1、材料物理与化学专业优秀论文 MgO（010）表面上同质外延生长机制的分子动力学模拟研究关键词：分子动力学 外延生长 生长机制 金属氧化物 氧化物薄膜 制膜工艺摘要：随着现代微电子领域的高速发展，金属氧化物的层状外延生长在先进材料的研发领域引起了非常广泛的关注，诸如高温超导氧化物薄膜、受载的金属氧化物催化剂等，在许多领域都有着广泛的应用。为了提高薄膜质量，人们总是通过调整制膜工艺条件来控制成膜的微观过程，以尽快地探索出成膜的最佳工艺条件，这就需要从原子水平上对薄膜生长中各种复杂的原子过程有较深入的理解。而计算机模拟恰好提供了这样一个有效的手段，帮助我们解决一些实验当中无法实现的问题。 本论文应用
2、分子动力学方法和计算机制图技术模拟观察了 MgO(010)表面的同质外延生长过程。首先，我们研究计算了在 MgO 衬底上单个和多个 MgO 纳米团簇在升温过程中的结构变化，并通过计算对分布函数以及径向分布函数曲线来描述体系在升温过程中团簇及衬底结构的变化，研究发现：随着系统温度的升高，无论是单团簇还是多团簇都有从三维向二维生长的趋势，且团簇结构向衬底表层致密生长，接近衬底区域的团簇原子数目明显较多，并保持有一定的 MgO 结构，然而多团簇没有单团簇的二维生长趋势明显。其次，模拟研究了 MgO 分子在 MgO(010)衬底上的沉积过程，即 MgO 分子携带一定的能量并且按一定的时间间隔逐个沉积在
3、 MgO(010)表面上。通过对载能MgO 分子沉积行为的研究发现：薄膜的沉积质量与衬底温度、入射分子能量及入射角等因素密切相关。随着衬底温度的升高，原子在薄膜表面的扩散能力增强，外延程度随之提高，但衬底温度超过某一临界值时，外延程度反而有所降低；沉积分子自身携带的能量越高，则其扩散能力也越强；MgO 沉积分子带有一定的倾斜角度入射，薄膜沉积效果要比垂直入射效果好，外延程度也较高。正文内容随着现代微电子领域的高速发展，金属氧化物的层状外延生长在先进材料的研发领域引起了非常广泛的关注，诸如高温超导氧化物薄膜、受载的金属氧化物催化剂等，在许多领域都有着广泛的应用。为了提高薄膜质量，人们总是通过调整
4、制膜工艺条件来控制成膜的微观过程，以尽快地探索出成膜的最佳工艺条件，这就需要从原子水平上对薄膜生长中各种复杂的原子过程有较深入的理解。而计算机模拟恰好提供了这样一个有效的手段，帮助我们解决一些实验当中无法实现的问题。 本论文应用分子动力学方法和计算机制图技术模拟观察了 MgO(010)表面的同质外延生长过程。首先，我们研究计算了在 MgO 衬底上单个和多个 MgO 纳米团簇在升温过程中的结构变化，并通过计算对分布函数以及径向分布函数曲线来描述体系在升温过程中团簇及衬底结构的变化，研究发现：随着系统温度的升高，无论是单团簇还是多团簇都有从三维向二维生长的趋势，且团簇结构向衬底表层致密生长，接近衬
5、底区域的团簇原子数目明显较多，并保持有一定的 MgO 结构，然而多团簇没有单团簇的二维生长趋势明显。 其次，模拟研究了 MgO 分子在 MgO(010)衬底上的沉积过程，即 MgO 分子携带一定的能量并且按一定的时间间隔逐个沉积在 MgO(010)表面上。通过对载能 MgO分子沉积行为的研究发现：薄膜的沉积质量与衬底温度、入射分子能量及入射角等因素密切相关。随着衬底温度的升高，原子在薄膜表面的扩散能力增强，外延程度随之提高，但衬底温度超过某一临界值时，外延程度反而有所降低；沉积分子自身携带的能量越高，则其扩散能力也越强；MgO 沉积分子带有一定的倾斜角度入射，薄膜沉积效果要比垂直入射效果好，外
