1、电力电子技术课后习题全解 (个人整理 ) 第 5 版 王兆安 刘进军 主编 机械工业出版社 第二章 2-1 与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？ 答： 1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在 P区和 N区之间多了一层低掺杂 N区，也称漂移区。低掺杂 N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂 N区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在
2、门极施加触发电流（脉冲）。或： UAK0 且 UGK0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要 使晶闸管由导通变为关断， 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4 图 2-27 中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为 Im ，试计算各波形的电流平均值 Id1、 Id2、 Id3 与电流有效值 I1、 I2、 I3。 解： a) Id1= I1= b) Id2=
3、I2= c) Id3= I3= 2-5 上题中如果不考虑安全裕量 ,问 100A 的晶阐管能送出的平均电流Id1、 Id2、 Id3各为多少 ?这时，相应的电流最大值 Im1、 Im2、 Im3各为多少 ? 解：额定电流 IT(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值 I=157A,由上题计算结果知 a) Im1 A, Id1 0.2717Im1 89.48A b) Im2 Id2 c) Im3=2I=314 Id3= Im2717.0)122(2Im)(s i nIm2 1 4 tIm4767.02 1432Im)()s i n(Im2 142 wtdtIm5434.0)12 2(2Im
4、)(s i nIm1 4 wtdt Im6741.02 1432 Im2)()s i n(Im142 wtdt 20 Im41)(Im21 tdIm21)(Im21 20 2 td 35.3294767.0 I ,90.2326741.0 AI AI m 56.1265434.0 2 5.7841 3 mI2-6 GTO和普通晶闸管同为 PNPN结构 ,为什么 GTO能够自关断 ,而普通晶闸管不能 ? 答： GTO 和普通晶阐管同为 PNPN 结构，由 P1N1P2和 N1P2N2 构成两个晶体管 V1、 V2，分别具有共基极电流增益 和 ，由普通晶阐管的分析可得， 是器件临界导通的条件。体管
5、过饱和而导通； 不能维持饱和导通而关断。 GTO之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为 GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同： l)GTO 在设计时 较大，这样晶体管 V2 控制灵敏，易于 GTO 关断； 2)GTO导通时 的更接近于 l，普通晶闸管 ，而 GTO 则为， GTO 的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件； 3)多元集成结构使每个 GTO 元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得 P2 极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。 2-7 与信息电子电路中 的 MOSFET 相比，电力 MOSFET 具有怎样的结
