流IoLmax。,图9.7输入高电平时的输出特性 （a）测试电路; （b）特性曲线,2）输入为低电平时的输出特性（拉电流负载特性） 当输入端有一个低电平时，TTL与非门截止，输出为高电平。此时V5管截止，负载为拉电流，如图9.8（a）所示。
13、V3、V4管工作于射极跟随器状态，其输出电阻很小。负载RL越小，从TTL与非门拉出的电流IoH越大，门电路的输出高电平UoH将下降，如图9.8（b）所示。为了保证TTL与非门的输出为高电平，IoH不能太大，一般将输出高电平UoH=2.7V时的拉电流定为最大拉电流IoHmax。,图9.8输入低电平时的输出特性 （a）测试电路; （b）特性曲线,3）主要参数TTL与非门在保证输出为额定电平的前提下，所能驱动同类型与非门的最大数目,称为扇出系数No。它是衡量门电路带负载能力的一个重要参数。因为驱动同类型与非门时最大电流是发生在输出低电平带灌电流负载的情况下，因此，No=IoL/IiS一般,扇出系数N
14、o8 。,4.其它参数1）平均传输延迟时间tpd平均传输延迟时间tpd是指TTL与非门电路导通传输延迟时间tp1和截止延迟时间tp2的平均值，即tpd=(tp1+tp2)/2，如图9.9所示。tpd是衡量门电路开关速度的一个重要参数。一般，tpd=1040ns。,图9.9 tpd的定义,2）空载功耗空载功耗是指TTL与非门空载时电源总电流IC与电源电压UCC的乘积。(1)空载导通功耗Pon是指与非门输出为低电平时的功耗。(2)空载截止功耗Poff是指与非门输出为高电平时的功耗。TTL与非门电路的空载功耗一般为几十毫瓦，且PonPoff。,9.1.3 改进型TTL与非门前面介绍的TTL与非门电路
15、具有结构简单、抗干扰能力强、使用方便等优点，所以它是应用最为普遍的一种数字集成电路。但是，为了使它更加广泛地应用于各个领域，满足各种需要以及实际应用对于电路不断提出的新要求(其中主要是工作速度的不断提高和功耗的逐步下降)，因此必须在电路的结构形式和工艺方面进行改进。这样，就出现了各具特色的不同系列的TTL门电路。,1.CT1000系列CT1000系列相当于国际型号74通用系列（即标准系列）。它是二输入端与非门的典型电路。每门功耗约为10mW，平均传输延迟时间约为10ns。2. CT2000系列CT2000系列相当于国际型号74H高速度系列，电路简称HTTL。它的特点是工作速度较标准系列高，tp
16、d约为6ns，但每门功耗比较大，约为20mW。,3. CT3000系列CT3000系列相当于国际型号74S肖特基系列，电路简称STTL。它在电路结构上进行了改进，采用抗饱和三极管和有源泄放电路，这样，既提高了电路的工作速度，也提高了电路的抗干扰能力。STTL与非门的tpd约为3ns，每门功耗约为19mW。,4.CT4000系列CT4000系列相当于国际74LS低功耗肖特基系列，电路简称LSTTL，它是在STTL的基础上加大了电阻阻值，这样，在提高工作速度的同时，也降低了功耗。LSTTL与非门的每门功耗约为2mW，平均传输延迟时间tpd约为5ns，这是TTL门电路中速度功耗积（平均传输延迟时间与
17、每门功耗的积，也称pd积）最小的系列。这里，对以上四种系列的电路结构及工作原理不作具体介绍，只要求掌握各系列的特点，应用时可根据实际情况选择合适的产品型号，查阅有关的资料或手册。,9.1.4其它逻辑功能的TTL门电路在实际使用的数字系统中，往往需要多种多样逻辑功能的门电路，仅有与非门一种基本单元电路是满足不了需求的。在TTL与非门的基础上稍作改动,或将与非门中的若干部分组合起来,便可形成不同类型且具有特殊功能的TTL门电路。,1.集电极开路与非门（OC门）在实际使用中，有时需要将多个与非门的输出端直接并联来实现“与”的功能，如图9.10所示。只要Y1或Y2有一个为低电平,Y便为低电平,只有当Y
