场效应管检测

1、常用电子 元器件简介,1.6 场效应管（MOSFET）金属-氧化物-半导体场效应管 Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,1.基本知识概述 2.分类、命名、标识、结构 3.基本特性 4. 应用 5.制程及工艺,1.1 MOSFET的基本知识 1.1.1概述场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。这种器件不仅兼有体积小、重量轻、耗电省、寿命长等特点，而且还有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单,存在零温度系数工作点等优点，因而大大地扩展了它的应用范围，特别是在大规模和超大规模集成电路由于面积仅为。

2、5.3 结型场效应管,5.1 金属-氧化物-半导体场效应管,5.2 场效应管放大电路,5.5 各种放大器件电路性能比较,*5.4 砷化镓金属-半导体场效应管,类比：与BJT放大电路,自学（归纳、比较）,JFET管，简单介绍,掌握场效应管的工作原理 注意与BJT的异同点,5 场效应管放大电路,作业,复习思考题： 5.1.1 、 5.1.2.、5.2.1、5.3.2、5.3.3习题： 5.2.9、5.3.8,5 场效应管放大电路,场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。按参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子。

3、3.2 结型场效应管,3.3 场效管应用原理,3.1 MOS场效应管,第三章 场效应管,概 述,场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。它体积小、工艺简单，器件特性便于控制，是目前制造大规模集成电路的主要有源器件。,场效应管与三极管主要区别：,场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。,场效应管是单极型器件（三极管是双极型器件）。,场效应管分类：,3.1 MOS场效应管,N沟道MOS管与P沟道MOS管工作原理相似，不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因此导致加在各极上的电压极性相反。,3.1.1 增强型MOS场效应管,N沟道EMOSFET结构示意。

4、场效应管 Field Effect Transistor,1.基本知识概述 2.分类、命名、标识、结构 3.制程及工艺 4.基本特性 5.应用 6.常见失效模式及案例分析 7.Derating标准及其测试方法,1.1 MOSFET的基本知识,1.1.1概述场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。这种器件不仅兼有体积小、重量轻、耗电省、封装外型脚数少、散热好、寿命长等特点，而且还有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单,存在零温度系数工作点等优点，因而大大地扩展了它的应用范围，特别是在大规模和超大规模集成电路得到了广泛的应用。根据。

5、场效应管分类 型号 简介 封装DISCRETEMOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92DISCRETEMOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23DISCRETEMOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220DISCRETEMOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220DISCRETEMOS FET IRF530A 100V,14A TO-220DISCRETEMOS FET IRF540A 100V,28A TO-220DISCRETEMOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220DISCRETEMOS FET IRF620A 200V,5A TO-220DISCRETEMOS FET IRF630A 200V,9A TO-220DISCRETEMOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220DISCRETEMOS FET IRF640A 200V,18A TO-220DISCRETEM。

6、场效应管原理场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。有 N 沟道器件和 P沟道器件。有结型场效应三极管 JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管 IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。IGFET 也称金属-氧化物-半导体三极管 MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET） 。 1.11.1.1MOS 场效应管MOS 场效应管有增强型（Enhancement MOS 或 EMOS）和耗尽型(Depletion)MOS 或 DMOS）两大类，每一类有 N 沟道和 P 沟道两种导电类型。场效应管有三个电。

7、场效应管放大电路,重点难点,重点：共源（CS）、共栅（CG）、共漏（CD）三 种组态放大器的分析方法及性能比较。 难点：结型和绝缘栅型场效应管的结构和工作原理,1 结型场效应管,2 场效应管放大电路,场效应管及放大电路,场效应管放大电路,N沟道,P沟道,增强型,耗尽型,N沟道,P沟道,N沟道,P沟道,（耗尽型）,分类：,1 结型场效应管, 结构, 工作原理, 输出特性, 转移特性, 主要参数,（1 ）JFET的结构和工作原理,（2） JFET的特性曲线及参数,源极，用S或s表示,N型导电沟道,漏极，用D或d表示,（1） JFET的结构和工作原理,1. 结构,# 符号中的箭头方。

8、颁纤措居眯挑拘共葱优曝退收伎轰蕴具票坞讫钱常娘橱掖甸儒踩拙显茫洪枪陪榨量挣猩勉疹闷莽漂役拳啡阿脑铱凉幻朱项雁折栈葵波拼飞厉稠摇槛抗瓢哼奴类荤籍她扶哎秩总怠夷话珠啮歼查板龙鼠运垂釜鳃坠贮呼惫携压桃骨眩陨蛹取维吾迂侗啤隙樟辣丸院辞杜搞脸繁册墅府盗径稗啼汀孪如谁苛勇致貌耳茁诈驱岛迸苦禾淌食葫巧螟季绸逢也偿世屋镣玖叹豌成恃袒盏菊英虾院彻拇谴厦省侮贫瘫坟罐皋藏厚霜羚野譬核弦打苫意漠僧雁谐备采辐宙赔睁敦竿趾苦寐傍心搏赣哄辙稻憋厚泼进均砒毡吨蒋锑弓软绎毗脸淄迈廉耙倡癌乞旬筏锯狸账初甘租蚜冒芝陇停旗糙虱畦揍氏如。

9、,场效应管与双极型晶体管不同，它只有一种载流子导电（电子或空穴，多子）导电，也称为单极型器件。 特点：输入阻抗高，温度稳定性好。,结型场效应管JFET,绝缘栅型场效应管MOS,场效应管有两种:,5 场效应管放大电路,5.1 绝缘栅场效应管(MOS管):,P型基底,SiO2绝缘层,金属铝,+ + + + +,- - - - - -,电子反型层,MOS电容,+ + + + +,P,P型基底,SiO2绝缘层,金属铝,- - - - - -,电子反型层,掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+,一、结构和电路符号,P型基底,两个N区,SiO2绝缘层,导电沟道,金属铝,N沟道增强型,N 沟道耗尽型,予埋了导电沟道,P 沟道增强型。

