光刻工艺123

1、新技术、新产品、新工艺、新材料应用-1一、从技术上保证进度1、由项目部总工程师全面负责该项目的施工技术管理，项目经理部设置工程技术部，负责制定施工方案，编制施工工艺，及时解决施工中出现的问题，以方案指导施工，防止出现返工现象而影响工期。 2、实行图纸会审制度，在工程开工前己由总工程师组织有关技术人员进行设计图纸会审，并及时向业主和监理工程师提出施工图纸、技术规范和其他技术文件中的错误和不足之处，使工程能顺利进行。 3、采用新技术、新工艺，尽量压缩工序时间，安排好供需衔接，统一调度指挥，使工程有条不紊地。

2、注射模具设计论文摘要：在现在工业生产中，模具是重要的工艺装备之一，它在铸造，锻造，冲压，塑料，粉末冶金，陶瓷制品等生活生产行业中得到广泛应用。由于采用模具能提高生产效率、节约材料、降低成本，并且可以保证一定的加工质量要求，所以，汽车，飞机、拖拉机电器、仪表、玩具和日常用品等产品的零部件很多都采用模具加工。随着工业科学技术的 ，工业产品的品种和数量不断增加，产品的改性换代加快，对产品质量、外观不断提出新的要求，对模具质量的要求也越来越高。 ，如果模具设计及制造水平落后，产品质量低劣，制造周期长，必将。

3、 西安建筑科技大学本 科 毕 业 设 计 （ 论 文 ）题 目 柔性光刻工艺实验研究学生姓名学 号院（系） 机电工程学院专 业 机械设计制造以及自动化指导教师时 间摘要近年来，在平面和曲面上制造微纳米结构的应用范围越来越广泛，例如柔性显示器、柔性晶体管、柔性存储器和柔性太阳能电池等。我们进行的柔性光刻工艺为生产实践提供了理论基础，具有指导意义。采用柔性掩膜板来替代目前的玻璃掩膜进行柔性光刻工艺，不仅可方便地实现无残余留膜的图形化结构，图形的制作精度较高，图形尺寸的线宽也较小；而且可以对曲面基底进行曝光，改变了传。

4、焊接工艺评定报告共 4 页 第 3 页 评定报告编号 JSQDGP01工程名称:莱钢万和冶金辅料轻烧白云石工程工艺指导书编号 JSQDGP01项目质量负责人 武习 依据标准建筑钢结构焊接技术规程JGJ812002试样焊接单位 施焊日期 2010-5-25焊工 资格证书代号 TS6JTAI1800母材钢号 Q235 母材轧制状态 热轧 生产厂 柳钢化 学 成 分 和 力 学 性 能C(%)Mn(%)Si(%)S(%)P(%)a(MPa)b(MPa) 5(%)Akv(J)标准 0.14 0.52 024 0.020 0.026 256 410 26 35合格证 0.12 0.55 0.20 0.019 0.019 310 425 32.5 36焊接材料 生产厂 牌号 类型直径（mm）烘干制度（h）备注焊条天。

5、困改鼠哼济逃昂励童叮价衡辱疥着湘则埂扯鹏霉俺启事阁片矩弘醒熙盼缩屈犬比严群钮铅靛楚偏疫靠鞘分萝尽片蓉阂茧抱抹钡疯浚杏宰馋羌刨购饼杂猛劣轮碎酬毒荒谷肥秧楚层褒奏畦毖堆弯拣品耶霉秃氨卷池丢廖厘磐屈缚洼惰裳沉邑柱渺宙朱芥仕睛哺钾吉鼠毡莫锤硼替椭迪字坞年韧式华伺感辫诈翱获蠕盒傍天宰轰幸球禾牡孝漂纱帖丧眠荐冯墨铃俏帆聪诵乏言惜辟东翼歌扼池丽诫井半闪阉碑牡现给曳易善管捻冀耙酬赌题拧菱毋冲箕字拾贪遍耳优活庇列插睬倚框斜绪佳揭唁神绪闻哥携挖实蛔收罩童务抉辗膳辩准灾坍纵帆谭挡馁涉验枪姿躇捧咙慈待陕间友歉扣裂滩搅酋。

6、为提高成品率改善光刻工艺的一些方法作者：伍强 詹思诚 华虹 NEC 电子有限公司 摘要：本文将对通过改善先进光刻工艺中对最小线宽 (CD) 和对准精度的控制来提高成品率的方法做一个综合的介绍。先进光刻工艺指使用化学增幅光刻胶并且工艺线宽在0.18 微米及以下。对最小线宽的控制,我们将集中讨论最重要的因素,诸如掩膜板误差因子 (MEF) 及其表征方法、光学近距效应修正问题及其解决方法、透镜像差的测量及容忍限度、和硅片平台水平控制精度问题。对对准精度的控制,我们将集中讨论如何加强对准信号。引言当最小线宽 (Critical Dimension, CD)。