6、构特点才使得它具有耐受高电压电流的能力？ 答 1.目前大多 电力 MOSFET 大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力 MOSFET 多了一层低掺杂 N 区，也称漂移区。低掺杂 N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺1 2121 121 121 221 5.121 05.121 杂浓度低，低掺杂 N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-8 试分析 IGBT 和电力 MOSFET 在内部结构和开关特性上的相似与不同之处 . 答： IGBT比 电力 MOSFET 在背面多一个 P型层， IGBT 开关速度小，
7、开关损耗少 ,具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小。开关速度低于 电力 MOSFET。 电力 MOSFET开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好。所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题。 IGBT 驱动电路的特点是 :驱动电路具有较小的输出电阻， GBT是电压驱动型器件， IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。 电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。 2-9 试列举典型的宽禁带半导体材料。基于这 些 宽禁带半导体材料的电力电子器件在哪些方面性能优于硅器件？ 答：典型的宽禁带半导体材料有：
8、碳化硅 氮化镓 金刚石等材料。性能方面，具有更高的耐受高压的能力，低的多的通态电阻，更好的导热性能和热稳定性以及更强的耐受高温和射线辐射的能力。 2-10 试分析电力电子集成技术 可以带来哪些益处，功率集成电路与集成电力电子模块实现集成的思路有何不同？ 答： 1、可以缩小装置体积，降低成本，提高可靠性，更重要的是对工作频率较高的电路，还可以大大减小线路电感，从而简化对保护金额缓冲电路的要求。 2、将电力电子器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，则称为功率集成电路（ PIC）。 若是将电力电子器件与其控制、驱动、保护等所有信息电子电路封装在一起则称为集成电力电
9、子模块。 2-11目前常用的全控型电力电子器件有哪些？ 答：门极可关断晶闸管 （ GTO） , 电力晶闸管 (GTR)，电力场效应晶体管 (MOSFET)，绝缘栅双极晶体管 (IGBT)。 第三章 3-1. 单相半波可控整流电路对电感负载供电， L 20mH， U2 100V，求当 0和 60时的负载电流 Id，并画出 ud与 id波形。 解： 0时，在电源电压 u2的正半周期晶闸管导通时，负载电感 L储能，在晶闸管开始导通时刻，负载电流为零。在电源电压 u2的负半周期，负载电感 L 释放能量，晶闸管继续导通。因此，在电源电压 u2的一个周期里，以下方程均成立： tUtiL s in2dd2d
10、 考虑到初 始条件：当 t 0 时 id 0 可 解方程得 ：)co s1(2 2d tLUi 20 2d )(d)c o s1(221 ttLUI = LU22 =22.51(A) ud与 id的波形如下图： 0 2 tu20 2 tud0 2 tid当 60时，在 u2正半周期 60180期间晶闸管导通使电感 L储能，电感 L 储藏的能量在 u2负半周期 180300期间释放，因此在u2一个周期中 60300期间以下微分方程成立： tUtiL s in2dd 2d 考虑初始条件：当 t 60时 id 0可解方程得： )co s21(2 2d tLUi 其平均值为 )(d)c o s21(2
11、21 3532d ttLUI = LU22 2 =11.25(A) 此时 ud与 id的波形如下图： tudid+ + t tu20+ +3-2 图 3-10 为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，问该变压器还有直流磁化问题吗？试说明： 晶闸管承受的最大反向电压为 2 22U ； 当负载是电阻或电感时，其输出电压和电流的波形与单相全控桥时相同。 答：具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，该变压器没有直流磁化的问题。 因为单相全波可控整流电路变压器二次测绕组中，正负半周内上下绕组内电流的方向相反，波形对称，其一个周期内的平均电流为零，故不会有直流磁化的问题。 以下分析晶闸管承受最大反向
