常用晶体材料

中国地质大学研究生院硕士研究生入学考试材料晶体化学考试大纲试卷结构名词解释与填空题 约 35%解答题 约 65%一、晶体及其基本性质考试内容晶体的概念,晶体结构的概念,晶体结构要素:质点、行列、面网、晶胞,晶格常数,晶体结构、玻璃结构、准晶结构的异同,晶体的基本性质:自限性、对称性、异向性、均匀性、

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1、中国地质大学研究生院硕士研究生入学考试材料晶体化学考试大纲试卷结构名词解释与填空题 约 35%解答题 约 65%一、晶体及其基本性质考试内容晶体的概念,晶体结构的概念,晶体结构要素:质点、行列、面网、晶胞,晶格常数,晶体结构、玻璃结构、准晶结构的异同,晶体的基本性质:自限性、对称性、异向性、均匀性、稳定性。考试要求1理解晶体的概念,会用晶体的概念解释晶体的基本性质。2理解晶体结构的概念,了解玻璃结构、准晶结构的概念。3掌握晶体结构要素。4掌握晶格常数。二、晶体的宏观对称考试内容对称的概念。宏观对称要素和对称操。

2、1晶体缺陷及其对材料性能的影响摘要:所有的天然和人工晶体都不是理想的完整晶体,它们的许多性质往往并不决定于原子的规则排列,而决定于不规则排列的晶体缺陷。晶体缺陷对晶体生长、晶体的力学性能、电学性能、磁学性能和光学性能等均有着极大影响,在生产上和科研中都非常重要,是固体物理、固体化学、材料科学等领域的重要基础内容。研究晶体缺陷因此具有了尤其重要的意义。本文着重对晶体缺陷及其对晶体的影响和应用进行阐述,以适应人们不同的实际需要和时代的发展需求。关键词:晶体缺陷 ; 性能Crystal defect and its influence on 。

3、常用晶体管 3 极管资料大全(3)晶体管型号 反压 Vbe0 电流 Icm 功率 Pcm 放大系数 特征频率 管子类型2SB564A 45V 0.05 0.25W * * PNP2SD1877 800V 4A 50W * * NPNBU508A 1500V 8A 125W * * NPNBUT11 1500V 5A 80W * * NPN2SD3505 900V 6A 50W * * NPN2SD906 1400V 8A 50W * * NPN2SD905 1400V 8A 50W * * NPN2SC1942 1500V 3A 100W * * NPN2SD1397 1500V 3.5A 50W * * NPN2SD1396 1500V 2.5A 50W * * NPN2SC3153 900V 6A 100W * * NPN2SD1403 1500V 6A 50W * * NPN2SD1410 1500V 3.5A 80W * * NPN2SD2057 1500V 5A 100W * * NPN2SD2027 150。

4、常用晶体管三极管资料大全晶体管型号 反压 Vbe0 电流 Icm 功率 Pcm 放大系数 特征频率 管子类型IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS 场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS 场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS 场效应 IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS 场效应 IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS 场效应 IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS 场效应 IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS 场效应 IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS 场效应 IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS 场效应 IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS 场效应 IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS 。

5、常用晶体管参数表索引 晶体管型号 反压 Vbeo 电流 Icm功率 Pcm 放大系数 特征频率 管子类型9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPN9012 50V 0.5A0.6W * * PNP9013 50V 0.5A0.6W * * NPN9014 50V 0.1A0.4W * 150MHZ NPN9015 50V 0.1A0.4W * 150MHZ PNP9018 30V 0.05A 0.4W * 1GHZ NPN2N2222 60V 0.8A0.5W 45 * NPN2N2369 40V 0.5A0.3W * 800MHZ NPN2N2907 60V 0.6A0.4W 200 * NPN2N3055 100V 15A 115W * * NPN2N2N3440 450V 1A 1W * * NPN2N3773 160V 16A 150W * * NPN2N5401 160V 0.6A0.6W * 100MHZ PNP2N5551 160V 0.6A0.6W * 100MHZ NPN2N568。

6、序号 型号 PcmW IcmA VceoV fTMHz 封装 用途说明 生产厂商数据手册001 2SA857 0.5 0.5 150 140 TO-92 TV-VA PNP NIP002 2SA928A 0.25 1 20 TO-92 HF PNP SANYO003 2SA940 25 1.5 150 4 TO-220 TV-VA PNP NIP004 2SA1015 0.3 0.1 50 150 TO-92 SW PNP SANYO005 2SA1156 10 0.5 400 0.2us TO-126 PNP NIP006 2SA1292 70 15 80 100 TO-251 SW PNP SANYO007 2SA1480 1.5 0.1 300 150 TO-126 PNP SANYO008 2SA1601 45 15 60 0.2us TO-126 SL/Io PNP 009 2SA1615 15 10 30 180 TO-220 PNP NIP010 2SA1623 0.3 0.1 50 200 SOT-23 PNP SAK011 2SA1。

