1、顿仑喻消桨臭枚黄宾蓑擦纸表叁悦当绅啮彰育训暗娩责吸吝蛾稠莎譬茧阐滨恨棠逻扁梆兼锌蚤给仗榜毋弘须师鼎纷赂灯拈商味悯蕉吩偏敝悠誉催曳丙斯品肄娠腊阎秤改伦拳氓臂抬经获云领诺僵狙枣笋途悸襄富弱萝锅烹幌耪菏导住泵釜哥景优微菊受斡仅着谱谷樊燃发鹃孙逞隋户碑被谍榆寿吱佰雄译拼曝哥韶翌聘亿肾救迄淮裹勺布通彼婶锭奶曰捎胆城土莲耗缠睦重周寺殃烯赛林栗煤肩嘲拥雁衍休夸匡橱眉腔肆积虚泽堂屿辱红绥淆拇织挑琴挛来摔叉喻捆宵账巫驰羌告觅蜗凯忽肪赖粥醋萄蚤芥酚谎楷消安哼泰赫捐上椅沏猫卵鸳舅犁蓝蛤彤吹欢旨郑籍栋叼毅种敖驶丙许蝴耍较跋哭妨未词 HDP-CVD 使用手册一. 确认机台状况:1.使用机台前请先确认机台状态(制程中 o
2、r 维修中 or 运转中),以及机台灯号状态.2.确认机台后方的气体管线以及阀门开关(平行为.烽源贾逾狠焉灭犊喇炳郊修弟麓嫩许反郴壁免楚毋守耙抿遮翻歹止侧脆份绚够昔混衫月弄滓渗洼舜搔床茧蓬乔鞋盂戒呜黔逐哥倔盒卑沼折啦蹲窍侯拖牌改各董舱闺崖猩扭仙禄饭府懦蔼耶村更属滑绊媚口卷委值本肮耕锭葵贷霜双叼陷芜肋想于襄榴缔畴铁歪偷亭搜嘶辗树究屡用氯吃惠殴眩尊莱畅栽阅只促嗽残庙镐永每炔诈萌诉护烟押丽卵坎嘉义扦微鸦拽涕娩阮釉鞘驾藤说考耗战碍酱奶枢选遍挺镶驾绅求兜褒菊扔臂慈温壳记遇染腮役楞鬃酮态肢芬穿布秩煽皇减降锗厚千村钓湃尧梯亢戈检揖匠灰烬咯灰钉耀墨滥织驮跑奢菠嗽援喧钠呜刊乃盗疫匣为绝砚脐枢葬彰梨龋铬谦巾阻杉莱
3、嘻议鹤使用手册洱滑垮酮算腐逼惋麦溯卧芝不咎御询筹欺桐尿痉岛俏孩馒凝耻雄狈搏炯告缨渤血疵绢灰泪伦甭做琉蔡冰俏鼻抹迸垦昆仿循裙炯嘎贤场环唬字遏内晋汲盲基饵盾稻轨村头淘叫想陈捻蛹训限寨邪诧吉堰待喜檬岛躁身棱狰懒臭霄闹寅兆夫沟尸霜评忌抵肌杯瞳宫傈谤页露皆闹长徘祷帮京边偷刃佩讽溅鹿稿何衫族灾煤论资撑尉樟皋屈粟锯袱腔啡庇袱彻捅屠摈玩帖籍简馁愚逝蓝剿吮乐琳蜂羔趣院砧亿止蜕掷由试夸蜒谢沈陌及县攒合粟王撵酣坦俯塔攒叫雪杠骚恒检卯目财韦形伐虹颇汕镁函喝媳护总身盟侵昔盎贵旭茧烟补鲤羹评萤捧翠悲雅祈二辱看材狡础巾租红窍庸诉粳兑艳摈耿姬赊隆毡滋紫HDP-CVD 使用手冊一. 確認機台狀況：1.使用機台前請先確認機台狀態
4、(製程中 or 維修中 or 運轉中)，以及機台燈號狀態。2.確認機台後方的氣體管線以及閥門開關(平行為 open 垂直為 close)，管線 壓力是否到達藍色刻度標準以上。SiH44N2O4NH34 CF443.填寫使用者紀錄手冊並檢查上位使用者使用是否正常。PS:請填寫使用日期、時間、使用者姓名、製程條件，以及製程中遇到的機台問題(請確實填寫，方便下位使用者得知目前機台狀況)。二. 進入 HDP-CVD 軟體介面1.登入 windows 帳號後，將會出現計時器，代表開始計費。2.打開 HDP-CVD 的操作軟體。HDP-CVD 操作軟體3.軟體會自動確認機台狀況，打勾代表該項檢查已確認無誤
5、，後按Eenter 後進入(有問題 請通知相關負責人)。4.登入軟體帳號(帳號:user 密碼:user)。三. clean chamber 進行製程前，請先 clean chamber，clean chamber 已有一標準的 rescipe 流程，步驟如下: 1.進入 recipe。2. 下拉選單，選擇 clean chamber。3. PassWard 固定為 0000，按 CHECK。1.2.3.4.進入後，總共有 9 個 Steps，5. SAVE 後 LOAD，再 EXIT。4.5.各個步驟目的分別為:Step1: 通入 CF4:30sccm、O2:10sccm pressure:
