1、电容-电压测量技术、技巧与陷阱(上)在“半导体 C-V 测量基本原理(存档视频：http:/ 电容-电压 (C-V)测试长期以来被用于判断多种不同器件和结构的各种半导体参数，适用范围包括 MOSCAP、MOSFET、双极结型晶体管和 JFET、III-V 族化合物器件、光伏(太阳能)电池、MEMS 器件、有机薄膜晶体管 (TFT)显示器、光电二极管和碳纳米管等等。研发实验室广泛利用 C-V 测量技术评测新材料、工艺、器件和电路。负责产品和良率增强的工程技术人员利用它们优化工艺和器件性能。可靠性工程师利用这类测量技术对供货商的材料进行资格检验，监测工艺参数，分析失效机理。毋庸置疑，它们是半导体特
2、征分析与测试的基础。 本文讨论如何针对特定的应用选择最合适类型的 C-V 测量仪器，并探讨某些 C-V 测试的典型功能和参数提取限制、连接探针台以及校正探针尖的技巧。半导体 C-V 测试目前可以采用三种不同的电容测量技术：常用的交流阻抗电容计、准静态电容测量以及射频技术(采用矢量网络分析仪和射频探测器)。下面简要介绍每一种电容测量技术。 交流阻抗电容计 交流阻抗表，也称为 LCR 表(电感 L、电容 C、电阻 R)，它利用一个自动平衡电桥保持电容的检测端交流假接地，从而测量复阻抗。 这类电表的通常频率范围为 1kHz 到 10MHz，其工作原理(图 1)相对简单。它通过在高电流输出端(HCUR
3、) 施加一个交流电压来测量交流阻抗。通过低电流端(LCUR)测量流过器件的电流，通过高低电位端(HPOT 和 LPOT)测量器件上的电压降。电压和电流的测量采用了能精确判断二者之间相位角的锁相方式。通过测量幅值和相位角，就可以计算出任意所需的交流阻抗参数。 图 1：交流阻抗表。图 2：基本的交流阻抗参数。Z、 阻抗与相位角 R+jX 电阻与电抗 Cp-Gp 并联电容和电导=相位角 Cs-Rs 串联电容和电阻 Cp-D 并联电容和耗散因子 Cs-D 串联电容和耗散因子 为要得到基本交流阻抗参数就必须测量阻抗的幅值(在图 2 中表示为“Z”)，此外还需要测量电流和电压之间的相位角() 。因此，在极
4、坐标方式下，这一阻抗就是相角为 的 Z。还可以从数学上将其转化为直角坐标的形式，即表示为 R+jX，其中 R 是实数部分，即同相阻抗矢量；jX 是虚数部分，即相位阻抗矢量偏转 90，它也是电容矢量。我们甚至可以从数学上将极坐标和直角坐标形式转化为实际的电容和电阻值。 有两种常用的交流阻抗模型：并联模型和串联模型。在并联模型中，结果表示为并联电容(Cp)和并联电导(Gp)。在串联模型中，结果表示为串联电容(Cs)和串联电阻(Rs) 。耗散因子(D)，即实阻抗与虚阻抗的比值，是从数学上推导出的另外一个常用参数。当测量晶圆上的电容时，我们通常要看耗散因子，因为它是判断最终 C-V 测量质量的最佳指标
5、。无论采用哪种交流阻抗模型，耗散因子都很容易计算出来。 基于数字源表的准静态电容测量 在准静态电容测量中，我们通过测量电流和电荷来计算电容值。这种“斜率” 方法使用简单，但是它的频率范围有限(110Hz)，因而只能用于一些特殊情况。 斜率测量方法只需要使用两台数字源表(SMU)。通过第一台 SMU 将一个恒定电流加载到待测器件(DUT)的一个节点上。这台 SMU 还负责测量该节点上的电压和时间。与此同时，第二台 SMU 测量 DUT 另一个节点输出的电流，然后可以利用下列公式计算出电容： I=C*dV/dt 或者 C=I/(dV/dt) 这种方法通常可用于测量大小为 100400pF 斜率为
6、0.11V/S 的电容。 利用射频技术测量电容 传输线的电容测量通常采用射频技术，其中利用矢量网络分析仪测量散射参数(S 参数)，即入射波的反射和传输系数。尽管射频 C-V 测量问题已超出本文的范围，笔者还是给出了一些有关这类测量技术的相关参考资料123。 C-V 测量方法与应用的匹配 交流阻抗技术是最常用的电容测量技术，最适合于一般的低功率门电路，也适用于大多数测试结构和大多数探针，其优势在于所需的设备相对便宜，大多数电子实验室都可以直接找到。但是，它也有一些缺点，例如它的校正方法不如射频测量中使用的校正方法那样精确。另外一个明显的缺点是要求交流阻抗的测试频率必须接近 DUT 的工作频率，否