18、1和Y2均为高电平时,Y才为高电平。因此,这个电路实现的逻辑功能是Y=Y1Y2,即能实现“与”的功能。这种用“线”连接形成“与”功能的方式称为“线与”。,图9.10 与非门输出端直接并联,但是，并不是所有形式的与非门都能接成“线与”电路。具有推拉式输出的与非门，其输出端就不允许进行线与连接。因此，无论输出是高电平还是低电平，输出电阻都比较低，如果将两个输出端直接相连，当一个门的输出为高电平，另一个门输出为低电平时，就会形成一条从+UCC到地的低阻通路，必将产生一个很大的电流从截止门的V4管灌入到导通门的V5管，如图9.11所示。这个电流不仅会使导通门的输出低电平抬高，甚至会损坏两个门的输出管，
19、这是不允许的。为了克服一般TTL门不能直接相连的缺点，人们又研制出了集电极开路与非门。,图9.11两个TTL与非门输出端相连,集电极开路与非门简称OC门。电路如图9.12（a）所示,其逻辑符号如图9.12（b）所示。OC门是用外接电阻RL来代替V3、V4复合管组成的有源负载,它在工作时需外接负载电阻RL和电源。只要RL选择恰当，既能保证输出的高、低电平符合要求，又能使输出三极管的负载电流不致过大。,图9.12集电极开路与非门 (a)电路； (b)逻辑符号,RL的取值原则是：应保证输出高电平UoH2.7V,输出低电平UoL0.35V。综上所述，可以得出以下两种OC门电路：OC门在单个使用时，在输
20、出端与电源UCC之间必须外接一个负载电阻RL，如图9.13所示。当n个OC门的输出端并联时，能实现“线与”功能，如图9.14所示。,图9.13 OC门单个使用时的接法,图9.14 n个OC门输出端并,2.三态门 三态门就是输出有三种状态的与非门，简称TSL门。它与一般TTL与非门的不同点是： (1)输出端除了可以输出高、低电平两种状态外，还可以出现第三种状态高阻状态（或称禁止状态）； (2)输入级多了一个“控制端”（或称使能端） 。,图9.15（a）为三态门电路，图9.15（b）为三态门的逻辑符号。从图9.15(a)得知：（1）当 =0时，P点为高电平，VD截止对与非门无影响，电路处于正常工作
21、状态，Y= 。 ,图9.15三态门 (a)电路; (b)逻辑符号,（2）当 =1时，P点为低电平，VD管导通，使V-2管的集电极电压Uc21V，因而V4管截止。同时，由于 =1，因而V1管的基极电压Ub1=1V，则V2、V5管也截止。这时从输出端看进去，电路处于高阻状态。这种门的真值表如表9.1所示。,表9.1 SL门的真值表,从前面分析可知：图9.15所示三态门是在 =0时,与非门处于正常工作状态，所以，在逻辑符号中， 端加小圆圈表示控制端为低电平有效。必须注意，还有一种三态门是在控制端为高电平时，与非门处于工作状态，在其逻辑符号中E端没有小圆圈，表示控制端是高电平有效，如图9.16所示。在
22、实际应用三态门时，请注意区分控制端E是低电平有效还是高电平有效。三态门主要应用在数字系统的总线结构中，实现用一条总线有秩序地传送几组不同数据或信号，如图9.17所示。,图9.16 控制端高电平有效的,图9.17 用三态门接成总,只要 按时间顺序轮流接低电平，那么，同一条总线可分时传递 。值得注意的是：在任一时刻， ,中只能有一个控制端为低电平，使该门信号进入总线，其余所有控制端均应为高电平，对应门处于高阻状态，不影响总线上信号的传输。三态门还可实现数据的双向传输，如图9.18所示。当E=1时，G1工作，G2为高阻态，数据由A传输到B。当E=0时，G2工作，G1为高阻态，总线上的数据由B传输到A
23、。,图9.18 用三态门实现数据的双向传输,9.2 其它集成门电路简介,本节只介绍HTL、ECL、I2L电路的特点，对其电路结构及工作原理不作介绍。9.2.1高阈值逻辑电路（HTL）HTL与非门电路即高阈值逻辑门电路，其输入端阈值电压较高。它的主要特点是：抗干扰能力强；但HTL与非门电路的工作速度低（tpd100ns），功耗也较大（约为4060mW）;另外，它的逻辑电平与TTL门电路不兼容，它们之间连接时，要通过接口电路才能配合使用。,9.2.2射极耦合逻辑电路（ECL）ECL电路是一种高速集成逻辑门电路。它的主要特点是工作速度高（tpd=12ns），逻辑功能强（输出具有或及或非逻辑功能），带