6、延程度也较高。随着现代微电子领域的高速发展，金属氧化物的层状外延生长在先进材料的研发领域引起了非常广泛的关注，诸如高温超导氧化物薄膜、受载的金属氧化物催化剂等，在许多领域都有着广泛的应用。为了提高薄膜质量，人们总是通过调整制膜工艺条件来控制成膜的微观过程，以尽快地探索出成膜的最佳工艺条件，这就需要从原子水平上对薄膜生长中各种复杂的原子过程有较深入的理解。而计算机模拟恰好提供了这样一个有效的手段，帮助我们解决一些实验当中无法实现的问题。 本论文应用分子动力学方法和计算机制图技术模拟观察了MgO(010)表面的同质外延生长过程。首先，我们研究计算了在 MgO 衬底上单个和多个 MgO 纳米团簇在升
7、温过程中的结构变化，并通过计算对分布函数以及径向分布函数曲线来描述体系在升温过程中团簇及衬底结构的变化，研究发现：随着系统温度的升高，无论是单团簇还是多团簇都有从三维向二维生长的趋势，且团簇结构向衬底表层致密生长，接近衬底区域的团簇原子数目明显较多，并保持有一定的 MgO 结构，然而多团簇没有单团簇的二维生长趋势明显。 其次，模拟研究了 MgO 分子在 MgO(010)衬底上的沉积过程，即 MgO 分子携带一定的能量并且按一定的时间间隔逐个沉积在 MgO(010)表面上。通过对载能 MgO 分子沉积行为的研究发现：薄膜的沉积质量与衬底温度、入射分子能量及入射角等因素密切相关。随着衬底温度的升高
8、，原子在薄膜表面的扩散能力增强，外延程度随之提高，但衬底温度超过某一临界值时，外延程度反而有所降低；沉积分子自身携带的能量越高，则其扩散能力也越强；MgO 沉积分子带有一定的倾斜角度入射，薄膜沉积效果要比垂直入射效果好，外延程度也较高。随着现代微电子领域的高速发展，金属氧化物的层状外延生长在先进材料的研发领域引起了非常广泛的关注，诸如高温超导氧化物薄膜、受载的金属氧化物催化剂等，在许多领域都有着广泛的应用。为了提高薄膜质量，人们总是通过调整制膜工艺条件来控制成膜的微观过程，以尽快地探索出成膜的最佳工艺条件，这就需要从原子水平上对薄膜生长中各种复杂的原子过程有较深入的理解。而计算机模拟恰好提供了
9、这样一个有效的手段，帮助我们解决一些实验当中无法实现的问题。 本论文应用分子动力学方法和计算机制图技术模拟观察了MgO(010)表面的同质外延生长过程。首先，我们研究计算了在 MgO 衬底上单个和多个 MgO 纳米团簇在升温过程中的结构变化，并通过计算对分布函数以及径向分布函数曲线来描述体系在升温过程中团簇及衬底结构的变化，研究发现：随着系统温度的升高，无论是单团簇还是多团簇都有从三维向二维生长的趋势，且团簇结构向衬底表层致密生长，接近衬底区域的团簇原子数目明显较多，并保持有一定的 MgO 结构，然而多团簇没有单团簇的二维生长趋势明显。 其次，模拟研究了 MgO 分子在 MgO(010)衬底上
10、的沉积过程，即 MgO 分子携带一定的能量并且按一定的时间间隔逐个沉积在 MgO(010)表面上。通过对载能 MgO 分子沉积行为的研究发现：薄膜的沉积质量与衬底温度、入射分子能量及入射角等因素密切相关。随着衬底温度的升高，原子在薄膜表面的扩散能力增强，外延程度随之提高，但衬底温度超过某一临界值时，外延程度反而有所降低；沉积分子自身携带的能量越高，则其扩散能力也越强；MgO 沉积分子带有一定的倾斜角度入射，薄膜沉积效果要比垂直入射效果好，外延程度也较高。随着现代微电子领域的高速发展，金属氧化物的层状外延生长在先进材料的研发领域引起了非常广泛的关注，诸如高温超导氧化物薄膜、受载的金属氧化物催化剂
11、等，在许多领域都有着广泛的应用。为了提高薄膜质量，人们总是通过调整制膜工艺条件来控制成膜的微观过程，以尽快地探索出成膜的最佳工艺条件，这就需要从原子水平上对薄膜生长中各种复杂的原子过程有较深入的理解。而计算机模拟恰好提供了这样一个有效的手段，帮助我们解决一些实验当中无法实现的问题。 本论文应用分子动力学方法和计算机制图技术模拟观察了MgO(010)表面的同质外延生长过程。首先，我们研究计算了在 MgO 衬底上单个和多个 MgO 纳米团簇在升温过程中的结构变化，并通过计算对分布函数以及径向分布函数曲线来描述体系在升温过程中团簇及衬底结构的变化，研究发现：随着系统温度的升高，无论是单团簇还是多团簇