7、则必须内插一些测量结果。 图 3：准静态 C-V“斜率 ”测量方法。尽管准静态 C-V 是最所有测量方法中成本最低，只使用一对 SMU，但是它适用的范围有限，包括低漏流高 k 材料、有机器件或显示器领域。不幸的是，在准静态 C-V 测量中，测量误差很容易破坏测量结果，尤其对于具有少量漏流器件的特征分析是不准确的。 射频 C-V 测量是超薄栅、漏电电介质特征分析的最佳选择，它还适用于射频器件的建模。射频探针的矫正方法很容易理解和实现。射频方法的不足之处在于它需要非常昂贵的设备、测试结构和射频探针。此外，它只适用于特征阻抗为 50 欧姆左右的传输线。如果器件阻抗并不是十分接近 50 欧姆，这种方法
8、就不准确了。对于某些应用和用户而言，射频测量的配置和分析过程可能太复杂，在这些情况下，经典的交流阻抗测量方法可能更适合。 C-V 参数提取的局限性 在探讨 C-V 测试系统的配置方法之前，了解半导体 C-V 测量技术的局限性很重要。这些限制有：电容从10fF 到 1uF 法；电阻从0.1 欧姆到 100M 欧姆；小电感从1nH 到 10mH。 栅介质：可以提取的等价栅氧厚度范围从不到 10 纳米到几百纳米；可以检测出的电介质玷污浓度从每平方厘米 5e9 个离子到约 1e13 个离子，界面阱范围从约 1e10/cm2 到 1e13/cm2 电荷左右( 取决于器件结构)。现代仪器和探针台的超低电容
9、测量功能能够测量更厚的叠层电介质。 MOS 掺杂：可以提取 MOSFET 的掺杂分布情况，灵敏度范围从约 1e14/cm3 到 1e18/cm3，掺杂深度从 0.01m到 10m。少数载流子寿命从 1s到 10ms，可从 C-V 测量中测得 10s的寿命时间。 PN 和肖特基结掺杂：可在 0.1m到 100m的深度范围内测出约 1e13/cm3 到 1e18/cm3 的二极管载流子浓度。 FET 和 BJT 建模参数：除了测量器件和材料特性之外，C-V 测试还可进行直接测量用于构建 FET 和 BJT 晶体管中的参数。 特别要注意很多因素都会影响这些参数提取范围，例如最大电压值、器件尺寸和栅氧
10、厚度。幸运的是，有很多文献能帮助广大研究人员和工程师判断所需的测量范围是否与现在的C-V 测量技术很好地匹配456。 连接与校正 尽管很多 C-V 测量技术本身相对简单，但是以一种能够确保测量质量的方式实现 C-V 测试仪与探针台的连接却不是那么简单。目前探针台使用的机械手和探针卡多种多样，当试图在一个探针台上同时支持 I-V、C-V 和脉冲式或超快 I-V 测量时，它们就会带来一些实际的问题。当进行 I-V、C-V 或超快 I-V 测量时，测量结果的质量与线缆的品质和所采用的探针台配置直接相关。 直流 I-V 测量最好采用低噪声同轴线缆和远程探测线。 C-V 测量需要使用具有远程探测线的同轴
11、线缆，而且线缆长度要控制的非常精确。超快 I-V 测试需要 50 欧姆的同轴线缆，但是远程探测线却给超快 I-V 测试带来了阻抗失配的问题。射频 C-V 测量需要使用特殊的射频线缆和“地- 信号- 地”结构的探针以及校准基座。但不幸的是，这些接线方法与其它方法都不兼容。 通过吉时利实验室中的实验，我们选择了 American Probe Wiley-IEEE Press, 2006. 5 E.H. Nicollian and J.R. Brews, MOS Physics and Technology, 1st edition, New York; Wiley-Interscience, 19
12、82. 6 S.M. Sze and K.K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, 3rd edition, New York: Wiley-Interscience, 2006.电容-电压测量技术、技巧与陷阱(下) 作者：Lee Stauffer 高级工程师 吉时利仪器公司 刊登在上一期的电容-电压(C-V)测量技术与技巧( 上) ，讨论了如何针对特定的应用选择最合适类型的C-V测量仪器，并探讨某些C-V测试的典型功能和参数提取限制、连接探针台以及校正探针尖的技巧。这里将探讨识别和校正典型C-V测试误差的方法。 常见C-V测量误差 偏移和增益误差(如图
13、7所示)是C-V测量中最常见的误差。X轴以对数标度的方式给出了电容的真实值，大小范围从皮法到纳法。Y轴表示系统实际测量的值，包含测量误差。如果测量系统是理想的，那么所测出的值将与真实值完全匹配，可以画成一条具有45度角的直线，如图7中黑色的线所示。实际上，增益和偏移误差(蓝线和红线) 总会存在因此必须进行校正。 图7. 电容测量中的增益和偏移误差 由于坐标轴是对数形式的，所以蓝线所示的偏移误差就表示小电容上的小误差以及大电容上的大误差。由于偏移误差变化大，校正这种误差必须注意两个方面。当测量很小的电容(10pF)，即大阻抗时，最好的校正方法是 “开路校正”。当测量较大的电容(高达10nF)，即