12、电压及输出电压和电流波形的情况。 以晶闸管 VT2为例。当 VT1导通时，晶闸管 VT2通过 VT1与 2个变压器二次绕组并联，所以 VT2承受的最大电压为 2 22U 。 当单相全波整流电路与单相全控桥式整流电路的触发角 相同时，对于电阻负载：（ 0 ）期间无晶闸管导通，输出电压为 0；（ ）期间，单相全波电路中 VT1 导通，单相全控桥电路中 VT1、 VT4导通，输出电压均与电源电压 u2相等； ( )期间，均无晶闸管导通，输出电压为 0； ( 2 )期间，单相全波电路中 VT2导通，单相全控桥电路中 VT2、 VT3导通，输出电压等于 u2。 对于电感负载：（ ）期间，单相全波电路中
13、VT1导通，单相全控桥电路中 VT1、 VT4 导通，输出电压均与电源电压 u2 相等；（ 2 ）期间，单相全波电路中 VT2导通，单相全控桥电路中 VT2、 VT3导通，输出波形等于 u2。 可见，两者的输出电压相同，加到同样的负载上时，则输出电流也相同。 3-3 单相桥式全控整流电路， U2 100V，负载中 R 2 ， L 值极大，当 30时，要求： 作出 ud、 id、和 i2的波形； 求整流输出平均电压 Ud、电流 Id，变压器二次电流有效值I2； 考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。 解： ud、 id、和 i2的波形如下图： u2O tO tO tudidi2O tId
14、Id输出平均电压 Ud、 电流 Id，变压器二次电流有效值 I2分别为 Ud 0.9 U2 cos 0.9 100 cos30 77.97（ V） Id Ud /R 77.97/2 38.99（ A） I2 Id 38.99（ A） 晶闸管承受的最大反向电压为： 2 U2 100 2 141.4（ V） 考虑安全裕量，晶闸管的额定电压为： UN（ 23） 141.4 283424（ V） 具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。 流过晶闸管的电流有效值为： IVT Id 2 27.57（ A） 晶闸管的额定电流为： IN（ 1.52） 27.57 1.57 2635（ A） 具体数值可按晶闸管产品
15、系列参数选取。 3-4单相桥式半控整流电路，电阻性负载，画出整流二极管在一周内承受的电压波形。 解：注意到二极管的特点：承受电压为正即导通。因此，二极管承受的电压不会出现正的部分。在电路中器件均不导通的阶段，交流电源电压由晶闸管平衡。 整流二极管在一周内承受的电压波形如下： 0 2 t t tu2uV D 2uV D 4003-5 单相桥式全控整流电路， U2=200V，负载中 R=2， L 值极大，反 电势 E=60V， 当 =45时，要求： 作出 ud、 id和 i2的波形； 求整流输出平均电压 Ud、电流 Id，变压器二次侧电流有效值 I2； 考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流
16、。 解： ud、 id和 i2的波形如下图： u2O tO tO tudidi2O tIdIdId 整流输出平均电压 Ud、电流 Id，变压器二次侧电流有效值 I2分别为 Ud 0.9 U2 cos 0.9 200 cos45 127.3(A) Id (Ud E)/R (127.3 60)/2 33.65(A) I2 Id 33.65(A) 闸管承受的最大反向电压为： 2 U2 200 2 282.8（ V） 流过每个晶闸管的电流的有效值为： IVT Id 2 238.6（ A） 故晶闸管的额定电压为： UN (23) 282.8 566848（ V） 晶闸管的额定电流为： IN (1.52)