24、负载能力强（No=25100），并且可以实现“线或”逻辑，所以ECL门电路在大型、高速计算机中得到广泛应用。但它也存在缺点：如抗干扰能力差、功耗大等。,9.2.3集成注入逻辑电路(I2L)I2L逻辑门电路适用于制造大规模数字集成电路，这种电路的主要特点是：电路简单紧凑，集成度高，功耗低，并且能在低电压（0.8V）、微电流（1nA）下工作。所以它广泛应用于单片微处理器、大规模逻辑阵列等微型数字系统中。但I2L电路也存在不足：工作速度较低（tpd=1530ns）、抗干扰能力差。为了克服这些问题，现已出现了肖特基I2L电路。,9.3 CMOS门电路,前面我们已经学过的MOS管有NMOS和PMOS两种
25、，并且还分为增强型和耗尽型。如果将导电极性相反的增强型NMOS管和PMOS管做在同一块芯片上，就构成了互补型MOS电路，简称CMOS电路。由于CMOS电路具有工作速度高、功耗低、性能优越等特点，因而近年来CMOS电路发展迅速，广泛应用于大规模集成器件中。,9.3.1CMOS反相器CMOS反相器电路如图9.19（a）所示。它是由NMOS管VN和PMOS管VP组合而成的。VN和VP的栅极相连，作为反相器的输入端；漏极相连，作为反相器的输出端。VP是负载管，其源极接电源UDD的正极，VN为放大管（驱动管），其源极接地。为了使电路正常工作，要求电源电压大于两管开启电压的绝对值之和，即UDD|UTP|+
26、UTN。,图9.19 CMOS反相器及其等效电路(a)电路图;(b)输入为低电平时的等效电路;(c)输入为高电平时的等效电路,1.工作原理设+UDD=+10V，VN、VP的开启电压UTN=|UTP|，其工作原理如下：(1)当输入电压为低电平时，即UGSN=0，VN截止，等效电阻极大，相当于S1断开，而UGSP=-UDDUTP，所以VP导通，导通等效电阻极小，相当于S2接通，如图9.19（b）所示，输出电压为高电平，即Uo+UDD。 (2)当输入电压为高电平时,工作情况正好相反,VN导通,VP截止,相当于S1接通,S2断开,如图9.19（c）所示，输出电压为低电平，即Uo0V。 ,综上所述，可以
27、得出以下结论：输出电压U o与输入电压Ui是反相关系。反相器不论输入是高电平还是低电平，VN管和VP管中总有一个处于截止状态，静态电流近似为零，所以静态功耗很小。VN管和VP管跨导gm都较大，即导通等效电阻都很小，能为负载电容提供一个低阻抗的充电回路，因而开关速度较高。,2.CMOS反相器的电压传输特性典型的CMOS反相器的电压传输特性曲线如图9.20所示。由图可知，电压传输特性的过渡区比较陡峭，说明CMOS反相器虽有动态功耗，但其平均功耗仍远低于其它任何一种逻辑电路。这是CMOS电路的突出特点。另外，VN和VP的特性接近相同，使电路有互补对称性，即VN和VP互为负载管，显然，阈值电压VTH接
28、近UDD/2，所以CMOS反相器的电压传输特性曲线比较接近理想开关特性。,图9.20 CMOS反相器电压传输特性,3. CMOS反相器的主要特点CMOS反相器具有以下特点： (1)静态功耗小。(2)工作速度高。(3)抗干扰能力强。由于UTH=UDD/2，UoL0，UoH+UDD，则它的噪声容限为UNL=UNH=UDD/2，因而抗干扰能力强。(4)扇出系数大。因为VN、VP管的导通等效电阻都比较小，所以拉电流和灌电流负载能力都很强，可以驱动比较多的同类型CMOS门电路。,(5)只用一组电源，且允许电源电压在318V范围内变化，所以CMOS的电源电压波动范围大。(6）制造工艺复杂，成本高，且门电路
