1、JFET JFET结构及特性结构及特性FET FET的分类的分类 JFET JFET的结构的结构 JFET JFET的工作原理的工作原理 JFET JFET的特性曲线的特性曲线 JFET JFET的主要参数的主要参数引入引入 场效应管的概述 场效应管的概述场效应管具有：场效应管具有：(1)(1)输入电阻高（输入电阻高（10 107 7-10 1015 15)(2)(2)噪声小噪声小(3)(3)功率低功率低(2)(2)噪声小噪声小(3)(3)功率低功率低(4)(4)动态范围大动态范围大(5)(5)热稳定性好热稳定性好(6)(6)抗辐射能力强抗辐射能力强(7)(7)易于集成易于集成 而被广泛应用而
2、被广泛应用(放大、阻抗变换、可放大、阻抗变换、可 变电阻、恒流源、电子开关、集成器件变电阻、恒流源、电子开关、集成器件)引入引入 BJT BJT的工作特点的工作特点iccicc bibBJT BJT（三极管）是一种电流控制电流型器（三极管）是一种电流控制电流型器 件件 ibvbe+_beicvce+_ceicvce+_ce ibrbevbe+_beib引入引入 JFET JFET的工作特点的工作特点id gdd dJFET JFET（结型场效应管）是一种电压控制电流（结型场效应管）是一种电压控制电流型器件型器件 gmvgsvgsvdssg gd ds sT引入引入 FET FET的分类的分类J
3、FET JFET：结型场效应管结型场效应管一、一、JFET JFET结构结构 N N沟道沟道漏极(d)栅极(g)耗尽层 dP P源极(s)gds(a)(b)NP P结构示意图结构示意图 代表符号代表符号一、一、JFET JFET结构结构 P P沟道沟道漏极(d)栅极(g)耗尽层 源极(s)栅极(g)(a)PN Ngds(b)结构示意图结构示意图代表符号代表符号漏极(d)栅极(g)耗尽层导电沟道事导电沟道事 先已存在先已存在 二、工作原理建立电流二、工作原理建立电流 i iD DO O源极(s)栅极(g)NP PP PdgVDDiD导电沟道事导电沟道事 先已存在先已存在 二、工作原理建立电流二、
4、工作原理建立电流 i iD D驱动形成驱动形成 DSvNP PsgVDD驱动形成驱动形成 漏极电流漏极电流 DSvDi能够控制导能够控制导 电沟道电沟道 二、工作原理控制电流二、工作原理控制电流 i iD DGSv，dgViD，使耗尽层反偏使耗尽层反偏 而变 宽，沟道 而变 宽，沟道 变 窄 变 窄 0GSv VGGNP PsgVDD二、工作原理控制沟道二、工作原理控制沟道dg0GSv=NP Psg(a)0DSv=二、工作原理控制沟道二、工作原理控制沟道0GSv dg0GSv=0GSv VGGNP Psg(b)0DSv=GSv二、工作原理控制沟道二、工作原理控制沟道0GSv dg0GSv=沟道
5、 完全 沟道 完全 夹断夹断 0GSv VGGNP Psg(b)GSPvV=0DSv=GSv二、工作原理控制沟道二、工作原理控制沟道dg沟道 完全 沟道 完全 夹断夹断 注意：注意：沟道 完全 沟道 完全 夹断时，不 可能 夹断时，不 可能 形成漏极电流。形成漏极电流。VGGNP Psg(b)形成漏极电流。形成漏极电流。0DSv=能够控制能够控制 导电沟道导电沟道 二、工作原理控制电流二、工作原理控制电流 i iD DGSv使靠近 漏极 使靠近 漏极 vO OdgViD使靠近 漏极 使靠近 漏极 的沟道变 窄 的沟道变 窄 DSv越 大，沟道 越 大，沟道 越窄越窄 DSvO OO OVGGN
6、P PsgVDD二、工作原理控制电流二、工作原理控制电流 i iD DdgViDvV=沟道 预夹断 沟道 预夹断 DSvVGGNP PsgVDDGDPvV=GSSDPvvV+=GSDSPvvV-=DSGSPvvV=-二、工作原理控制电流二、工作原理控制电流 i iD DdgViD沟道 预夹断 沟道 预夹断 0 DSDSGSPvVvV=-vVGGNP PsgVDD0 DSDSvV 沟道 夹断 沟道 夹断 DSv二、工作原理控制电流二、工作原理控制电流 i iD DdgViD沟道 夹断 沟道 夹断 d+d+VGGNP PsgVDDs s-R沟 道R夹 断-0 DSV-DSv DDi二、工作原理控制
7、电流二、工作原理控制电流 i iD DdgViD沟道 夹断 沟道 夹断 GSv一定一定 若若VGGNP PsgVDDDi趋 于 饱和 趋 于 饱和 0 DSDViR沟 道三、特性曲线转移特性三、特性曲线转移特性()DSDGSvifv=常数0.60.8IDSS(mA)=10VDSviD22()(1)GSnDP GSDSSPviKVvIV=-=-0.8-0.40.20.40(V)VPGSv5V1VPVPV-夹断电压，小于 0nK-导电常 数DSSI 饱和漏极电 流三、特性曲线输出特性三、特性曲线输出特性()GSDDSvifv=常数/mAiDIDSSBA=0VGSvO/V DSv|VP|三、特性曲线
8、输出特性三、特性曲线输出特性()GSDDSvifv=常数0.8/mA区=0VGSviDI I区，截止区区，截止区V VGS GSV 0 04 80.20.40.6012 16 10区 区-0.4V-0.8V/V DSvIII III区，放大区，放大(饱和饱和)区区V VP PV VGS GS0(V(VGS GS-V VP P)II II区，变阻区区，变阻区V VP PV VGS GS0 0V VDS DS(V(VGS GS-V VP P)1.1.栅源极间的电阻虽然可达栅源极间的电阻虽然可达 10 107 7以上，但在以上，但在某些场合仍嫌不够高。某些场合仍嫌不够高。讨讨论 论#为什么没讨论 输入 为什么没讨论 输入特性？特性？此外，对此外，对 JFET JFET器件器件某些场合仍嫌不够高。某些场合仍嫌不够高。3.3.栅源极间的栅源极间的 PN PN结加正向电压时，将出现结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。较大的栅极电流。2.2.在高温下，在高温下，PN PN结的反向电流增大，栅源结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。极间的电阻会显著下降。绝缘栅 场效应管可 以解决此 类 问题。绝缘栅 场效应管可 以解决此 类 问题。