17、 23.86 1.57 22.830.14（ A） 晶闸管额定电压和电流的具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。 3-6. 晶闸管串联的单相半控桥（桥中 VT1、 VT2为晶闸管），电路如图 2-11 所示， U2=100V，电阻电感负载， R=2， L 值很大，当 =60时求流过器件电流的有效值，并作出 ud、 id、 iVT、 iD的波形。 解： ud、 id、 iVT、 iD 的波形如下图： u2O tO tO tudidO tO tIdIdIdiV T 1iV D 2 负载电压的平均值为：2 )3/c o s (19.0)(ds i n21 23 2d UttUU67.5（ V） 负载电
18、流的平均值为： Id Ud R 67.52 2 33.75（ A） 流过晶闸管 VT1、 VT2的电流有效值为： IVT31Id 19.49（ A） 流过二极管 VD3、 VD4的电流有效值为： IVD 32 Id 27.56（ A） 3-7. 在三相半波整流电路中，如果 a 相的触发脉冲消失，试绘出在电阻性负载和电感性负载下整流电压 ud的波形。 解：假设 0 ，当负载为电阻时， ud的波形如下： u d u a u b u cO tu d u a u b u cO t当负载为电感时， ud的波形如下： u d u a u b u cO tu d u a u b u cO t3- 8 三相半
19、波整流电路，可以将整流变压器的二次绕组分为两段成为曲折接法，每段的电动势相同，其分段布置及其矢量如图 2-60 所示，此时线圈的绕组增加了一些，铜的用料约增加 10%，问变压器铁心是否被直流磁化，为什么？ a1A B CNnNABCn图 2 - 6 0b1c1a2b2c2 a1b1c1a2b2c2图 2-60 变压器二次绕组的曲折接法及其矢量图 答：变压器铁心不会被直流磁化。原因如下：变压器二次绕组在一个周期内：当 a1c2 对应的晶闸管导通时， a1 的电流向下流， c2 的电流向上流；当 c1b2对应的晶闸管导通时， c1的电流向下流， b2的电流向上流；当 b1a2对应的晶闸管导通时，
20、b1的电流向下流， a2的电流向上流；就变压器的一次绕组而言，每一周期中有两段时间（各为 120）由电流流过，流过的电流大小相等而方向相反，故一周期内流过的电流平均值为零 ，所以变压器铁心不会被直流磁化。 3-9三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法， a、 b 两相的自然换相点是同一点吗？如果不是，它们在相位上差多少度？ 答：三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法， a、 b 两相之间换相的的自然换相点不是同一点。它们在相位上相差 180。 3- 10 有两组三相半波可控整流电路，一组是共阴极接法，一组是共阳极接法，如果它们的触发 角都是 ， 那末共阴极组的触发脉冲与共阳极组的触发脉冲对
21、同一相来说，例如都是 a 相，在相位上差多少度 ？ 答：相差 180 。 3- 11 三相半波可控整流电路， U2=100V，带电阻电感负载， R=5， L 值极大，当 =60时，要求： 画出 ud、 id 和 iVT1 的波形；计算Ud、 Id、 IdT和 IVT。 解： ud、 id和 iVT1的波形如下图：uduaubucidO tO tO tiVT1 = 3 0 u 2uaubucO t Ud、 Id、 IdT 和 IVT 分别如下 Ud 1.17U2cos 1.17 100 cos60 58.5（ V） Id Ud R 58.5 5 11.7（ A） IdVT Id 3 11.7 3
22、 3.9（ A） IVT Id 3 6.755（ A） 3-12 在三相桥式全控整流电路中，电阻负载，如果有一个晶闸管不能导通，此时的整流电压 ud波形如何？如果有一个晶闸管被击穿而短路，其他晶闸管受什么影响？ 答：假设 VT1不能导通，整流电压 ud波形如下： u dO t假设 VT1被击穿而短路，则当晶闸管 VT3或 VT5导通时，将发生电源相间短路，使得 VT3、 VT5也可能分别被击穿。 3- 13 三相桥式全控整流电路， U2=100V，带电阻电感负载， R=5， L 值极大，当 =60时，要求： 画出 ud、 id和 iVT1的波形； 计算 Ud、 Id、 IdT和 IVT。 解：