12、都有从三维向二维生长的趋势，且团簇结构向衬底表层致密生长，接近衬底区域的团簇原子数目明显较多，并保持有一定的 MgO 结构，然而多团簇没有单团簇的二维生长趋势明显。 其次，模拟研究了 MgO 分子在 MgO(010)衬底上的沉积过程，即 MgO 分子携带一定的能量并且按一定的时间间隔逐个沉积在 MgO(010)表面上。通过对载能 MgO 分子沉积行为的研究发现：薄膜的沉积质量与衬底温度、入射分子能量及入射角等因素密切相关。随着衬底温度的升高，原子在薄膜表面的扩散能力增强，外延程度随之提高，但衬底温度超过某一临界值时，外延程度反而有所降低；沉积分子自身携带的能量越高，则其扩散能力也越强；MgO
13、沉积分子带有一定的倾斜角度入射，薄膜沉积效果要比垂直入射效果好，外延程度也较高。随着现代微电子领域的高速发展，金属氧化物的层状外延生长在先进材料的研发领域引起了非常广泛的关注，诸如高温超导氧化物薄膜、受载的金属氧化物催化剂等，在许多领域都有着广泛的应用。为了提高薄膜质量，人们总是通过调整制膜工艺条件来控制成膜的微观过程，以尽快地探索出成膜的最佳工艺条件，这就需要从原子水平上对薄膜生长中各种复杂的原子过程有较深入的理解。而计算机模拟恰好提供了这样一个有效的手段，帮助我们解决一些实验当中无法实现的问题。 本论文应用分子动力学方法和计算机制图技术模拟观察了MgO(010)表面的同质外延生长过程。首先
14、，我们研究计算了在 MgO 衬底上单个和多个 MgO 纳米团簇在升温过程中的结构变化，并通过计算对分布函数以及径向分布函数曲线来描述体系在升温过程中团簇及衬底结构的变化，研究发现：随着系统温度的升高，无论是单团簇还是多团簇都有从三维向二维生长的趋势，且团簇结构向衬底表层致密生长，接近衬底区域的团簇原子数目明显较多，并保持有一定的 MgO 结构，然而多团簇没有单团簇的二维生长趋势明显。 其次，模拟研究了 MgO 分子在 MgO(010)衬底上的沉积过程，即 MgO 分子携带一定的能量并且按一定的时间间隔逐个沉积在 MgO(010)表面上。通过对载能 MgO 分子沉积行为的研究发现：薄膜的沉积质量
15、与衬底温度、入射分子能量及入射角等因素密切相关。随着衬底温度的升高，原子在薄膜表面的扩散能力增强，外延程度随之提高，但衬底温度超过某一临界值时，外延程度反而有所降低；沉积分子自身携带的能量越高，则其扩散能力也越强；MgO 沉积分子带有一定的倾斜角度入射，薄膜沉积效果要比垂直入射效果好，外延程度也较高。随着现代微电子领域的高速发展，金属氧化物的层状外延生长在先进材料的研发领域引起了非常广泛的关注，诸如高温超导氧化物薄膜、受载的金属氧化物催化剂等，在许多领域都有着广泛的应用。为了提高薄膜质量，人们总是通过调整制膜工艺条件来控制成膜的微观过程，以尽快地探索出成膜的最佳工艺条件，这就需要从原子水平上对
16、薄膜生长中各种复杂的原子过程有较深入的理解。而计算机模拟恰好提供了这样一个有效的手段，帮助我们解决一些实验当中无法实现的问题。 本论文应用分子动力学方法和计算机制图技术模拟观察了MgO(010)表面的同质外延生长过程。首先，我们研究计算了在 MgO 衬底上单个和多个 MgO 纳米团簇在升温过程中的结构变化，并通过计算对分布函数以及径向分布函数曲线来描述体系在升温过程中团簇及衬底结构的变化，研究发现：随着系统温度的升高，无论是单团簇还是多团簇都有从三维向二维生长的趋势，且团簇结构向衬底表层致密生长，接近衬底区域的团簇原子数目明显较多，并保持有一定的 MgO 结构，然而多团簇没有单团簇的二维生长趋