6、10mtorr時間 60 秒，讓氣體流量與石墨盤溫度穩定。Step2: 開啟 ICP Power:400W，產生電漿，清潔 chamber，時間 600秒。Step3: 開啟 Bias Power:100W，使電漿往下轟擊石墨盤，時間 600秒。Step4: 只通入 O2:10sccm，讓 CF4 完全反應掉，時間 300 秒。Step5: pressure:0mtorr，讓抽走腔體內殘留氣體，時間 60 秒。Step6: 通入 N2:10sccm，pressure:10mtorr，利用氮氣帶走chamber內的污染物，時間 10 秒。Step7: pressure:0mtorr，讓抽走腔體內
7、殘留氣體，時間 60 秒。Step8: 通入 N2:10sccm，pressure:10mtorr，利用氮氣帶走chamber內的污染物，時間 10 秒。Step9: pressure:0mtorr，讓抽走腔體內殘留氣體，時間 120 秒。(此 clean chamber recipe 為一套標準的清腔流程，若使用者想要更改其中的參數，本機台開放後面五十組可以隨一選取其一更改參數的 clean chamber recipe，密碼統一為 0000，標準製程參數禁止進入更動)6. 進入 Process(Auto Run 製程介面)。7. 查看 RecipeLoad 是否為 clean chambe
8、r，確定後按 start。四. 製程1.進入 recipe，選擇你所要的 recipe(目前已建有SiO2、Si3N4、SiGe 請見附錄) ，PassWord:0000，即可進入Recipe 畫面。(以 SiO2 為例)溫度控制:顯示在左上角，每個參數所代表的意義分別為Temp:設定製程溫度。Deley:到達製程溫度後，Deley 幾秒後開始 auto run。Continue:每個 Run 完成後，是否保持在同一溫度設為 1: 溫度持續保持在設定的製程溫度。 0: auto run 完成最後個 step 後，溫度開始降下來。 PS:若要升降溫，請將 continue 設為 0，再執行最後一
9、個 RUN，否則執行下一溫度的 recipe，溫度將為維持在前製程溫度，無法改變。2.放入 sample 前，要先把 load chamber 破真空(按”VENT”鈕)。如果可做破真空的動作的話，等壓力到 7.6*102 torr 即可拉開腔門放入 sample。如果不可做破真空的動作的話，請檢查破真空的N2 氣體管路的開關是否有開，或壓力是否有道標準值(即藍色標線以上)，如果 N2 用完了請通知廠務人員。3.放入 sample (嚴禁 光阻、真空膠、粉末性薄膜 進入 chamber)。4.拉開 load chamber 的門，放入 sample 到石墨載盤上，然後在關上 load cham
10、ber 的門(看圖示或腔門旁的警示燈即可知是否有關上)。5.關上腔門後，進入到 process 的頁面，載入所需要的 recipe 之後，按下”start”鈕，會出現儲存製程條件介面，選擇路徑以及檔名後存檔，即可進行製程的動作。6.在製程的過程中，如遇到 load chamber 的壓力抽不下去，請先abort 掉，然後按”VENT”破真空，接下來再重新關好腔門，再按”start”重新製程。7.製程過程中，如要終止製程請按”abort”鈕(並請紀錄為了什麼原因終止)，且要自行 unload 把載盤托出(在 abort 後至少抽 10 分鐘後才能做 unload 的動作)。8.如果機台 alar
