1、判断引脚极性方法一：由双向可控硅的内部结构可知，控制极 G 与主电极 T1 之间是由块 P 型半导体连接的，两电极间的电阻（体电阻）为几十欧姆，根据公特点就可以方便地判断出各电极来。先确定主电极 T2：将万用表置在 R×10 档，用黑表笔接住任电极，再用红表笔去接另外任一电极，如果头指示为几十欧姆电阻，就说的两表笔所接电极为控制极和主电极 T1，那么余下的电极便是主电极 T2；如果指针不动，仍停在处，应及时调整表笔所接电极，直到测出电阻值为几十欧姆的两电极，从而确定主电权 T2 为止。再区分控制极 G 和主电极 T1：现假定两电极中任一为主电极 T1，则另一个就为为控制极 G，万用表
2、置于 R×10 挡，用黑表笔接主电极 T2（已确定），再用红表禾去接假定的主电极主“T1”，并用红表笔笔尖碰一下 G 后再离开，如果表针发生偏转，指示在几或几十欧姆上，就说明假定的主电极“T1”为真正的主电极 T1，而另一电极也为真正的控制极 G；如果表针没有偏转，说明假定是错的，应重新假定T1 和 G，即让黑表笔仍接 T2，而将红表笔接新 “T1”，如果判别结呆同上，即对区分出控制极 G 和主电极 T1。方法二：先确定主电极 T2：将万用表置于 R×1k 档，现假定双向可控硅任意一个脚为主电极“T2” ，并用黑表笔接“T2”，再用红表笔去分别触碰另外两个电极，如果指针没有
3、偏转，指示在处，就说朋黑表笔所接为主电极 T2，这是因为主电极 T2 与 T1 和 G 之间有多个正反相的 PN 结，它们之间的电阻是很大的；如果红完笔触碰其中的个电极时指针不偏转，而触碰另一个电极时发生了偏转，说明原来的假定是错的，应重新假定 T2，再按上述方法测试判断，直至找到真正的 T2 为止。找到 T2 后，剩下的两个电极就是 G 和 T1，由于设计上的需要以及内部结构特点决定，G 和 T1 之间仍然存在正反向电阻特性，只是正反向电阻差别不是很大。将万用表置于 R×10 档，两表笔与G、 T1 相接，测试正反向电阻，以阻值小的那次为准，黑表笔接的电极为主电极 T1，而红表笔接
4、的电极为控制极 G。测试时请注意，在测量大功率向可控硅时，应尽是量使用低阻档，如不行还可象测试单向可控硅样，在万用表表笔上串上一节或多节 1.5V 干电池，使测试更为可靠。2、判断好坏方法一：测量极间电阻法。将万用表置于皮 R×1k 档，如果测得 T2T1 、T2G 之间的正反向电阻接近，而万用表置于 R×10 档测得 T1G 之间的正反向电阻在几十欧姆 时，就说明双向可控硅是好的，可以使用；反之，若测得 T2T1，、T2 G 之间的正反向电阻较小甚或等于零而 TlG 之间的正反向电阻很小或接近于零时就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用；如果测得 T1G 之间的正
5、反向电阻很大(接近) 时，说明控制极 G 与主电极 T1 之间内部接触不良或开路损坏，也不能使用。方法二：检查触发导通能力。万用表置于 R×10 档：如图,1(a)所示，用黑表笔接主电极 T2，红表笔接T1，即给 T2 加正向电压，再用短路线将 G 与 T1(或 T2)短接一下后离开，如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置，说明双向可控硅中的一部分(其中一个单向可控硅)是好的，如图 1(b)所示，改黑表笔接主电极 T1，红表笔接 T2，即给 T1 加正向电压，再用短路线将 G 与 T1(或 T2)短接一下后离开，如果结果同上，也证明双向可控硅中的另一部分(其中的一个单向可控硅是好的。测试到止说明双向可控硅整个都是好的，即在两个方向(在不同极性的触发电压证）均能触发导通。图 1 判断双向可控硅的触发导通能力方法三：检查触发导通能力。如图 2 所示取一只 10uF 左右的电解电容器，将万用表置于 R×10k 档(V 电压)，对电解电容器充电 35s 后用来代替图 1 中的短路线，即利用电容器上所充的电压作为触发信号，然后再将万用表置于 R×10 档，照图 2(b)连接好后进行测试。测试时，电容 C 的极性可任意连接，同样是碰触一下后离开，观察表头指针偏转情况，如果测试结果与“方法二 相同，就证明双向可控硅是好的。图 2 判断双向可控硅的触发导通能力
