半导体激光器的模式

1、绿色开花植物的有性生殖,花柄,花萼,花瓣,子房,花柱,柱头,雌蕊,花冠,花药,花丝,雄蕊,一、花 的 结 构,花托,子房,子房壁,珠被,珠心（内有1个卵细胞和2 个极核）,胚珠,卵细胞,极核,二、开花和传粉,当花蕊发育成熟后，花冠和花萼张开，露出雄蕊和雌蕊，这一过程叫开花,花开放后，雄蕊的花药破裂，花粉散出，落到雌蕊的柱头上，这一过程叫传粉,一朵花的雄蕊产生的花粉粒，落在同一朵花雌蕊的柱头上。,自花传粉：,借助外力作用，一朵花的雄蕊产生的花粉粒，落在另一朵花雌蕊的柱头上。,异花传粉：,问题1：虫媒传粉植物的花有哪些特点与昆虫传粉。

2、1半导体激光器的设计和工艺黄永箴中国科学院半导体所，光电子研发中心集成光电子国家重点实验室2一. 半导体激光器的基本结构 1.半导体双异质结构 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 3. 侧模控制(基侧模) 4.横模控制 5. 动态单模半导体激光器 6. 波长可调谐半导体激光器 7.长波长VCSEL的进展 8.微腔激光器和光子晶体 9.半导体激光器材料的选择3二.半导体光波导 1. 平板波导的模式，TE和TM模 2. 光限制因子和模式增益 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 4. 半导体激光器镜面反射系数 5. DFB激光器的藕合模理论 6. DFB半导体激光器的一维模拟 7. 。

3、上节课回顾：半导体激光器的制备流程；半导体激光器的结构要求n 机械稳定性；n 电连接；n 散热问题；以 50%电光转换效率计算，一个典型的中等功率 50W/bar，腔长为 1mm，热流密度为 500W/cm2，电流密度 1000A/cm2以每个发光单元 2W，有源区尺寸1um100um计算，体发热密度 21010W/m3。典型的封装形式n Bar p面朝下焊接到热沉上，热沉充当正极；n 热沉根据散热量不同分为有源、无源热沉；n N面电连接采用 Cu箔或金丝引线。发光方向电流方向热 散出方向上 电极下 电极Bar焊接焊料的选择n 软焊料纯 In材料具有非常好的延展性，抗疲劳性以及抗裂。

4、第四章 半导体激光器件,4.1 异质结半导体激光器 4.2 量子阱半导体激光器 4.3 垂直表面发射激光器 4.4 分布反馈半导体激光器 4.5 半导体激光器的主要性能 4.6 半导体激光器调制及与光纤的耦合,4.5 半导体激光器的主要性能,1、阈值特性 2、效率 3、空间模式 4、纵模 5、线宽 6、 动态特性 7、 热特性 8、 可靠性,4.5.1 阈值特性,阈值是所有激光器的属性，标志着增益和损耗的平衡点。 阈值常用电流密度Jth或者电流Ith表示。影响激光器阈值特性的主要因素：1）器件结构2）有源区材料3）器件工作温度,1）器件结构的影响,不同的器件结构阈值电流。

5、题 目： 半导体激光器的发展与应用 学 院： 理 专 业： 光 姓 名： 刘 半导体激光器的发展与应用摘要：激光技术自 1960年面世以来便得到了飞速发展，作为激光技术中最关键的器件激光器的种类层出不穷，这其中发展最为迅速，应用作为广泛的便是半导体激光器。半导体激光器的独特性能及优点，使其获得了广泛应用。本文就简要回顾半导体激光器的发展历程，着重介绍半导体激光器在日常生活与军用等各个领域中的应用。关键词：激光技术、半导体激光器、军事应用、医学应用引言激光技术最早于 1960年面世，是一种因刺激产生辐射而强化的光。激光。

