1、PCB 评审标准1、 工作指导（所有长度单位为 mm）1.1 铜箔最小线宽：单面板 0.3mm，双面板 0.2mm，边缘铜箔最小要 1.0mm。1.2 铜箔最小间隙：单面板：0.3mm，双面板:0.2mm。1.3 铜箔与板边最小距离为 0.5mm，元件与板边最小距离为 5.0mm，焊盘与板边最小距离为 4.0mm。1.4 一般通孔安装元件的焊盘的大小（直径）为孔径的两倍，双面板最小为 1.5mm,单面板最小为 2.0mm（建议 2.5mm)，如果不能用圆形焊盘 ,可用腰形焊盘,大小如下图所示(如有标准元件库,则以标准元件库为准 ):bca 2D焊盘长边、短边与孔的关系为：a b c0.6 2.
2、8 1.270.7 2.8 1.520.8 2.8 1.650.9 2.8 1.741.0 2.8 1.841.1 2.8 1.941.5 电解电容、自恢复保险管、电流保险管不可触及发热元件，如大功率电阻、变压器、热敏电阻、散热器等。电解电容、自恢复保险丝与散热器的间隔最小为 10.0mm，其它元件到散热器的间隔最小为 2.0mm。1.6 大型元器件（如：变压器、直径 15.0mm 以上的电解电容、大电流的插座等）加大铜箔及上锡面积如下图（阴影部分面积最小要与焊盘面积相等）：1.7 螺丝孔半径 5.0mm 内不能有铜箔（除要求接地外）及元件（或按结构图要求） 。1.8 上锡位不能有丝印油。1.
3、9 焊盘中心距小于 2.5mm 的，该相邻的焊盘周边要有丝印油包裹，丝印油宽度为0.2mm（建议 0.5mm） 。1.10 跳线不要放在 IC、电位器、大电解以及其它大体积金属外壳的元件下。1.11 每一粒三极管必须在丝印上标出 e 、c 、b 脚。1.12 需要过锡炉后才焊的元件，焊盘要开走锡位，方向与过锡方向相反，宽度视孔的大小为 0.5mm 到 1.0mm，如下图：0.5m1SOL1.13 设计双面板时要注意，金属外壳的元件，插件时外壳与印制板接触的，顶层的焊盘不可开，一定要用绿油或丝印油盖住（例如两脚的晶振） 。1.14 为减少焊点短路，所有的双面印制板，过孔都不开绿油窗。1.15 每
4、一块 PCB 上都必须用实心箭头标出过锡炉的方向，如下图所示： SOL1.16 孔洞间距离最小为 1.25mm（对双面板无效） ，如下图所示：1.25m1.17 布局时，DIP 封装的 IC 摆放的方向必须与过锡炉的方向成垂直，不可平行，如果布局上有困难，可允许水平放置 IC（SOP 封装的 EC 摆放方向与 DIP 相反）如下图：错 误正 确SOL1.18 布线方向为水平或垂直，由垂直转入水平要走 45 度进入。1.19 元件的安放为水平或垂直。1.20 丝印字符为水平或右转 90 度摆放。1.21 若铜箔入圆焊盘的宽度较圆焊盘的直径小时，则需加小泪滴，如下图所示：1.22 设计 PCB 板
5、编号要放在板的空位上。1.23 布线尽可能短，特别注意时钟线、低电平信号线及所有高频回路布线要更短。1.24 模拟电路及数字电路的地线及供电系统要完全分开。1.25 横插元件（电阻、二极管等）脚间中心相距必须是 6.0、7.5mm 、10.0mm 及12.5mm，跳线脚间中心相距必须是5.0mm、7.5mm、12.5mm、15mm17.5mm 、20mm、22.5mm、25mm ） 。1.26 元件孔直径最小为：0.80mm。1.27 PCB 板上的保险管、 保险电阻、交流 220V 的滤波电容、变压器等元件位置附近面丝印上应有 ！ 符号及该元件的标称值。1.29 在用贴片元件的 PCB 板上
6、，为了提高贴片元件的贴装准确性，PBC 板上必须设有校正标记（MARKS） ，且每一块板最少要有两个标记，分别 PCB 板的一组对角上，如下图所示： PCBMARKS1.30 一般标记的形状有：A=（ 0.5 1m） ±% 棱 形圆 形三 角 形正 方 形1.31 最常用的标记为正方形和圆形，标记部的铜箔或焊锡从标记中心方形的 5mm 范围内应无焊迹或图案；标记部的铜箔或焊锡从标记中心圆形的 4mm 范围内应无焊迹或图案，如下图所示： -24不 能 有 焊 迹 或 图 案1.32 对于 IC（QEP ）等当引脚间距小于 0.8mm 时，要求在零件的单位对角加两个标记，作为该零件的校正
7、标记，如下图所示： PCB MARKS1.33 贴片元件的间距： 0.50.5m72 EMC 布线2.1 电源输入端跨接一个 10100uF 的电解电容器，如果印制电路板的位置允许，采用 100uF 以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。 2.2 为每个集成电路芯片配置一个 0.01uF 的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时，可每 410 个芯片配置一个 110uF 钽电解电容器，这种器件的高频阻抗特别小，在 500kHz20MHz 范围内阻抗小于 1，而且漏电流很小（0.5uA 以下）。2.3 对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和 ROM、RAM 等存储型器件，应在芯片的电源线（Vcc）和地线（ GND）间直接接入去耦电容。 2.4 去耦电容的引线不能过长，特别是高频旁路电容不能带引线。2.5 在信号输入口的信号线与地之间要接一个 0.001 的瓷介电容。