17、势明显。 其次，模拟研究了 MgO 分子在 MgO(010)衬底上的沉积过程，即 MgO 分子携带一定的能量并且按一定的时间间隔逐个沉积在 MgO(010)表面上。通过对载能 MgO 分子沉积行为的研究发现：薄膜的沉积质量与衬底温度、入射分子能量及入射角等因素密切相关。随着衬底温度的升高，原子在薄膜表面的扩散能力增强，外延程度随之提高，但衬底温度超过某一临界值时，外延程度反而有所降低；沉积分子自身携带的能量越高，则其扩散能力也越强；MgO 沉积分子带有一定的倾斜角度入射，薄膜沉积效果要比垂直入射效果好，外延程度也较高。随着现代微电子领域的高速发展，金属氧化物的层状外延生长在先进材料的研发领域引
18、起了非常广泛的关注，诸如高温超导氧化物薄膜、受载的金属氧化物催化剂等，在许多领域都有着广泛的应用。为了提高薄膜质量，人们总是通过调整制膜工艺条件来控制成膜的微观过程，以尽快地探索出成膜的最佳工艺条件，这就需要从原子水平上对薄膜生长中各种复杂的原子过程有较深入的理解。而计算机模拟恰好提供了这样一个有效的手段，帮助我们解决一些实验当中无法实现的问题。 本论文应用分子动力学方法和计算机制图技术模拟观察了MgO(010)表面的同质外延生长过程。首先，我们研究计算了在 MgO 衬底上单个和多个 MgO 纳米团簇在升温过程中的结构变化，并通过计算对分布函数以及径向分布函数曲线来描述体系在升温过程中团簇及衬
19、底结构的变化，研究发现：随着系统温度的升高，无论是单团簇还是多团簇都有从三维向二维生长的趋势，且团簇结构向衬底表层致密生长，接近衬底区域的团簇原子数目明显较多，并保持有一定的 MgO 结构，然而多团簇没有单团簇的二维生长趋势明显。 其次，模拟研究了 MgO 分子在 MgO(010)衬底上的沉积过程，即 MgO 分子携带一定的能量并且按一定的时间间隔逐个沉积在 MgO(010)表面上。通过对载能 MgO 分子沉积行为的研究发现：薄膜的沉积质量与衬底温度、入射分子能量及入射角等因素密切相关。随着衬底温度的升高，原子在薄膜表面的扩散能力增强，外延程度随之提高，但衬底温度超过某一临界值时，外延程度反而
20、有所降低；沉积分子自身携带的能量越高，则其扩散能力也越强；MgO 沉积分子带有一定的倾斜角度入射，薄膜沉积效果要比垂直入射效果好，外延程度也较高。随着现代微电子领域的高速发展，金属氧化物的层状外延生长在先进材料的研发领域引起了非常广泛的关注，诸如高温超导氧化物薄膜、受载的金属氧化物催化剂等，在许多领域都有着广泛的应用。为了提高薄膜质量，人们总是通过调整制膜工艺条件来控制成膜的微观过程，以尽快地探索出成膜的最佳工艺条件，这就需要从原子水平上对薄膜生长中各种复杂的原子过程有较深入的理解。而计算机模拟恰好提供了这样一个有效的手段，帮助我们解决一些实验当中无法实现的问题。 本论文应用分子动力学方法和计
21、算机制图技术模拟观察了MgO(010)表面的同质外延生长过程。首先，我们研究计算了在 MgO 衬底上单个和多个 MgO 纳米团簇在升温过程中的结构变化，并通过计算对分布函数以及径向分布函数曲线来描述体系在升温过程中团簇及衬底结构的变化，研究发现：随着系统温度的升高，无论是单团簇还是多团簇都有从三维向二维生长的趋势，且团簇结构向衬底表层致密生长，接近衬底区域的团簇原子数目明显较多，并保持有一定的 MgO 结构，然而多团簇没有单团簇的二维生长趋势明显。 其次，模拟研究了 MgO 分子在 MgO(010)衬底上的沉积过程，即 MgO 分子携带一定的能量并且按一定的时间间隔逐个沉积在 MgO(010)
22、表面上。通过对载能 MgO 分子沉积行为的研究发现：薄膜的沉积质量与衬底温度、入射分子能量及入射角等因素密切相关。随着衬底温度的升高，原子在薄膜表面的扩散能力增强，外延程度随之提高，但衬底温度超过某一临界值时，外延程度反而有所降低；沉积分子自身携带的能量越高，则其扩散能力也越强；MgO 沉积分子带有一定的倾斜角度入射，薄膜沉积效果要比垂直入射效果好，外延程度也较高。随着现代微电子领域的高速发展，金属氧化物的层状外延生长在先进材料的研发领域引起了非常广泛的关注，诸如高温超导氧化物薄膜、受载的金属氧化物催化剂等，在许多领域都有着广泛的应用。为了提高薄膜质量，人们总是通过调整制膜工艺条件来控制成膜的
