二极管命名规则

普通二极管来自 EEWiki.跳转到: 导航, 搜索目录隐藏 1 二极管的基本结构 2 点接触型二极管 3 面接触二极管 4 二极管的伏安特性 5 二极管的主要参数 6 半导体二极管的温度特性 7 半导体二极管的型号 8 普通二极管的检测 二极管的基本结构 二极管是由一个 PN 结构成的半导体器件,

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1、普通二极管来自 EEWiki.跳转到: 导航, 搜索目录隐藏 1 二极管的基本结构 2 点接触型二极管 3 面接触二极管 4 二极管的伏安特性 5 二极管的主要参数 6 半导体二极管的温度特性 7 半导体二极管的型号 8 普通二极管的检测 二极管的基本结构 二极管是由一个 PN 结构成的半导体器件,即将一个 PN 结加一两条电极引线做成管芯,并用管壳封装而成。P 型区的引出线称为正极或阳极,N 型区的引出线称为负极或阴极,如图 1 所示。 图 1 二极管的结构及符号 普通二极管有硅管或锗管两种,它们的正向导通电压(PN 结电压)差别较大,锗管为 0.20.3V,。

2、 触 发 二 极 管 IQC 检 验 规 范材料名称:触发二极管 文件编号:QS/ J-2004-C001-02 制作日期:2004-03-231 适用范围:本规范适用于本公司生产各种规格、型号电子节能灯用的触发二极管(以下简称触发管)的进厂检验。2 引用规范:下列规范所包含的条文,通过在本规范中的引用而构成为本规范的条文。在规范出版时,所示版本均为有效,所有规范都会被修订,使用本规范的各方应探讨使用下列规范最新版本的可能性。GB 2828-2003 逐批检查计数抽样程序及抽样表3 检验标准:3.1 外观3.1.1 触发管外观应圆滑光洁,无毛刺。3.1.2 触发管表面印记清。

3、变容二极管(Varactors) ,又称为电压调谐电容(Voltage variable Capactors,VVC)或调谐二极管(Tuning Diodes) ,当在二极管两端加上反向偏压时,会产生电容效应,通常变容二极管的电容量,随反向偏压增大而减小。变容二极管优点主要表现在:(1)体型小巧易于安装;(2)易于实现自动电子调谐(Auto Electronic Tuning) ,方便遥控的电子调谐器的设计。如今的电视系统或通信系统中的频道选择及呼叫等电路,基本上都由变容二极管完成。1、 变容二极管工作原理变容二极管的等效电路如图 4-7(a)所示。图 4-7 (a)变容二极管的等效。

4、什么二极管? 型号? 万用表档位? 二极管原理及特性 二极管的特性与应用 几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。 二极管的工作原理 晶体二极管为一个由 p 型半导体和 n 型半导体形成的 p-n 结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于 p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增。

5、光敏二极管(光电二极管)基础知识 什么光敏二极管?光敏二极管工作原理光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个 PN 结,和普通二极管相比,在结构上不同的是,为了便于接受入射光照,PN 结面积尽量做的大一些,电极面积尽量小些,而且 PN 结的结深很浅,一般小于 1微米。光电二极管(也称光敏二极管)是在反向电压作用之下工作的。没有光照时,反向电流很小(一般小于 0.1 微安),称为暗电流。当有光照时,携带能量的光子进入 PN 结后,把能量传给共价键上的束缚电子,使部分电子挣脱共价键,从而产生电子-空穴。

6、设计、制作常用 二极管资料大全 1.塑封整流二极管 IF VRRM VF Trr 序号 型号 A V V s 外形 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-。

7、二极管如何测量_各种二极管测量方法一. 二极管测量方法_普通二极管的检测 ( 检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管)是由一个 pn 结构成的半导体器件,具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值, 判别出二极管的电极,还可估测出二极管是否损坏。1极性的判别 将万用表置于 r100 档或 r1k 档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。两次测量的结果中,有一次测量出的阻值较大(为反向电阻) ,一次测量出的阻值较小(为正向电阻) 。在阻值较小的一次测量中,黑。

8、在自然界中,根据材料的导电能力,我们可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。 常见的导体如铜和铝、常见的绝缘体如橡胶、塑料等。什么是半导体呢?半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,常见的半导体材料有硅(Si)和锗(Ge)。到此,请记住两种半导体材料:硅、锗。因为以后你会听说硅管、锗管。意思很明显,说明这种二极管或三极管是用硅或锗作为基材的。半导体硅原子结构图半导体有几个特性有必要了解一下:热敏性、光敏性和掺杂性;半导体的热敏性:半导体的导电能力受温度影响较大,当温度升高时,半导体的导电能力大大增强,被称。

9、第1章 晶体二极管和二极管整流电路 教学重点 1 了解半导体的基本知识 本征半导体 掺杂半导体 掌握PN结的基本特性 2 理解半导体二极管的伏安特性和主要参数 3 了解几种常用的二极管 硅稳压二极管 变容二极管 发光二极管 光电二极管等 4 掌握单相半波 桥式全波整流电路的电路组成 工作原理与性能特点 了解电容滤波电路的工作原理 5 了解硅稳压管的稳压特性及稳压电路的稳压原理 教学难点 1 PN结。

10、各种二极管的用途及常用二极管转载引用:各种二极管的用途及常用二极管各种二极管的用途1、检波二极管A、用于检波电路B、用于鉴频电路C、用于鉴相电路D、用于混频电路E、用于限幅电路F、用于AGC电路G、用于测试电路H、用于指示器电路I、用于其它电路2、变容二极管A、用于调谐电路B、用于倍频电路C、用于控制电路D、用于其它电路3、整流二极管A、用于整流电路B、用于供电电路C、用于节电电路D、用于照明电路E、用于稳压电路F、用于测试电路G、用于控制电路H、用于保护电路I、用于指示器电路J、用于其它电路4、恒流二极管A、用于稳流电路B、。