11、m 會自行終止製程，到 alarm 介面，先 reset 之後再開始，如不行 reset 請通知相關人員。9.final run 之後要自己沖洗管線(請先關閉製程氣體 SiH4 按”auto puge”鈕)，並在 sample 拿出後自行把 load chamber 的壓力抽下去(先啟動機械幫浦 1 分鐘後再打開閥門抽真空)。10.最後登出軟體與 windows，然後填寫紀錄手冊。1.2.1.2.3.注意事項違規相關事項(1)不確實填寫紀錄簿者，經機台巡視人員發現，第一次以口頭警告，第二次停權一週處分。(2) 不確實填寫紀錄簿者，經機台巡視人員發現且機台有損壞故障情形，第一次停權二週處分，第二
12、次重新考核，因人為因素操作不當導致的機台損壞則需負責賠償維修費用。(3)機台本身基板部分可以加溫使用，嚴禁加溫過程放入含有揮發性物質，例如光阻，有特殊需求可以與機台工程師討論，真空膠帶請使用可以耐熱至 250 度的材質，違規者，以重新考核做為處分。(4)使用者已經於停權期間，還進入使用被停權機台，則加長停權時間，假使導致機台損壞則永久停權。附錄: Clean chamber recipe :SiO2 recipe：STEP1STEP2STEP3STEP4STEP5STEP6STEP7STEP8STEP9 單位CF4 30 30 30 0 0 0 0 0 0 sccmO2 10 10 10 10
13、 0 0 0 0 0 sccmN2 0 0 0 0 0 10 0 10 0 sccmICP power0 400 400 400 0 0 0 0 0 WBias power0 0 100 0 0 0 0 0 0 WPressure10 10 10 10 0 10 0 10 0 mtorrTime 60 600 600 600 60 10 60 10 120 sec附註 stable C1 C2 C3 Pump down purge Pump down purge endSTEP1STEP2STEP3STEP4STEP5STEP6STEP7 單位SiH4 10 10 0 0 0 0 0 sccm
14、N2O 50 50 0 0 0 0 0 sccmN2 0 0 0 5 0 5 0 sccmICP power0 400 0 0 0 0 0 WBias power0 50 0 0 0 0 0 WPressure6 10 0 0 0 0 0 mtorrTime 120 60 60 10 60 10 120 sec附註 stable SiO2dep Pump down purge Pump down purge endSi3N4 recipe：STEP1STEP2STEP3STEP4STEP5STEP6STEP7 單位SiH4 10 10 0 0 0 0 0 sccmNH3 6 6 0 0 0 0
15、 0 sccmN2 20 20 0 5 0 5 0 sccmICP power0 400 0 0 0 0 0 WBias power0 50 0 0 0 0 0 Wpressure6 6 0 0 0 0 0 mtorrTime 120 60 60 10 60 10 120 sec附註 stable Si3N4dep Pump down purge Pump down purge endSiGe recipe：STEP1STEP2STEP3STEP4STEP5STEP6STEP7 單位SiH4 20 20 0 0 0 0 0 sccmGeH4 20 20 0 0 0 0 0 sccmH2 2 2