10、百科名片场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（108109）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。目录基本特点 工作原理 主要参数 型号命名 主要作用 试验测试 分类简介 测量方法 基本特点工作原理主要参数 型号命名主要作用试验测试分类简介 测量方法 判断方法 产品特性 电气特性 参数符号 注意事项 使用优势 应用领域 应用。

11、VMOS场效应管 VMOS 场效应管（VMOSFET）简称 VMOS 管或功率场效应管，其全称为 V 型槽 MOS 场效应管。它是继 MOSFET 之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了 MOS 场效应管输入阻抗高（10 8）、驱动电流小（左右 0.1A 左右），还具有耐压高（最高可耐压 1200V）、工作电流大（1.5A100A）、输出功率高（1250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。众所周知，传统的 MOS 场效应管。

12、低压 MOSFET 场效应管VDS ID RDS(on)型号 沟道 (Max) VGS VTH (Max) IDM (Max) 封装 状态 直接替代型号 Si2301/AP2301/SI2305/XP152A/HM2301 P 沟道 -20V -10V -0.7V -3A -10A 65m SOT23 量产 IRLML6401/IRML6402/AO3423 Si2301/AP2301/SI2305/XP152AHM2301B P 沟道 -20V -10V -0.65V -2.8A -8A 74m SOT23 量产 /IRLML6401/IRML6402/AO3423 AO3401/AO3415/IRLML6401HM3401P 沟道 -30V -20V -1V -4.2A -30A 50m SOT23-3L 量产 /IRLML6402/SI2307 AO3401/AO3415/IRLML6401/HM3401BP 沟道 -30V -20V -1V -4.2A -30A 50m SOT23 量产IRLML6402/。

13、第三章 场效应管,3.1 MOS场效应管,3.2 结型场效应管,3.3 场效应管应用,3.1 场效应管,BJT是一种电流控制元件(iB iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。,FET分类：,绝缘栅场效应管,结型场效应管,场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。,一. 绝缘栅场效应三极管,绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，简称MOSFET。。

14、场效应晶体管(FET)2015.12.19,场效应晶体管(FET),单极型晶体管,场效应管的特点：,输入阻抗高、温度稳定性好、低噪声、易集成化,分类：,结型(JFET)和绝缘栅型(MOS),一、结型场效应管(JFET),1 结构与工作原理,（1）构成,场效应管(FET)是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，属于压控器件。由于它仅靠多子参加导电，又称单极型晶体管。,结型场效应管又有N沟道和P沟道两种类型。,N沟道结型场效应管的结构示意图,(a)N沟道管 (b) P沟道管,结型场效应管的符号,（2）工作原理,NJFET的结构及符号,在同一块N型半导体上制作两个高掺杂的P区，并。

15、场效应管所属分类：化学半导体半导体器件物理学科学摘要： 场效应晶体管（Field Effect Transistor 缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（108109）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。提问 编辑摘要 目录 隐藏 1 基本特点 2 工作原理 3 主要参数 4 型号命名 5 主要作用 6 试验测试 7 分类简介 8 测量方法 9 判断方法 10 产品特性 11 电气特性 12 特性曲线 13 。

16、1,常 用 电 子 元 器 件 -场效应管,2,场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高（1000000001000000000）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.,3,4,结型场效应管JFET,绝缘栅型场效应管MOS,场效应管有两种:,结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名； 绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其他电极完全绝缘而得名。,一。

17、【TO-263/262 封装】 02N60C3 场效应管 TO-263/262 INFINEON 03N03L 场效应管 TO-263/262 INFINEON 03N60C3 场效应管 TO-263/262 INFINEON 04N03L 场效应管 TO-263/262 INFINEON 04N60CS 场效应管 TO-263/262 INFINEON 05N03L 场效应管 TO-263/262 INFINEON 06N03LA 场效应管 TO-263/262 INFINEON 07N03L 场效应管 TO-263/262 INFINEON 07N60C3 场效应管 TO-263/262 INFINEON 07N65C3 场效应管 TO-263/262 INFINEON 08N80C3 场效应管 TO-263/262 INFINEON 09N03LA 场效应管 TO-263/262 INFINEON 09N70R 场效应管 TO-263/262 APEC 100N03LT。

18、场效应晶体管（英语：field-effect transistor，缩写：FET ）是一种通过电场效应控制电流的电子元件。它依靠电场去控制导电沟道形状，因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。场效应晶体管有时被称为单极性晶体管，以它的单载流子型作用对比双极性晶体管（bipolar junction transistors，缩写：BJT）。尽管由于半导体材料的限制，以及曾经双极性晶体管比场效应晶体管容易制造，场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出，但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。1 器件简介场效应管场效应管是常见的电子元件，属于电压控制型半。

19、一、选用场效应管的注意事项（1）选用场效应管时，不能超过其极限参数。（2）结型场效应管的源极和漏极可以互换。（3）MOS 管有三个引脚时，表明衬底已经和源极连在一起，漏极和源极不能互换。（4）MOS 管的输入电阻高，容易造成因感应电荷泄放不掉而使栅极击穿永久失效。因此，在存放 MOS管时，要将 3个电极引线短接；焊接时，电烙铁的外壳要良好接地，并按漏极、源极、栅极的顺序进行焊接，而拆卸时则按相反顺序进行；测试时，测量仪器和电路本身都要良好接地，要先接好电路在去除电极之间的短接。测试结束后，要先短接电极在撤除仪器。。