门极双极型

1、LDMOS 与双极型器件的比较LDMOS 在以下方面具有出众的性能： 1.热稳定性；2.频率稳定性；3.更高的增益；4. 提高的耐久性；5. 更低的噪音；6.更低的反馈电容；7.更简单的偏流电路；8.恒定的输入阻抗；9. 更好的IMD 性能；10.更低的热阻；11.更佳的 AGC 能力 热稳定性LDMOS 与双极型不同，温度系数是负数，因此可以防止热耗散的影响。这种情况可以给出如下解释：当器件通过更多的电流时，温度就会升高。温升引起了栅门限电压的增加，栅门限电压关闭器件导致电流下降。另一方面，双极型的温度系数为正，就易于出现热耗散。易于出现热耗散的主。

2、1,3 双极型三极管及其放大电路,3.2 共射极放大电路,3.3 图解分析法,3.4 小信号模型分析法,3.5 放大电路的工作点稳定问题,3.6 共集电极电路和共基极电路,3.7 放大电路的频率响应,3.1 半导体BJT,2,3.1 双极型三极管(BJT),又称半导体三极管、晶体管，或简称为三极管。,(Bipolar Junction Transistor),三极管的外形如下图所示。,三极管有两种类型：NPN 和 PNP 型。主要以 NPN 型为例进行讨论。,三极管的外形,3,4,NPN型,PNP型,结构与分类 两个PN结、三个引脚，两种类型：NPN和PNP型。,一、 BJT的结构、符号及放大条件,集电结,发射结,5,基区：较。

3、Digital Circuts -TTL,双极型三极管的开关特性,工作时有电子和空穴两种载流子参与导电过程,双极型三极管的输入特性曲线,以基极b和发射极e之间的发射结作为输入回路，则可以测出表示输入电压VBE和输入电流iB之间关系的特性曲线,双极型三极管的输出特性曲线,以集电极C和发射极E之间的回路作为输出回路，则可以测出在不同iB值下表示集电极电流ic和集电极电压VCE之间的关系曲线,双极型三极管的基本开关电路,双极型三极管的开关等效电路 (a)截止状态 (b)饱和导通状态,三极管非门（反相器）,接入电阻R2和负电源VEE,使三极管可靠地截止 当输入信。

4、1 如果在电路中测得放大偏置的 BJT 的三个电极的电位为下面四组数据： （1） 7.1V, 2.16V, 1.4V （2） 6.1V, 5.8V, 1V（3） 8.87V, 8.15V, 2V （4） 9.6V, 9.27V, 0V试判断各电位对应的电极以及三极管的类型（NPN 管或 PNP 管）和材料（Si 管或 Ge 管）。解 将三电压按从高到低排列，列出如下表：题 号 （1） （2） （3） （4）电位（V） 7.1 2.16 1.4 6.1 5.8 1 8.87 8.15 2 0 9.27.6电 极 C B E E B C E B C C B E管 型 NPN PNP PNP NPN材 料 Si Ge Si Ge2 如果将 BJT 的集电极与发射极对调使用，在放大偏置时，I CI E的关系是否仍然成。

5、1,3 双极型三极管及其放大电路,3.2 共射极放大电路,3.3 图解分析法,3.4 小信号模型分析法,3.5 放大电路的工作点稳定问题,3.6 共集电极电路和共基极电路,3.7 放大电路的频率响应,3.1 半导体BJT,2,3.1 双极型三极管(BJT),又称半导体三极管、晶体管，或简称为三极管。,(Bipolar Junction Transistor),三极管的外形如下图所示。,三极管有两种类型：NPN 和 PNP 型。主要以 NPN 型为例进行讨论。,三极管的外形,3,4,NPN型,PNP型,结构与分类 两个PN结、三个引脚，两种类型：NPN和PNP型。,一、 BJT的结构、符号及放大条件,集电结,发射结,5,BJT符号,。

6、1,第四章 双极结型三极管 及放大电路基础,2,4.1 BJT,半导体三极管有两大类型： 一类是双极型半导体三极管（简称BJT）； 一类是场效应半导体三极管（简称FET）。双极型半导体三极管是由两种载流子参与导电的半导体器件，它由两个 PN 结组合而成，是一种CCCS器件。半导体三极管一般指双极型半导体三极管，简称 晶体管、三极管。,3,晶体管的几种常见外型如下：,4.1 半导体三极管BJT,4,4.1 半导体三极管BJT,一、三极管结构简介 二、三极管的放大作用 三、三极管的共射/共基特性曲线 四、三极管的主要参数 五、温度对晶体管特性及参数的影响 六。

7、第三章31 （a）画出 晶体管在平衡时以及在正向有源工作模式下的能带图。PN（b）画出晶体管的示意图并表示出所有的电流成分，写出各级电流表达式。（c）画出发射区、基区、集电区少子分布示意图。32考虑一个 硅晶体管，具有这样一些参数： ，在均匀掺杂基区mxB2。若集电结被反向偏置， ，计231601.,05cAscmna AInE1算在发射结基区一边的过量电子密度、发射结电压以及基区输运因子。33 在 32 的晶体管中，假设发射极的掺杂浓度为 ，3180cm， ，发射结空间电荷区中， 。计算在 时xE2nspE10 s1.0InE的发射效率和 。Fh34 一 NPN 晶体管具有以下。