14、小阻抗时，最好采用“短路校正”。图7 中还给出了增益误差，以红线所示。增益误差的变化取决于所测电容的大小， 它们相比偏移误差更难以校正。“ 负载校正” 是校正增益误差的一种方法。进行负载校正时需要连接一个已知的标准负载壁并测量它，然后计算比值使得测量的值与已知的负载相匹配。负载校正的局限性在于，当负载大小接近于待测器件时， 它的效果最好。例如，如果想测量10MHz 下的一个 5pF 电容，这表示负载约为3 千欧姆，那么校正这一测量就需要找到3 千欧姆的标准负载。如果待测器件的尺寸变化很大(通常就是如此)，这样做就不切实际了，因此负载校正方法实际上不适用于一般的实验室应用。图8：交流阻抗测试系统
15、的简化模型、 开路、短路和负载校正实际上是在干什么？图8 给出了一个交流阻抗测试系统的简化模型，其中添加了集总元件表示开路、短路和负载误差项。测量系统的所有组成部分所有线缆、所有探针和所有卡盘已集总在一起，表示为Z 开路( 开路阻抗误差)、Z 短路( 短路电路阻抗误差)和Z 负载(负载校正组件) 。在这个测试系统上进行校正的第一步是在探针之间形成短路，通常做法是将两个探针头放在同一个接触点(pad)上，然后用电容计测量电容值，并将其保存为剩余短路阻抗。第二步是抬起探针，使其保持在接近测量实际器件时应有的方向，然后电容计测量电容值，将其保存为剩余开路阻抗。如果需要，可以在探针之间加一个已知的阻抗
16、负载，用电容计测量其值，将其保存为负载校正。下面的公式用于在测量中应用这些校正。 其中，Zfinal为最终经过校正的测量阻抗，Zm为测得的阻抗，Load ratio为测得的负载校正，Zs为测得的短路校正，Zo为测得的开路校正。 Zfinal是根据这一公式应用这些校正所得到的最终结果。如果校正值关闭，它就会进入缺省状态，使其对这一公式不可见。值得注意的是，如果这些校正实现的不正确，它们将使得最终的测量值不如完全不进行校正那样正确。幸运的是，为提高易用性，当前大多数交流阻抗表都已内置了开路、短路和负载校正以及相应的计算公式。 线缆长度补偿是一种经常被忽视的校正技术。它是针对仪器厂商提供的某些特殊线
17、缆进行相位偏移校正的。交流信号沿着线缆传输需要一定的时间，其在测量结果上产生的相位偏移正比于线缆长度和传输延迟。请注意，交流阻抗表测量的实际上是阻抗和相位，因此线缆导致的任何相位偏移都表现为测量中的直接误差。大多数交流阻抗表都支持对一组预定的线缆长度选择补偿，比如0米、1.5米或3米。 随着测试频率的增大，C-V测量对相位误差越来越敏感，尤其是当频率高于1MHz时。不同的开关矩阵、探针台线缆和探针都具有不同的路径长度，我们必须考虑这一因素并进行校正。不同的线缆还具有不同的传输延迟，因此有不同的相位误差。随便选择现有的同轴线缆不是明智之举，因为它可能与厂商电容计预定的传输延迟不匹配。幸运的是，某
18、些新型的C-V表，例如吉时利的4210-CVU ，能测量并调节相位误差，针对不同的线缆系统和不同的路径长度进行补偿。 某些探针台的卡盘本身带有很长的连接探针台的线缆，它们可能与连接机械手的线缆类型不匹配，这会给基于卡盘的测量带来问题。如果可能，解决办法是采用双顶面接触。如果不可行，就要尽量使得连接卡盘的线缆与连接机械手的线缆相互匹配。大多数交流阻抗表最好采用带一组开氏线缆的，一条用于加力，一条用于检测，但有时候在系统中同时采用两种线缆是不切实际的。这时，可以用T型连接方式把开氏引线连接在一起，只用一条线连接器件。这种方式会带来增益误差，尤其是对大电容。 卡盘本身就是一个非常沉重、复杂的负载，会
19、影响测量精度。将交流阻抗表的交流激励端(通常称为高电流端)与卡盘相连，将电流探测端(通常称为低电流端) 与机械手相连，可以得到最好的结果。 不同的线缆类型和线缆阻抗也会带来问题，例如某些C-V表是100欧姆的系统，而某些C-V表是50欧姆的系统。通常我们最好选用交流电表厂商推荐的线缆。开关矩阵会产生很长的，有时候甚至是无法控制的阻抗路径。降低测试频率一般可以改善基于开关矩阵的测量效果。探针会增大与测量串联的接触电阻，可以采用短路校正的方法对其进行补偿。表1汇总了典型的C-V测量误差源，并给出了相应的校正处理建议。表1：典型的C-V测量误差源以及校正处理建议。 本文小结 半导体 C-V 测量的精确性取决于高精度的测试仪器、精心设计的布线结构以及对这些底层测量原理的准确理解。在掌握这些方面之后，就可以设计出能够满足测试应用需求的硬件和布线结构。