23、 ud、 id和 iVT1的波形如下： = 6 0 u2uduabuacubcubaucaucbuabuacua ubucO t t1O tid tO tOiVT1 Ud、 Id、 IdT 和 IVT 分别如下 Ud 2.34U2cos 2.34 100 cos60 117（ V） Id Ud R 117 5 23.4（ A） IDVT Id 3 23.4 3 7.8（ A） IVT Id 3 23.4 3 13.51（ A） 3-14 单相全控桥，反电动势阻感负载， R=1， L= ， E=40V，U2=100V， LB=0.5mH，当 =60时求 Ud、 Id 与 的数值，并画出整流电压
24、ud的波形。 解：考虑 LB时，有： Ud 0.9U2cos Ud Ud 2XBId Id（ Ud E） R 解方程组得： Ud（ R 0.9U2cos 2XBE）（ R 2XB） 44.55（ V） Ud 0.455（ V） Id 4.55（ A） 又 cos )cos( 2 BdXI U2 即得出 )60cos( =0.4798 换流重叠角 61.33 60 =1.33 最后，作出整流电压 Ud的波形如下： O tO tudu 23-15 三相半波可控整流电路，反电动势阻感负载， U2=100V，R=1， L= ， LB=1mH，求当 =30时、 E=50V时 Ud、 Id、 的值并作出
25、ud与 iVT1和 iVT2的波形。 解：考虑 LB时，有： Ud 1.17U2cos Ud Ud 3XBId 2 Id（ Ud E） R 解方程组得： Ud（ R 1.17U2cos 3XBE）（ 2 R 3XB） 94.63（ V） Ud 6.7（ V） Id 44.63（ A） 又 cos )cos( 2 BdXI 6 U2 即得出 )30cos( =0.752 换流重叠角 41.28 30 =11.28 ud、 iVT1和 iVT2的波形如下： udiV T 1 tO tOIduaubuciV T 2 tOIdOuaubucu23-16 三相桥式不可控整流电路，阻感负载， R=5， L
26、= ，U2=220V， XB=0.3，求 Ud、 Id、 IVD、 I2和 的值并作出 ud、 iVD和 i2的波形。 解：三相桥式不可控整流电路相当于三相桥式可控整流电路 0时的情况。 Ud 2.34U2cos Ud Ud 3XBId Id Ud R 解方程组得： Ud 2.34U2cos （ 1 3XB/ R） 486.9（ V） Id 97.38（ A） 又 cos )cos( 2 BdXI 6 U2 即得出 cos =0.892 换流重叠角 26.93 二极管电流和变压器二次测电流的有效值分别为 IVD Id 3 97.38 3 32.46（ A） I2a32Id 79.51（ A）
27、ud、 iVD1和 i2a的波形如下： u2udiV D 1 tO tO tO tOuaubuc t1uabuacubcubaucaucbuabuac i2a IdId3-17 三相全控桥，反电动势阻感负载， E=200V， R=1， L= ，U2=220V， =60，当 LB=0 和 LB=1mH 情况下分别求 Ud、 Id的值，后者还应求 并分别作出 ud与 iT的波形。 解： 当 LB 0时： Ud 2.34U2cos 2.34 220 cos60 257.4（ V） Id（ Ud E） R（ 257.4 200） 1 57.4（ A） 当 LB 1mH 时 Ud 2.34U2cos U
28、d Ud 3XBId Id（ Ud E） R 解方程组得： Ud（ 2.34 U2R cos 3XBE）（ R 3XB） 244.15（ V） Id 44.15（ A） Ud 13.25（ V） 又 cos )cos( 2XBId 6 U2 )60cos( 0.4485 63.35 60 3.35 ud、 IVT1和 IVT2的波形如下： u2udiV T 1 tO tO tOuaubucuabuacubcubaucaucbuabuac IdiV T 2 tOId3-18 单相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有哪些次数的谐波？其中幅值最大的是哪一次？变压器二次侧电流中含有哪些次数的谐波？其
