模电课件第三章_三极管

1、r）；,集电极，用C或c 表示（Collector）。
,发射区,集电区,基区,三极管符号,3.1 半导体三极管（BJT）, 发射区的掺杂浓度最高；, 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；, 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。
,管芯结构剖面图,结构特点：,3.1.2 BJT的电流分配与放大原理,1. 内部载流子的传输过程,三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。
外部条件：发射结正偏，集电结反偏。
,发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 （以NPN为例）,载流子的传输过程,3.1.2 BJT的电流分配与放大原理,以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。
或BJT (Bipolar Junction Transistor)。
,2. 电流分配关系,载流子的传输过程,IE=IB+ IC,根据传输过程可知,2. 电流分配关系,根据,IE=IB+ IC,得到,IE= (1+ ) IB,3. 放大作用,若,vI = 20mV,使,当,则,电压放大倍数,VEE,VCC,VEB,IB,I。

2、r）；,集电极，用C或c 表示（Collector）。
,发射区,集电区,基区,三极管符号,3.1 半导体三极管（BJT）, 发射区的掺杂浓度最高；, 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；, 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。
,管芯结构剖面图,结构特点：,3.1.2 BJT的电流分配与放大原理,1. 内部载流子的传输过程,三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。
外部条件：发射结正偏，集电结反偏。
,发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 （以NPN为例）,载流子的传输过程,3.1.2 BJT的电流分配与放大原理,以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。
或BJT (Bipolar Junction Transistor)。
,2. 电流分配关系,载流子的传输过程,IE=IB+ IC,根据传输过程可知,2. 电流分配关系,根据,IE=IB+ IC,得到,IE= (1+ ) IB,3. 放大作用,若,vI = 20mV,使,当,则,电压放大倍数,VEE,VCC,VEB,IB,I。