1、开发板,Nand Flash与 NOR Flash,NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术， 彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NANDflash 结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多 年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND闪存。相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相 对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，
2、这时NOR闪存更适合一 些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不 必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在14MB的小容量时具有很高的成 本效益，但 是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密 度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。,Nand Flash与 NOR Flash,性能比较 flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再
3、编程。任何flash器件的写 入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。 NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以6?128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此 相反，擦除NAND器件是以832KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸 的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新 小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必 须权
4、衡以下的各项因素。 NOR的读速度比NAND稍快一些。 NAND的写入速度比NOR快很多。 NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。,Nand Flash与 NOR Flash,接口差别 NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。 NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。 NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取
5、代硬盘或其他块设备。 容量和成本 NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。 NOR flash占据了容量为116MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8128MB的产品 当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、 Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。,可靠性和耐用性 采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是 非常
6、合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性 。A) 寿命(耐用性)在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除 了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8 倍，每个NAND存储器块在给 定的时间内的删除次数要少一些。 B) 位交换所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一 个比特(bit)位会发 生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件 上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报
7、告有问 题，多读几次就可能解决了。当然，如果 这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正 (EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪 存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。这个问题对于用NAND存储 多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其 他敏感信息 时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。 C) 坏块处理NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太 高，根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制 成的器件中，
8、如果通过可靠的方 法不能进行这项处理，将导致高故障率。,Nand Flash与 NOR Flash,S3C 2440,S3C 2440,S3C 2440,S3C 2440,S3C 2440,ADS1.2,ADS是ARM公司的集成开发环境软件，他的功能非常强大。他的前身是SDT，SDT是ARM公司几年前的开发环境软件，目前SDT早已经不再升级。ADS包括了四个模块分别是：SIMULATOR；C 编译器；实时调试器；应用函数库。 ADS的编译器调试器较SDT都有了非常大的改观， ADS1.2提供完整的WINDOWS界面开发环境。C编译器效率极高，支持c 以及c+，使工程师可以很方便的使用C语言进行
9、开发。提供软件模拟仿真功能，使没有Emulators的学习者也能够熟悉ARM的指令系统。配合FFT-ICE使用，ADS1.2提供强大的实时调试跟踪功能,片内运行情况尽在掌握。ADS1.2需要硬件支持才能发挥强大功能。目前支持的硬件调试器有Multi-ICE以及兼容Multi-ICE的调试工具如FFT-ICE。而简易下载电缆不能支持ADS1.2 下载地址1: 嵌入式系统开发ADS1.2破解版 下载地址2: 嵌入式系统开发ADS1.2破解版 下载地址3: 嵌入式系统开发ADS1.2破解版,ads1.2 license 1.拷贝内容到文本文档里面（ 不包括 ） 2.改成 .dat 3.按着向导导入即
10、可 PACKAGE ads armlmd 1.200 E32F0DE5161D COMPONENTS=“armasm compiler bats armulate axd adwu fromelf armlink codewarrior armsd“ INCREMENT ads armlmd 1.200 permanent uncounted 612C53EF47C7 HOSTID=ANY ISSUER=“Full License by armer, only for educational purpose!“ ck=0 ,学习地址： 1 ARM学习网 无与伦比的 FL2440开发板! 2 飞凌嵌入式 的视频 开发板入门 3 嵌入式学习论坛 4 嵌入式平台操作系统与应用开发 书籍 5 韦东山嵌入式Linux应用开发完全手册 6 ARM嵌入式Linux系统开发详解 7 嵌入式LINUX起步 8 嵌入式Linux应用开发完全手册-完整版 9 ARM开发流程,