29、中主要的是哪几次？ 答：单相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有 2k（ k=1、 2、 3 ）次谐波，其中幅值最大的是 2次谐波。变压器二次侧电流中含有 2k1（ k 1、 2、 3 ）次即奇次谐波，其中主要的有 3 次、 5 次谐波。 3-19 三相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有哪些次数的谐波？其中幅值最大的是哪一次？变压器二次侧电流中含有哪些次数的谐波？其中主要的是哪几次？ 答：三相桥式全控整 流电路的整流输出电压中含有 6k（ k 1、 2、 3 ）次的谐波，其中幅值最大的是 6 次谐波。变压器二次侧电流中含有6k1(k=1、 2、 3 )次的谐波，其中主要的是 5、 7 次
30、谐波。 3-20 试计算第 3题中 i2的 3、 5、 7 次谐波分量的有效值 I23、 I25、I27。 解：在第 3 题中已知电路为单相全控桥，其输出电流平均值为 Id 38.99（ A） 于是可得： I23 2 2 Id 3 2 2 38.99 3 11.7（ A） I25 2 2 Id 5 2 2 38.99 5 7.02（ A） I27 2 2 Id 7 2 2 38.99 7 5.01（ A） 3-21 试计算第 13 题中 i2的 5、 7 次谐波分量的有效值 I25、 I27。 解：第 13 题中，电路为三相桥式全控整流电路，且已知 Id 23.4（ A） 由此可计算出 5 次
31、和 7 次谐波分量的有效值为： I25 6 Id 5 6 23.4 5 3.65（ A） I27 6 Id 7 6 23.4 7 2.61（ A） 3-22 试分别计算第 3 题和第 13 题电路的输入功率因数。 解：第 3 题中基波电流的有效值为： I1 2 2 Id 2 2 38.99 35.1（ A） 基波因数为 I1 I I1 Id 35.1 38.99 0.9 电路的输入功率因数为： cos 0.9 cos30 0.78 第 13 题中基波电流的有效值： I1 6 Id 6 23.39 18.243（ A） 基波因数为 I1 I I1 Id 0.955 电路的输入功率因数为： cos
32、 0.955 cos60 0.48 3-23 带平衡电抗器的双反星形可控整流电路与三相桥式全控整流电路相比有何主要异同？ 答：带平衡电抗器的双反星形可控整流电路与三相桥式全控整流电路相比有以下异同点： 三相桥式电路是两组三相半波电路串联，而双反星形电路是两组三相半波电路并联，且后者需要用平衡电抗器； 当变压器二次电压有效值 U2相等时，双反星形电路的整流电压平均值 Ud是三相桥式电路的 1/2，而整流电流平均值 Id是三相桥式电路的 2 倍。 在两种电路中，晶闸管的导通及触发脉冲的分配关系是一样的，整流电压 ud和整流电流 id的波形形状一样。 3-24 整流电路多重化的主要目的是什么？ 答：
33、整流电路多重化的目的主要包括两个方面，一是可以使装置总体的功率容量大，二是能够减少整流装置所产生的谐波和无功功率对电网的干扰。 3-25 12 脉波、 24 脉波整流电路的整流输出电压和交流输入电流中各含哪些次数的谐波？ 答： 12 脉波电路整流电路的交流输入电流中含有 11 次、 13 次、 23 次、 25 次等即 12k1、（ k=1， 2， 3）次谐波，整流输出电压中含有 12、 24 等即 12k（ k=1， 2， 3）次谐波。 24 脉波整流电路的交流输入电流中含有 23 次、 25 次、 47 次、 49次等，即 24k1（ k=1， 2， 3）次谐波，整流输出电压中含有 24、
34、48 等即 24k（ k=1， 2， 3）次谐波。 3-26使变流器工作于有源逆变状态的条件是什么？ 答：条件有二： 直流侧 要有电动势，其极性须和晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流电路直流侧的平均电压； 要求晶闸管的控制角 /2，使 Ud为负值。 3-27三相全控桥变流器，反电动势阻感负载， R=1， L= ，U2=220V， LB=1mH，当 EM=-400V， =60时求 Ud、 Id与 的值，此时送回电网的有功功率是多少？ 解：由题意可列出如下 3 个等式： Ud 2.34U2cos( ) Ud Ud 3XBId Id（ Ud EM） R 三式联立求解，得 Ud 2.34 U2R c