8、双极型晶体管参数符号及其意义Cc-集电极电容Ccb-集电极与基极间电容Cce-发射极接地输出电容Ci-输入电容Cib-共基极输入电容Cie-共发射极输入电容Cies-共发射极短路输入电容Cieo-共发射极开路输入电容Cn-中和电容（外电路参数）Co-输出电容Cob-共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coe-共发射极输出电容Coeo-共发射极开路输出电容Cre-共发射极反馈电容Cic-集电结势垒电容CL-负载电容（外电路参数）Cp-并联电容（外电路参数）BVcbo-发射极开路，集电极与基极间击穿电压BVceo-基极开路，CE 结击穿电压BVebo-集电极开路 EB 结。

9、双极型晶体管双极型三极管又称半导体三极管、晶体管，或简称为三极管。双极型三极管有三个电极。三极管可以用半导体材料硅或锗制成。有两类标准的三极管：NPN 和 PNP 型。现在用的三极管大多是 NPN 型。 NPN 三极管由一块 N 型发射极（E） 、一块 P 型基极（）和一块 N 型集电极（）组成。三极管具有电流放大作用。集电极电流 Ic 与基极电流 IB 成正比，小于发射极电流。三个电流之间的关系是 IE=Ic+IB。三极管的电流放大系数通常用 表示，当、E 两端的电压保持不变时有 =Ic/I。当基极电压略高于发射极的正向电压（约为 0.6V） ，三极管导。

10、电子技术基础,模拟部分 （第六版）,电子技术基础模拟部分,1 绪论 2 运算放大器 3 二极管及其基本电路 4 场效应三极管及其放大电路 5 双极结型三极管及其放大电路 6 频率响应 7 模拟集成电路 8 反馈放大电路 9 功率放大电路 10 信号处理与信号产生电路 11 直流稳压电源,5 双极结型三极管及其放大电路,5.1 BJT 5.2 基本共射极放大电路 5.3 BJT放大电路的分析方法 5.4 BJT放大电路静态工作点的稳定问题 5.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 5.6 FET和BJT及其基本放大电路性能的比较 5.7 多级放大电路 5.8 光电三极管,5.1 BJT,5.1.1 BJT的结。

11、1,1.3 双极型晶体管,双极型晶体管的几种常见外形 （a）小功率管 （b）小功率管 （c）中功率管 （d）大功率管,双极型晶体管又称三极管。电路表示符号：BJT。根据功率的不同具有不同的外形结构。,2,一. 基本结构,由两个掺杂浓度不同且背靠背排列的PN结组成，根据排列方式的不同可分为NPN型和PNP型两种,每个PN结所对应区域分别称为发射区、基区和集电区。,3,制成晶体管的材料可以为Si或Ge。,4,基区：较薄，掺杂浓度低,集电区：面积较大,发射区：掺 杂浓度较高,5,BJT是非线性元件，其工作特性与其工作模式有关：,当EB结和CB结均加正偏时,BJT处。

12、双极型晶体管电子和空穴两种载流子都起作用的晶体管，又称结型晶体管。1948 年，人们发现原始的点接触晶体管具有放大作用,但由于金属丝与晶体表面的接触很不可靠,因此使用受到很大限制。1950 年，用切克劳斯基法拉出锗单晶，接着又拉出硅单晶。1951 年发展锗的区域提纯技术和硅的无坩埚区域提纯技术,获得纯度达 99.999999的锗、硅单晶。在 PN 结理论发展的基础上，加上锗材料、硅材料制备技术的进展，1951 年用合金法制成合金结晶体管。1955 年杂质向半导体中扩散的新技术得到发展，1956 年制成扩散型晶体管，使晶体管的工作频率提高两个。

13、半导体器件物理 D r . B . L i 第四章双极晶体管半导体器件物理 D r . B . L i 4.1.1 何谓双极晶体管 双极晶体管是由靠得很近的两个PN结构成的半导体器件。 什么叫靠得很近？ 靠得很近有效基区宽度基区少子扩散长度 有效基区宽度：W B NPN：W B L nB PNP：W B L pB 4.1 双极晶体管的结构及杂质分布半导体器件物理 D r . B . L i 三个极：发射极E(Emitter) ，集电极C(Collector)，基 极B(Base) 三个区：发射区，集电区，基区 两个结：发射结，集电结半导体器件物理 D r . B . L i intrinsic base (内基区) extrinsic base (外基区)半导体器。