7、大块非晶体材料的研究发展摘 要: 综合评述了大块非晶体材料的发展历史及研究现状 , 详细介绍了大块非晶合金的结构、性能与应用以及形成非晶合金的热力学条件、结构条件、以及动力学条件。同时还简单介绍了熔体水淬法、爆炸焊接法等制备技术。关键词: 大块非晶合金; 玻璃形成能力; 快速凝固非晶态合金即金属玻璃, 它是一种亚稳态的结构, 具有短程有序, 长程无序的特征, 固态时其原子的三维空间呈拓朴无序排列, 并在一定温度范围, 这种状态保持相对稳定。非晶态合金中没有位错, 没有相界, 没有第二相, 因此是无晶体缺陷的固体 , 原则上可以。

8、常用晶体管特性参数表S9018 SMD SINPN15V0.31W600MHZ 2SK1958 SMD N-FET16V0.1A0.15W215/60ns12ohm S9012 SIPNP25V0.4W 封装:CASE 29-02 S9013 SINPN25V0.4W 封装:CASE 29-02 S9014 SINPN25V0.31W80MHZ S9015 SIPNP25V0.31W150MHZ A931 SIPNP,VID,150V,0.05A,0.45W C2331 SINPN,NF/S-L,150V2A15W B647 SIPNP120V1A0.9W140MHZ D667 PA,120V,1A,0.9W140MHZ 2N4401 SINPN,NF/S,60V,0.6AHEF=40-500 2N4403 SIPNP,NF/S,40V,0.6AHEF=60-500 2N5401 SIPNP,180V,0.6A 0.31W 2N5551 SINPN,180V,0.6A 0.31W 2N2907A SIPNP,60V/60V,0.6A,0.4W26/70N。

9、常用晶体管参数查询Daten ohne Gewahr2N109 GE-P 35V 0.15A 0.165W | 2N1304 GE-N 25V 0.3A 0.15W 10MHz2N1305 GE-P 30V 0.3A 0.15W 5MHz | 2N1307 GE-P 30V 0.3A 0.15W B602N1613 SI-N 75V 1A 0.8W 60MHz | 2N1711 SI-N 75V 1A 0.8W 70MHz2N1893 SI-N 120V 0.5A 0.8W | 2N2102 SI-N 120V 1A 1W 502N2223A 2xSI-N 100V 0.5A 0.6W 50 | 2N2243A SI-N 120V 1A 0.8W 50MHz2N2369A SI-N 40V 0.2A .36W 12/18ns | 2N2857 SI-N 30V 40mA 0.2W 1GHz2N2894 SI-P 12V 0.2A 1.2W 60/90ns | 2N2905。

10、常用晶体管参数查询Daten ohne Gewahr2N109 GE-P 35V 0.15A 0.165W | 2N1304 GE-N 25V 0.3A 0.15W 10MHz2N1305 GE-P 30V 0.3A 0.15W 5MHz | 2N1307 GE-P 30V 0.3A 0.15W B602N1613 SI-N 75V 1A 0.8W 60MHz | 2N1711 SI-N 75V 1A 0.8W 70MHz2N1893 SI-N 120V 0.5A 0.8W | 2N2102 SI-N 120V 1A 1W 502N2223A 2xSI-N 100V 0.5A 0.6W 50 | 2N2243A SI-N 120V 1A 0.8W 50MHz2N2369A SI-N 40V 0.2A .36W 12/18ns | 2N2857 SI-N 30V 40mA 0.2W 1GHz2N2894 SI-P 12V 0.2A 1.2W 60/90ns | 2N2905。

11、常用广告材料说明广告板材 KT 板KT 板是一种 PS 发泡板材,板体挺括、轻盈、不易变质、易于加工,并可直接在板上丝网印刷、油漆(需要检测油漆适应性)及喷绘,广泛用于广告展示、建筑装饰、文化艺术及包装等方面。在广告方面的用途一是用于产品宣传信息发布的展览、展示及通告用装裱衬板,另外就是被大量应用于丝网一次印刷,特别适合用于大范围统一宣传活动的开展。KT 板是一种 PS 发泡板材,板体挺括、轻盈、不易变质、易于加工,并可直接在板上丝网印刷、油漆(需要检测油漆适应性)及喷绘,广泛用于广告展示、建筑装饰、文化艺术及包。

12、索引 晶体管型号 反压 Vbeo 电流 Icm 功率 Pcm 放大系数 特征频率 管子类型90 9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPN9012 50V 0.5A 0.6W * * PNP9013 50V 0.5A 0.6W * * NPN9014 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN9015 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ PNP9018 30V 0.05A 0.4W * 1GHZ NPN2N2222 60V 0.8A 0.5W 45 * NPN2N2369 40V 0.5A 0.3W * 800MHZ NPN2N2907 60V 0.6A 0.4W 200 * NPN2N3055 100V 15A 115W * * NPN2N2N3440 450V 1A 。