29、的集成度较小。,9.3.2 CMOS门电路1.CMOS与非门图9.21所示是一个两输入端的CMOS与非门电路，它是由两个CMOS反相器构成的。A、B为输入端，Y为输出端。其工作原理如下：(1）当输入端A或B中有一个为低电平时，两个串联的NMOS管VN1、VN2中至少有一个截止，而并联的PMOS管VP1、VP2中至少有一个是导通的，所以，输出端Y是高电平。(2）当输入端A和B都为高电平时，VN1、VN2导通，VP1、VP2截止，输出端Y为低电平。,电路符合与非门的逻辑关系：Y=,图9.21 CMOS与非门电路图,2.CMOS或非门图9.22所示是一个两输入端的CMOS或非门电路。A、B为输入端，
30、Y为输出端。其工作原理如下：(1）当输入端A和B都为低电平时，并联的VN1、VN2均截止，串联的VP1、VN1导通，其输出端Y是高电平。(2）当输入端A或B中有一个为高电平时，VN1、VN2中至少有一个导通，而VP1、VN1中至少有一个截止，所以，输出端Y是低电平。该电路符合或非门的逻辑关系：,图9.23CMOS三态门 (a)电路; (b)逻辑符号,3.CMOS三态门图9.23（a）所示是CMOS三态门，其中VP1和VN1组成CMOS反相器，VP2与VP1串联后接电源，VN2与VN1串联后接地。VP2、VN2受使能端 控制。A为输入端，Y为输出端。其工作原理如下：(1）当 =0时，VP2、VN
31、2均导通，电路处于工作状态，Y= 。(2）当 =1时，VP2、VN2均截止，输出端如同断开，呈高阻状态。这是一种控制端（使能端）为低电平有效的CMOS三态门，逻辑符号如图9.23（b）所示。,4.CMOS传输门和模拟开关1）CMOS传输门将P沟道增强型MOS管VP和N沟道增强型MOS管VN并联起来，并在两管的栅极加互补的控制信号就构成CMOS传输门，简称TG。其电路及逻辑符号如图9.24所示。它是一种传输信号的可控开关电路。其工作原理如下：,图9.24CMOS传输门 （a）电路; （b）逻辑符号,设电源电压UDD=10V，控制信号的高、低电平分别为+10V和0V，两管的开启电压的绝对值均为3V
32、，输入信号ui的变化范围为0+UDD。（1）当uC=0V， =10V（C=0， =1）时：ui在0+10V之间变化时，VN、VP均为反偏截止，ui不能传输到输出端，相当于开关断开，即传输门截止。 （2）当uC=+10V， =0V（C=1， =0）时：因为MOS管的结构对称，源极和漏极可以互换使用，所以,当ui在0+10V之间变化时，VN在0Vui+7V期间导通，VP在3Vui+10V期间导通，VN和VP至少有一管导通，uoui，相当于开关接通，即传输门导通。 2) 模拟开关将CMOS传输门和一个反相器结合，则可组成一个模拟开关，如图9.25所示。当控制端C=1时，TG导通；当C=0时，TG截止
33、。由于MOS管的源极、漏极可以互换，因而模拟开关是一种双向开关，即输入端和输出端可以互换使用。,图9.25 模拟开关,9.4 集成逻辑门电路的使用,在数字系统中，每一种集成门电路都有其特点，例如，有高速逻辑门、低功耗逻辑门或抗干扰能力强的逻辑门等。因此在使用时，必须根据需要首先选定逻辑门的类型，然后确定合适的集成逻辑门的型号。在逻辑门的使用中，应注意下列事项。,1.对多余的或暂时不用的输入端进行合理的处理 对于TTL门来说，多余的或暂时不用的输入端可采用以下方法进行处理：悬空；与其它已用输入端并联使用；按功能要求接电源或接地。对于CMOS门来说，由于其输入电阻很高，易受外界干扰信号的影响，因而CMOS门多余的或暂时不用的输入端不允许悬空。其处理方法为：与其它输入端并联使用；按电路要求接电源或接地。,2.使用中应注意的问题 (1)在门电路的使用安装过程中应尽量避免干扰信号的侵入，不用的输入端按上述方式处理，保证整个装置有良好的接地系统。(2)CMOS门电路尤其要避免静电损坏。因为MOS器件的输入电阻极大，输入电容小，当栅极悬空时，只要有微量的静电感应电荷，就会使输入电容很快充电到很高的电压，结果将会把MOS管栅极与衬底之间很薄的SiO2绝缘层击穿，造成器件永久性损坏。,