14、第2章 双极型三极管及其放大电路,2.1 双极型三极管,2.2 共发射极放大电路的组成和工作原理,2.3 放大电路的静态分析,2.4 放大电路的动态分析,电气与电子工程学院,2.6 共集电极和共基极放大电路,2.5 放大电路静态工作点的稳定,2.7 多级放大电路,2.1 双极型三极管,2.1.1 三极管的基本结构,2.1.2 三极管的电流分配和放大原理,2.1.3 三极管的伏安特性曲线,电气与电子工程学院,2.1.4 三极管类型和工作状态的判断,2.1.5 三极管的主要参数,2.1.6 温度对三极管参数的影响,2.1.7 三极管的类型、型号和选用原则,2.1.8 特殊三极管,2.1 双极型三极管,电。

15、1,3 双极型三极管及其放大电路,3.2 共射极放大电路,3.3 图解分析法,3.4 小信号模型分析法,3.5 放大电路的工作点稳定问题,3.6 共集电极电路和共基极电路,3.7 放大电路的频率响应,3.1 半导体BJT,2,3.1 双极型三极管(BJT),又称半导体三极管、晶体管，或简称为三极管。,(Bipolar Junction Transistor),三极管的外形如下图所示。,三极管有两种类型：NPN 和 PNP 型。主要以 NPN 型为例进行讨论。,三极管的外形,3,4,NPN型,PNP型,结构与分类 两个PN结、三个引脚，两种类型：NPN和PNP型。,一、 BJT的结构、符号及放大条件,集电结,发射结,5,BJT符号,。

16、第四章 双极型数字电路的版图设计,设计完后要进行核算，检验初步设计的元件是否满足电路指标的要求。对双极型晶体管主要是核算：BVCBO、BVCEO、ICM、FT、rCS、rbb等。,1、设计电路中各元件的初步图形和尺寸,4-1 从晶体管级到版图级的步骤,2、划分隔离区(确定隔离岛的数目),隔离要占去3040的芯片面积，隔离岛越多，浪费的芯片面积就越大，所以要尽量减少隔离岛的数目。 凡集电极电位相同的纵向NPN管都可放在一个N型岛内。集电极电压不同的则必须放在不同的隔离区。 基极电位相同的横向PNP管可放在一起。 二极管的处理与NPN管相同。 对于基。

17、2019/10/23,电工电子教研室,1,4.7 放大电路的频率响应,假设输入信号为单一频率的正弦波信号时，耦合电容和旁路电容对此交流信号可视为短路，BJT的极间电容视为开路；,实际信号却含有多种频率成分，占有一定的频率范围，如声音（20Hz20KHz），视频（DC4.5MHz）；,放大电路中存在的电抗性元件（耦合电容、极间电容），其电抗随着信号频率变化而变化，则放大电路对不同频率信号具有不同的放大能力增益与相移会随着频率变化而变化；,增益（相移）是信号频率的函数，称为放大电路的频率响应或频率特性；,2019/10/23,电工电子教研室,2,阻容耦合。

18、标准双极型二极管,张爱娟,主要内容,1、二极管连接形式的晶体管2、齐纳二极管 2.1 表面齐纳二极管2.2 埋层齐纳二极管3、肖特基二极管,一、二极管连接形式的晶体管,这种二极管结构是将的基极与集电极连在一起而形成的 。这种器件称为二极管连接形式的晶体管。 注意集电极去偏置的影响，一旦集电极去偏置现象严重的时候，寄生的管就会起作用，二极管就会向衬底泄漏电流。 只要集电极去偏置不能使寄生PNP管导通，这种结构的晶体管就不会出现任何流向衬底的电流损失。 缺点：反向击穿电压相对较低，这是受到NPN管68V 的 限制所致。,LPNP连接的。

19、1,双极型三极管(BJT) 又称半导体三极管、晶体管，或简称为三极管。,(Bipolar Junction Transistor),三极管的外形如下图所示。,三极管有两种类型：NPN 和 PNP 型。主要以 NPN 型为例进行讨论。,2,1.3.1 晶体管的结构,常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。,(a)平面型(NPN),(b)合金型(PNP),e 发射极，b基极，c 集电极。,3,平面型(NPN)三极管制作工艺,在 N 型硅片(集电区)氧化膜上刻一个窗口，将硼杂质进行扩散形成 P 型(基区)，再在 P 型区上刻窗口，将磷杂质进行扩散形成N型的发射区。引出三个电极即可。,合金型三极管制作工艺。

20、 隔离门极双极型晶体管隔离门极双极型晶体管（IGBT, Isolated Gate Bipolar Tran-sistor）是目前广泛应用于中小容量变频器中的一种半导体开关器件。由于它集功率 MOSFET 和功率晶体管的优点于一身，具有输入阻抗高，开关速度快，驱动电路简单和通态电压低，耐压高等特点，因此备受欢迎，发展很快。此外，因为采用了 IGBT 的 PWM 变频器的载频可以达到 10 一巧kHz，从而达到降低电动机运行噪声的目的，所以广泛应用于低噪声变频器中。目前变频器的主要厂家推出的中小容量的新产品中大都采用了 IGBT 作为换流器件，隔离门极双极型晶体管有取。