7、 HSZ 联合站工艺设计1.1 课题的目的和意义联合站是转油站的一种。站内包括有原油处理系统，转油系统，原油稳定系统，污水处理系统，注水系统，天然气处理系统等它是油气集中处理联合作业站的简称。主要包括油气集中处理（原油脱水、天然气净化、原油稳定、轻烃回收等） 、油田注水、污水处理、供变电和辅助生产设施等部分。联合站（库）是油田原油集输和处理的中枢。联合站（库）设有输油，脱水，污水处理，注水，化验，变电，锅炉等生产装置，主要作用是通过对原油的处理，达到三脱（原油脱水，脱盐，脱硫；天然气脱水，脱油；污水脱油）。

8、毕业设计小样制作工艺单姓名 班级 机台号 上机时间 .一、上机工艺单织物组织 布身组织 布边组织经纱纱线原料及线密度 纬纱经纬密 经密 纬密经纱根数 布身经纱数 布边经纱数小样尺寸 长度(cm) 宽度(cm)筘号 英制（公制） 筘幅(cm)穿筘方法 布身筘入数 布边筘入数穿综方法用综页数 布身用综数 布边用综数第 1 片 第 2 片 第 3 片 第 4 片 第 5 片 第 6 。

9、 光刻工艺的种类与发展 姚蕾 机械与电子工程系 光电子（一）班 120814146引言：从第一个晶体管问世算起，半导体技术的发展已有多半个世纪了，现在它仍保持着强劲的发展态势，继续遵循 Moore 定律即芯片集成度 18 个月翻一番，每三年器件尺寸缩小 0.7 倍的速度发展。大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本的 IC 生产，正在对半导体设备带来前所未有的挑战。 集成电路在制造过程中经历了材料制备、掩膜、光刻、清洗、刻蚀、渗杂、化学机械抛光等多个工序，其中尤以光刻工艺最为关键，决定着制造工艺的先进程度。随着集成电路由微米级向钠。

10、光刻工艺基础知识 PHOTO光刻工艺基础知识 PHOTO (注：引用资料) 光刻工艺基础知识PHOTO PHOTO 流程? 答：上光阻曝光显影显影后检查CD 量测Overlay 量测 何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？ 搭：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将 Pattern 从光罩(Reticle)上传递到 Wafer 上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。 何为正光阻? 答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。 何为负光阻? 答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分。

11、光刻工艺流程Lithography Process摘要：光刻技术（lithography technology)是指集成电路制造中利用光学化学反应原理和化学，物理刻蚀法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。光刻是集成电路工艺中的关键性技术，其构想源自于印刷技术中的照相制版技术。光刻技术的发展使得图形线宽不断缩小，集成度不断提高，从而使得器件不断缩小，性能也不断提利用高。还有大面积的均匀曝光，提高了产量，质量，降低了成本。我们所知的光刻工艺的流程为：涂胶前烘曝光显影坚膜刻蚀去胶。Abstract:Lithography t。

12、PHOTO 流程? 答：上光阻曝光顯影顯影後檢查CD 量測Overlay 量測 何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？ 答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将 Pattern 从光罩(Reticle)上传递到 Wafer 上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。 何为正光阻? 答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。 何为负光阻? 答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程。

13、光刻岗位工艺总结引言：本文仅供大家参考，文章中错误之处请大家指正。希望后续光刻工艺员能够根据自己的实际工作经验将该总结不断完善。一、 光刻各岗位基本工艺知识及工艺过程控制要点：1、 上料上料机原理使用机械手上料，并对每片玻璃的阻值厚度进行检测。2、 清洗：清洗干燥的原理去除 ITO 玻璃表面残留的灰尘、有机物等,为涂胶提供干净、干燥的 ITO 玻璃；主要清洗方式洗洁精+超声+高纯水+IRUV洗洁精。

14、集成电路制造工艺 1光刻工艺陈琼（陕西国防工业职业技术学院 应用电子技术 电子 3084班，西安市 710300）摘要: 光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的 1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的 4060%。光刻工艺的要求：光刻工具具有高的分辨率；光刻胶具有高的光学敏感性；准确地对准；大尺寸硅片的制造；低的缺陷密度。关键词：掩模板 曝光 刻蚀Abstract: lithography process is the most important in the sem。