23、微观过程，以尽快地探索出成膜的最佳工艺条件，这就需要从原子水平上对薄膜生长中各种复杂的原子过程有较深入的理解。而计算机模拟恰好提供了这样一个有效的手段，帮助我们解决一些实验当中无法实现的问题。 本论文应用分子动力学方法和计算机制图技术模拟观察了MgO(010)表面的同质外延生长过程。首先，我们研究计算了在 MgO 衬底上单个和多个 MgO 纳米团簇在升温过程中的结构变化，并通过计算对分布函数以及径向分布函数曲线来描述体系在升温过程中团簇及衬底结构的变化，研究发现：随着系统温度的升高，无论是单团簇还是多团簇都有从三维向二维生长的趋势，且团簇结构向衬底表层致密生长，接近衬底区域的团簇原子数目明显较
24、多，并保持有一定的 MgO 结构，然而多团簇没有单团簇的二维生长趋势明显。 其次，模拟研究了 MgO 分子在 MgO(010)衬底上的沉积过程，即 MgO 分子携带一定的能量并且按一定的时间间隔逐个沉积在 MgO(010)表面上。通过对载能 MgO 分子沉积行为的研究发现：薄膜的沉积质量与衬底温度、入射分子能量及入射角等因素密切相关。随着衬底温度的升高，原子在薄膜表面的扩散能力增强，外延程度随之提高，但衬底温度超过某一临界值时，外延程度反而有所降低；沉积分子自身携带的能量越高，则其扩散能力也越强；MgO 沉积分子带有一定的倾斜角度入射，薄膜沉积效果要比垂直入射效果好，外延程度也较高。随着现代微
25、电子领域的高速发展，金属氧化物的层状外延生长在先进材料的研发领域引起了非常广泛的关注，诸如高温超导氧化物薄膜、受载的金属氧化物催化剂等，在许多领域都有着广泛的应用。为了提高薄膜质量，人们总是通过调整制膜工艺条件来控制成膜的微观过程，以尽快地探索出成膜的最佳工艺条件，这就需要从原子水平上对薄膜生长中各种复杂的原子过程有较深入的理解。而计算机模拟恰好提供了这样一个有效的手段，帮助我们解决一些实验当中无法实现的问题。 本论文应用分子动力学方法和计算机制图技术模拟观察了MgO(010)表面的同质外延生长过程。首先，我们研究计算了在 MgO 衬底上单个和多个 MgO 纳米团簇在升温过程中的结构变化，并通
26、过计算对分布函数以及径向分布函数曲线来描述体系在升温过程中团簇及衬底结构的变化，研究发现：随着系统温度的升高，无论是单团簇还是多团簇都有从三维向二维生长的趋势，且团簇结构向衬底表层致密生长，接近衬底区域的团簇原子数目明显较多，并保持有一定的 MgO 结构，然而多团簇没有单团簇的二维生长趋势明显。 其次，模拟研究了 MgO 分子在 MgO(010)衬底上的沉积过程，即 MgO 分子携带一定的能量并且按一定的时间间隔逐个沉积在 MgO(010)表面上。通过对载能 MgO 分子沉积行为的研究发现：薄膜的沉积质量与衬底温度、入射分子能量及入射角等因素密切相关。随着衬底温度的升高，原子在薄膜表面的扩散能
27、力增强，外延程度随之提高，但衬底温度超过某一临界值时，外延程度反而有所降低；沉积分子自身携带的能量越高，则其扩散能力也越强；MgO 沉积分子带有一定的倾斜角度入射，薄膜沉积效果要比垂直入射效果好，外延程度也较高。特别提醒 ：正文内容由 PDF 文件转码生成，如您电脑未有相应转换码，则无法显示正文内容，请您下载相应软件，下载地址为 http:/ 。如还不能显示，可以联系我 q q 1627550258 ，提供原格式文档。我们还可提供代笔服务，价格优惠，服务周到，包您通过。“垐垯櫃 换烫梯葺铑?endstreamendobj2x 滌甸?*U 躆 跦?l, 墀 VGi?o 嫅#4K 錶 c#x 刔
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