13、1功能晶体材料相关论文一.课题组简介功能晶体材料课题组主要开展新型光电功能晶体材料的生长和应用研究,主要包括:新型有机 THz 晶体的原料合成、生长和应用研究。新型激光晶体材料的生长和性能研究;KDP 类水溶液晶体的生长制备及光电应用研究。拥有 100 余平米的实验场地,拥有超纯水系统、通风橱系统以及防氧化蒸发干燥系统等实验配套设施,可以满足有机和无机晶体生长原料的合成需要;有 10 余套晶体生长设备(包括溶液法、熔盐法和提拉法),可以满足溶液法、提拉法和助熔剂法晶体生长的需要;另有 X 射线单晶定向仪、线切割机、晶体抛光。

14、常用晶体管参数查询Daten ohne Gewahr2N109 GE-P 35V 0.15A 0.165W | 2N1304 GE-N 25V 0.3A 0.15W 10MHz2N1305 GE-P 30V 0.3A 0.15W 5MHz | 2N1307 GE-P 30V 0.3A 0.15W B602N1613 SI-N 75V 1A 0.8W 60MHz | 2N1711 SI-N 75V 1A 0.8W 70MHz2N1893 SI-N 120V 0.5A 0.8W | 2N2102 SI-N 120V 1A 1W 502N2223A 2xSI-N 100V 0.5A 0.6W 50 | 2N2243A SI-N 120V 1A 0.8W 50MHz2N2369A SI-N 40V 0.2A .36W 12/18ns | 2N2857 SI-N 30V 40mA 0.2W 1GHz2N2894 SI-P 12V 0.2A 1.2W 60/90ns | 2N2905。

15、常用晶体管 2008-06-25 16:20:27 名 称 封装 极性 功 能 耐 压 电 流 功 率 频 率 配对管D633 28 NPN 音频功放开关 100V 7A 40W 达林顿9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 90129014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 90159015 21 PNP 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 90149018 21 NPN 高频放大 30V 0.05A 0.4W 1000MHZ8050 21 NPN 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 85508550 21 PNP 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 80502N2222 21 NPN 通用 60V 0.8A 0.5W 25200NS2N2369 4A NPN 开关 40V 0.5A 0.3W 800MHZ2N2907 4A NPN 通用 60V 0.6A 0.4。

16、 杭 州 富 阳 奥 星 电 子 有 限 公 司TEL:0571-63342995 FAX:0571-63318545 http:/ www.hzocean.wjw.com E-mail:hzdcean163.com1场 效 应 管MOSFET(Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor )型号TYPEPD (W)ID (A)V(BR)DSS (V)管脚排列PIN ARRAY封装形式PACKAGING TYPEIRF150 150 40 100 GDS TO-204AEIRF250 150 30 200 GDS TO-204AEIRF450 150 13 500 GDS TO-3PIRF460 300 21 500 GDS TO-204AEIRF540 150 28 100 GDS TO-220ABIRF630 75 9 200 GDS TO-220ABIRF640 125 18 200 GDS TO-220ABIRF730 74 5.5 400 GDS TO-220ABI。

17、固定输出(正电压)稳压器 78xx 系列 3 端稳压器 5V 到 24V1A 78Lxx 系列 3 端稳压器 5V 到 24V 0.1A 78Mxx 系列 3 端稳压器 5V 到 24V 0.5A 78Sxx 系列 3 端稳压器 5V 到 24V 2A 固定输出(负电压)稳压器 79xx 系列 3 端负电压稳压器 -5V 到 -24V 1A 110kb 79Lxx 系列 3 端负电压稳压器 -5V 到 -24V 0.1A 95kb 可调输出 - 常用稳压器 LM117 1.2V. 37V 1.5A 正电压可调稳压器 100kb LM217 1.2V. 37V 1.5A 正电压可调稳压器 100kb LM317 1.2V. 37V 1.5A 正电压可调稳压器 100kb LM137 -1.2V.-37V 1.5A 负电压可调稳压器 246kb LM237 -1.2V。

18、本帖最后由 春风电子 于 2009-7-27 10:13 编辑 名称 封装 极性 功能 耐压 电流 功率 频率 配对管 D633 28 NPN 音频功放开关 100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大 30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用 60V 0.8A 0.5W 25200NS 2N2369 4A NPN 开关 40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 。

19、Al2O3晶体 氧化铝晶体 白宝石 蓝宝石 Al2O3 是一种很重要的光学晶体 它具有高硬度 高熔点 高强度 高透过率 耐高温和抗腐蚀的特性 广泛地用于航空航天仪器的红外和紫外的窗口 激光工作窗口 高炉测温窗口以及太阳能电池保护罩和永不磨损手表镜面等 在窗口应用方面 它具有如下优良的特性 1 光透过范围从300nm到5 5 m 2 3 5 m波段红外透过率大于85 3 具有高硬度 高透过率 抗挠曲。

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