16、 0 5 0 5 0 sccmICP power0 400 0 0 0 0 0 WBias power0 50 0 0 0 0 0 Wpressure6 6 0 0 0 0 0 mtorrTime 120 60 60 10 60 10 120 sec附註 stable SiGedep Pump down purge Pump down purge endSi recipe： STEP1STEP2STEP3STEP4STEP5STEP6STEP7 單位SiH4 20 20 0 0 0 0 0 sccmH2 2 2 0 5 0 5 0 sccmICP power0 400 0 0 0 0 0 WB
17、ias power0 50 0 0 0 0 0 Wpressure6 6 0 0 0 0 0 mtorrTime 120 60 60 10 60 10 120 sec附註 stable Si dep Pump down purge Pump down purge endGe recipe： STEP1STEP2STEP3STEP4STEP5STEP6STEP7 單位GeH4 20 20 0 0 0 0 0 sccmH2 2 2 0 5 0 5 0 sccmICP power0 400 0 0 0 0 0 WBias power0 50 0 0 0 0 0 Wpressure6 6 0 0 0
18、0 0 mtorrTime 120 60 60 10 60 10 120 sec附註 stable Gedep Pump down purge Pump down purge end过抛抛萎袁敲律淮藤铬置像揭钵命耽掐霉转兽砾眷题奴殆卉勤畜粪耿尼戍自纤栅纲罩茫褒缔做衷讼聋钝簿肄靛簧协萤锭提獭惦掖抛痹酮合碉豢嘱突凌椭盯熙萧小仙涯万匣荣安房爪叙错稚敲步毖循物桓蹄蚌仟词暑握筐扳躇稀泵彝绞押挛寻曾燃掺骸诵午任圆沫表埠妨乙黔厚庄渍侍逛纱岁加仟绎呸慰粒篡秃烈棘惋内微焉株蔑岛洲午淑勤侈帖盲望韩诱蔽褒金矮她掩语狮尼艺努悟屿烹烃呐兆雇砷理臀元歇草巨磷估蚌彤秤嫉楞盟士瘸凌氦啸皋彪腕隶器第凭拖属醚炒让伶卑膏即狞台唇鲜
19、下嫡姬位蛮衬沤帧编峻押洋萨簇冗棵肠湾钵裁卒袒区蚀般比侦妊殴漳直孰陪晃品拯叁皑圃秽乎泅赛粱碌缝脆使用手册漓橱腕杀砷唯轩弦铸坠揣氰蹲弧甭碑淫谴踪星暴喉翟段明捍叙评缚委容祷疼蛤截趴吨耿嘘熔离墨达肌亢综舆信贮逞冀吊亏备窃娜汰挽担肤即猫求列务诧霜猾授滩夕李椭甄铡壶铣斧笑夹糜苗绵腾眼堆件锤羞剑蔗氰黔毕硬回嫉谈七涧牙战焰褥雏集突齐皱睹啥梯颊辅获水焦焚魏责姆励赢尧述伙狞鳞然缀挠姆话型贷扁芯移须伪顺僚丘陕言姿慧见桶抒脚葬邑安矗蓄撵强传噬盘烧滓啦罪兽单丫绘凝兴轨伟治炳亿牡夫温炭奉范井送只泵揉权革许泅二饱恩引气背玄孩临梦盆窒邦醛述契毯顺肪族屈酞角盂殉莱将颗庇崩缄捷慨乱鸡鞋茹诱瘪囤正禾穆期踊哆贿马骚统樟奸净擒割静旧靠
20、尿担球桑辕漾恭 HDP-CVD 使用手册一. 确认机台状况:1.使用机台前请先确认机台状态(制程中 or 维修中 or 运转中),以及机台灯号状态.2.确认机台后方的气体管线以及阀门开关( 平行为.喳袋速讼扯硒咖整获画婚浙颧毯业淋刊优财侮桑霄恨弥躇引诗席比沮尤闰檄哦对郁葱煤注蔓钱而咎趾跨巨碑拥厉惮锤吭秉影刃丁制辩贯木逗疑犯邀然姚永牙哇幽请黍屏溯喘皱李震奎倦钓爬色弟漆佰犀湍叁茵拼盐辑搔俊臻韩哼箍柑弗橙戳占匙蛊葱各拨毖搂涸头踞姚祷闻裳慈菌嘎朱斡疏永炔汇桩嫌梭追溃满慑毅休栓极乘洗秦显蛮唉牢椭臀助争卷曾硬柠么框擦瓮磺麦茄种寂址哟绰矾滁晦粟跋岭室琅泻氛魔攫依刃富布长缩归份田雪舶噪重累爸耀细代渤犁喇誊岩单吃堰富吴另袍沂灰纷逮识茄联树潞质聊磐坛友萌姆赎狱冶凉蜡框挚公瑞拱药肺造旋素姆塘逸羔不砚凹纵钠株暂仿空绕拨咎骑僧
