1、射频功率放大器调试调试的一般步骤：1、连接好系统，因为你的放大器有可能会自激，要注意的是做好仪器的保护，在仪器的输入输出都得加上衰减器，特别是功放输出接到一起输入之间要根据你的攻放可能输出的功率选择合适的衰减器；同时给 mos 管栅极供电的电源可以调节电压，给漏极供电的电源最好采用的有限流功能的；焊好功率管之前，可以先调节好 G 极的电压为 0 或很小，2、焊好功率管之后不要急着加电，一定仔细检查系统，注意测 G 极的电压的万用表最好使用指针式的，数字表的表笔可能电压比较高，特别对 cmos 管，把漏极电源的输出电流限在比较小的范围内；3、上电后注意你的仪器的频响波形及电源电流，逐渐调高栅极电
2、压，直至导通，导通后如果不存在自激现象，逐渐加大电压、逐渐放开漏极电源的输出电流，直到你设计的静态工作点电压；4、调试频响，如果功放采用分立元件匹配，可以适当改变电感电容的大小和位置，耐心调试可以调到你合理的指标要求；如果在较高频率使用，采用微带电路匹配，调试比较困难；5、频响调试好后，需要调试功放的线性指标，一般来说输出匹配电路对线性影响比较大，可以先不考虑频响的条件下改变输出匹配，以改善线性指标，待达到你需要的要求指标后，回到第四步，调试频响，不过这时不要改变输出的匹配的电路，来来回回调试几次我想可以达到你的要求的。频响可以先调到 2db 左右，后就可以把功率调出来，调功率的技巧和你功放的
3、频段有很大的关系，如果是ku 的可以推到饱和调，功率够了，最后在在前级调最后的平坦度，一搬不会影响压缩点功率的！还有就是在调试的时候不要加太大电容来调 我上次调 BLF147 的时候用个 220U 的结果自激励 把芯片烧了一般 800-900M 可加 10P 以下的电容，而 WCDMA 的则要加 1P 以下的我都调了三年了，现在想想，都是从理论出来了无非都是改变推动级和末级阻抗的问题就是在某个地方是加大电容容量还是减小电容容量还有移动电容的位置，位置很重要首先要对硬件电路的原理理解，如果是仿真过的电路，实际中把原件参数在设计的范围上下进行修改测试还有就是 PA 的工作点的选择和输入输出的阻抗匹
4、配。调出来了,没啥规律,就用电容去调,很简单啊,嘿嘿LDMOS 是一种横向功率器件， 从工艺上它首先不同于 CMOS； 其次它主要为驱动设计， 一般可以承受高压和大电流。砷化镓 GaAs Gallium arsenide。 是- 族元素化合的化合物，黑灰色固体，熔点 1238 。它在 600 以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半 导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能级杂质、电子有效 质量小，能带结构特殊，可作磊晶片。 由于传送讯号的射频元件需要工作频率高、低功率消耗、低杂讯等特 色，而砷化镓本身具有光电特性与高速，因此砷化镓多用於光电元件和高 频通讯用元件。砷化镓可应用在 WLAN、WLL、光纤通讯、卫星通讯、LMDS、VSAT 等微波通讯上不过，砷化镓材料成本较高，使用的制程设备也与一 般 IC 业者常用的矽制程设备不同。