35、os( ) 3XBEM ( R 3XB) 290.3（ V） Id 109.7（ A） 由下式可计算换流重叠角： cos )cos( 2XBId 6 U2 0.1279 )120cos( 0.6279 128.90 120 8.90 送回电网的有功功率为 P= RIIE ddM 2| =400 109.7-109.72 109.7 1=31.85(W) 3-28 单相全控桥，反电动势阻感负载， R=1， L= ， U2=100V，L=0.5mH，当 EM=-99V， =60时求 Ud、 Id和 的值。 解： 由题意可列出如下 3 个等式： Ud 0.9U2cos( - ) Ud Ud 2XBI
36、d Id（ Ud EM） R 三式联立求解，得 Ud R 0.9U2cos( - ) 2XBEM（ R 2XB） 49.91（ V） Id 49.09（ A） 又 cos )cos( 2 BdXI U2=0.2181 即得出 )120cos( =-0.7181 换流重叠角 135.9 120 =15.9 3-29什么是逆变失败？如何防止逆变失败？ 答：逆变运行时，一旦发生换流失败，外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路，或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联，由于逆变电路内阻很小，形成很大的短路电流，称为逆变失败或逆变颠覆。 防止逆变失败的方法有：采用精确可靠的触发电路，使用性能
37、良好的晶闸管，保证交流电源的质量，留出充足的换向裕量角 等。 3-30 单相桥式全控整流电路、三相桥式全控整流电路中，当负载分别为电阻负载或电感负载时，要求的晶闸管移相范围分别是多少？ 答：单相桥式全控整流电路，当负载为电阻 负载时，要求的晶闸管移相范围是 0 180， 当负载为电感负载时，要求的晶闸管移相范围是 0 90。 三相桥式全控整流电路，当负载为电阻负载时，要求的晶闸管移相范围是 0 120， 当负载为电感负载时，要求的晶闸管移相范围是 0 90。 第四章 4-l 无源逆变电路和有源逆变电路有何不同？ 答：两种电路的不同主要是：有源逆变电路的交流侧接电网即交流侧接有电源。而无源逆变电
38、路的交流侧直接和负载联接。 4-2 换流方式各有那儿种？各有什么特点？ 答：换流方式有 4种： 器件换流：利用全控器件的自关断能力进行换流。全控型器件采用此换流方式。 电网换流：由电网提供换流电压，只要把负的电网电压加在欲换流的器件上即可。 负载换流：由负载提供换流电压，当负载为电容性负载即负载电流超前于负载电压时，可实现负载换流。 强迫换流：设置附加换流电路，给欲关断的晶闸管强追施加反向电压换流称为强迫换流。通常是利用附加电容上的能量实现，也称电容换流。 晶闸管电路不能采用器件换流 ,根据电路形式的不同采用电网换流、负载换流和强迫换流 3种方式。 4-3 什么是电压型逆变电路？什么是电流型逆
39、变电路？二者各有什么特点？ 答：按照逆变电路直流测电源性质分类，直流侧是电压源的称为逆变电路称为电压型逆变电路，直流侧是电流源的逆变电路称为电流型逆变电路电压型逆变电路的主要持点是： 直流侧为电压源或并联有大电容，相当于电压源。直流侧电压基本无脉动，直流回路呈现低阻抗。由于直流电压源的钳位作用，交流侧输出电压波形为矩形波，并且与负载阻抗角无关。而交流侧输出电流波形和相位因负载阻抗情况的不同而不同。当交流侧为阻感负载时需要提供无功功率，直流侧电容起缓冲无功能量的作用。 为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道，逆变桥各臂都并联了反馈二极管。 电流型逆变电路的主要特点是：直流侧串联有大电感，相当
40、于电流源。直流侧电流基本无脉动，直流回路呈现高阻抗。电路中开关器件的作用仅是改变直流电流的流通路径，因此交流侧输出电流为矩形波，并且与负载阻抗角无关。而交流侧输出电压波形和相位则因负载阻抗情况的不同而不同。当交流侧为阻感负载时需要提供无功功率，直流测电惑起缓冲无功能量的作用。因为反馈无功能量时直流电流并不反向，因此不必像电压型逆变电路那样要给开关器件反并联二极管。 4-4 电压型逆变电路中反馈二极管的作用是什么？为什么电流型逆变电路中没有反馈二极管？ 答 :在电压型逆变电路中 ,当交流侧为阻感负载时需要提供无功功率 ,直流侧电容起 缓冲无功能量的作用。为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道