11、快恢复二极管和肖特基二极管的区别快恢复二极管FRD(FastRecoveryDiode)具有开关特性好, 反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点.超快恢复二极管SRD(SuperfastRecoveryDiode),则是在快恢复二极管基础上发展而成的,其反向恢复时间trr 值已接近于肖特基二极管的指标.它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间断电源(UPS)、交流电动机变频调速(VVVF)、高频加热等装置中,作高频、大电流的续流二极管或整流管,是极有发展前途的电力、电子半导体器件.快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了。

12、肖特基二极管和快恢复二极管的区别快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us 以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用 PN 结型结构,有的采用改进的 PIN 结构。其正向压降高于普通二极管( 1-2V),反向耐压多在 1200V 以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在 100 纳秒以下。肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky BarrierDiode),具有正向压降低(0.4-0.5V)(用这个方法可以判断出该器件)、反向恢复时间很短(10-40 纳。

13、 二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小,而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。在电路中常用“D”加数字表示。 二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降 0.7V,锗管正向管压降为0.3V,发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。发光二极管主要有三种颜色,具体压降参考值如下:红色发光二极管的压降为 2.0-2.2V,黄色发光二极管的压降为 1.82.0V,绿色发光二极管的压降为 3.03.2V,正常发光时的额定电流约为 20mA。二极管的电压与电流不是线性关系,所以在将不同的二极管并联的时候要。

14、各种二极管的用途及常用二极管各种二极管的用途、检波二极管 、用于检波电路、用于鉴频电路、用于鉴相电路、用于混频电路、用于限幅电路、用于 AGC电路 、用于测试电路、用于指示器电路、用于其它电路、变容二极管、用于调谐电路、用于倍频电路、用于控制电路、用于其它电路、整流二极管、用于整流电路、用于供电电路、用于节电电路、用于照明电路、用于稳压电路、用于测试电路 、用于控制电路、用于保护电路、用于指示器电路、用于其它电路、恒流二极管、用于稳流电路、用于充电电路、用于测试电路、用于放大电路、用于保护电路、用于其。

15、整流二极管型号 整流二极管型号大全05Z6.2Y 硅稳压二极管 Vz=66.35V,Pzm=500mW,05Z7.5Y 硅稳压二极管 Vz=7.347.70V,Pzm=500mW,05Z13X硅稳压二极管 Vz=12.413.1V,Pzm=500mW,05Z15Y硅稳压二极管 Vz=14.415.15V,Pzm=500mW,05Z18Y硅稳压二极管 Vz=17.5518.45V,Pzm=500mW,1N4001硅整流二极管 50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)1N4002硅整流二极管 100V, 1A,1N4003硅整流二极管 200V, 1A,1N4004硅整流二极管 400V, 1A,1N4005硅整流二极管 600V, 1A,1N4006硅整流二极管 800V, 1A,1N4007硅整流二极管 1000V, 1A,1N4148二极管 75V, 4PF,Ir=25nA,Vf=1V。

16、TVS 管与 ESD 保护二极管的区别TVS 管与 ESD 保护二极管的区别 ESD 静电放电( Electro-Static discharge)TVS 瞬变电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressors)TVS 瞬态电压抑制 这里不论 TV 是如何产生的,比如直接或者间接的雷击,静电放电, 大容量的负载投切等因素导致的浪涌.电压从几伏到几十千伏甚至更高 . ESD 静电放电保护 这里的 ES 主要是三种模型所表述. 其中主要应用是 HBM 和 MM,简单说,就是人或者设备对器件放电(静电),但是器件不能损坏. 典型的 HBM CLASS 1C 模型规定 一个充电 1000V-2000V 的 100pF 的电容通过一个 15。

17、二极管和发光二极管、二极管的单向导电 二极管是半导体二极管的简称,是由半导体材料制成的.它有两根引线 (图 15-1),一根叫正极,一根叫负极.二极管的导电性质很特殊.它只允许用流从它的正极流向负极.这很像自行车的气门芯只允许气流从气筒流向车胎一样.实验照图 15-2 甲那样连接电路.接通开关,小灯泡发光,表示二极管允许电流通过,注意这时二极管的正、负极分别同电池组的哪个极相连接,把二极管的正、负极调换过来 (图 15-2 乙),再做这个实验可见,二极管有单向导电性质:只有二极管的正极接电源正权、二极管的负极接电源负极时,。

18、文件编号 版次 A/1文件名称:物料编码规则说明 生效日期 2010 年 11 月 1日 页数 1/4ERP 管理软件物料编码规则说明制定部门 工程部 文件编号 版本 A/0 总页数 共 4 页 发行日期 2010 年 11 月 1 日 生效日期 2010 年 11 月 1 日 文件版本 修订章节 修订说明A/0 - 首次發行批 准 审 核 制 定任步山文件编号 版次 A/1文件名称:物料编码规则说明 生效日期 2010 年 11 月 1日 页数 2/4一、 成品物料编码:KH L3RGB D-P公司代码 发光二极管类型 外形尺寸代码 模条型号代码 支架类型 支架型号代码 发光颜色代码 胶体颜色代码 胶体配比代码 封装。

19、各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN 型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3- 三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N 型锗材料、B-P 型锗材料、C-N 型硅材料、D-P 型硅材料。表示三极管时: A-PNP 型锗材料、B-NPN 型锗材料、C-PNP 型硅材料、D-NPN 型硅材料。第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P。

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