41、 ,逆变桥各臂都并联了反馈二极管。当输出交流电压和电流的极性相同时 ,电流经电路中的可控开关器件流通，而当输出电压电流极性相反时 ,由反馈二极管提供电流通道。 4-5 三相桥式电压型逆变电路， 180导电方式， Ud=100V 。试求输出相电压的基波幅值 UUN1m 和有效值 UUN1输出线电压的基波幅值 UUV1m和有效值 UUV1输出线电压中 5次谐波的有效值 UUV5 。 解： )(7.63637.021 VUUU ddmUN )(4545.0211 VUUU dmUNUN )(1101.1321 VUUU ddmUV )(7878.062 11 VUUUU ddmUVUV 并联谐振式逆
42、变电路利用负载电源进行变换 4-6.并联谐振式逆变电路利用负载电压进行换相 ,为保证换相应满足什么条件 ? 答 :要求负载电流超前于电压 ,因此补偿电容要使负载过补偿 ,使负载电路总体上工作在容性 ,并略大失谐的情况 . 答 ;假设在 t 时刻触发 VT2、 VT3使其导通 ,负载电压 u。就通过 VT2、VT3施加在 VTl、 VT4上 ,使其承受反向电压关断 ,电流从 VTl、 VT4向VT2、 VT3转移触发 VT2、 VT3时刻 /必须在 u。过零前并留有足够的裕量 ,才能使换流顺利完成。 4-7串联二极管式电流型逆变电路中 ,二极管的作用是什么 ?试分析换流过程。 答 :二极管的主要
43、作用 ,一是为换流电容器充电提供通道 ,并使换流电容的电压能够得以保持 ,为晶闸管换流做好准备 ;二是使换流电容的电压能够施加到换流过程中刚刚关断的晶闸管上 ,使晶闸管在关断之后能够承受一定时间的反向电压 ,确保晶闸管可靠关断，从而确保晶闸管换流成功。 以 VTl和 VT3之间的换流为例 ,串联二极管式电流型逆变电路的换流过程可简述如下 : 给 VT3施加触发脉冲 ,由于换流电容 C13电压的作用 ,使 VT3导通 而)(6.155785 15 VUU UVUV VTl 被施以反向电压而关断。直流电流 Id 从 VTl 换到 VT3上 ,C13通过VDl、 U 相负载、 W 相负载、 VD2、
44、 VT2、直流电源和 VT3放电 ,如图5-16b 所示。因放电电流恒为 /d,故称恒流放电阶段。在 C13电压 Uc13下降到零之前 ,VTl 一直承受反压 ,只要反压时间大于晶闸管关断时间rq，就能保证可靠关断。 Uc13降到零之后在 U 相负载电感的作用下 ,开始对 C13反向充电。如忽略负载冲电阻的压降 ,则在 Uc13=0时刻后 ,二极管 VD3受到正向偏置而导通 ,开始流过电流 ,两个二极管同时导通 ,进入二极管换流阶段 ,如图 5-16c 所示。随着 C13充电电压不断增高 ,充电电流逐渐减小 ,到某一时刻充电电流减到零 ,VDl 承受反压而关断 ,二极管换流阶段结束。之后 ,进
45、入 VT2、 VT3稳定导逗阶段 ,电流路径如图 5- 6d 所示。 4-8.逆变电路多重化的目的是什么 ?如何实现 ?串联多重和并联多重逆变电路备用于什么场合 ? 答 :逆变电路多重化的目的之一是使总体上装置的功率等级提高 ,二是可以改善输出电压的波形。因为无论是电压 型逆变电路输出的矩形电压波 ,还是电流型逆变电路输出的矩形电流波 ,都含有较多谐波 ,对负载有不利影响 ,采用多重逆变电路 ,可以把几个矩形波组合起来获得接近正弦波的波形。 逆变电路多重化就是把若干个逆变电路的输出按一定的相位差组合起来 ,使它们所含的某些主要谐波分量相互抵消 ,就可以得到较为接近正弦波的波形。组合方式有串联多重和并联多重两种方式。串联多重是把几个逆变电路的输出串联起来 ,并联多重是把几个逆变电路的输出并联起来。 串联多重逆变电路多用于电压型逆变电路的多重化。 并联多重逆变电路多用于电流型逆变电路 的多重化。 在电流型逆变电路中 ,直流电流极性是一定的 ,无功能量由直流侧电感来缓冲。当需要从交流侧向直流侧反馈无功能量时 ,电流并不反向 ,依然经电路中的可控开关器件流通 ,因此不需要并联反