6、实验一 半导体激光器的安全使用操作一、实验目的 熟悉半导体激光器的一般常识。 掌握半导体激光器的安全使用及操作。 熟悉半导体激光器波导腔的特性及输出偏振特性。 了解 PN 结平面及快慢轴方向的分辨。 熟悉半导体激光器的出厂技术参数。二. 半导体激光器原理及常识介绍 2.1 运行机理 对于典型的双异质结半导体器激光器是靠 PN 结正向注入和载流子的复合发光的，要使它发射激光需具备的条件是：粒子数反转分布；有合适的光谐振腔起反馈作用；满足一定的阀值条件。 对于条件一般是采用简并的 P 型和 N 型半导体构成 PN 结，大量的载流子。

7、 0广西师范学院2017年本科毕业论文论文题目中国半导体激光器的发展历程毕 业 生：吴 伊 琴指导老师：王 革学科专业：物理学（师范）摘要“激光器”其实就是能够产生激光的装置。作为 20 世纪以来，目前在人类科1技进步史上与原子能，计算机，半导体并驾齐驱的重大发明，激光的许多特性对于社会进步有着巨大的影响。而半导体激光器是激光器重要的一个分支，也是如今生产量最大，运用最广的激光器。本文是整理记录中国半导体激光器的发展历程的一篇论文，文中涉及到以下几个方面：一半导体激光器的基本原理。本文先对激光，激光器，半导体激。

8、半导体激光器和氦氖激光器的比较 总体来讲，红光半导体激光器与氦氖激光器相比各有其优势和劣势。本文对氦氖激光器与半导体激光的优缺点进行一些简述，希望对不同应用的客户在选择激光器时产生些许帮助。激光功率稳定性对比半导体激光器模块的核心部件为半导体激光管，即 LD（Laser Diode），绝大多数半导体激光器模块生产厂家均是购买来 LD 然后进行装配的。半导体激光管（LD）的激光输出功率会随其壳体的温度变化而有较大变化。下图为一个典型的半导体激光管的功率电流曲线，从图中可以看到对于同一电流输入的情况，不同的壳体温度会导。

9、半导体激光器与氦氖激光器的比较 本文简述了氦氖激光器与半导体激光的优缺点，希望对不同的应用者在选择激光器时产生一点帮助。半导体激光器 氦氖激光器外观激光功率稳定性对比半导体激光器模块的核心部件为半导体激光管，即 LD（Laser Diode），绝大多数半导体激光器模块生产厂家均是购买来 LD 然后进行装配的。半导体激光管（LD）的激光输出功率会随其壳体的温度变化而有较大变化。下图为一个典型的半导体激光管的功率电流曲线，从图中可以看到对于同一电流输入的情况，不同的壳体温度会导致激光管输出的功率产生变化。半导体激光器模块。

10、半导体激光器 朱守奎 ，马小品 2014年11月7日,一、简单介绍,1. 激光：英文LASER是Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation (受激辐射放大光)的缩写。 2.半导体激光器（LD）：又名激光二极管（Laser Diode），是以半导体材料作为工作物质的激光器，是实际应用中最重要的一类激光器。 3.特点：超小型、高效。

11、半导体激光器发散角和偏振特性测量,实验目的：,1、掌握半导体激光器远场发散角的测量方法。 2、掌握半导体激光器偏振特性的测量方法。,实验原理,X方向（快轴），它与结平面方向垂直，又称为横向,发散角较大；Y方向（慢轴），为与结平面平行的方向，又称为侧向,发散角较小;出射激光的光斑即可判断这种边缘发射半导体激光器的结平面方向。,1、空间模和纵模,近场分布是指LD发光面上的辐射强度分布，即反映P-N结上光强的分布；远场分布则是指远离激光器无穷远处的辐射强度分布（光强与角度的分布）。远场分布是近场分布的Fourier变换。半导体。

12、半导体激光器工作原理及基本结构,李璟,半导体激光器工作原理及基本结构,工作原理 分类 材料及器件结构,半导体激光器工作原理,半导体激光器是一种在电流注入下能够发出相干辐射光（相位相同、波长基本相同、强度较大）的光电子器件。,半导体激光器工作原理,工作三要素： 受激光辐射、谐振腔、增益大于等于损耗。,自发光辐射和受激光辐射,自发光辐射（发光二极管）当给器件加正向偏压时，n区向p区注入电子，p区向n区注入空穴，在激活区电子和空穴自发地复合形成电子-空穴对，将多余的能量以光子的形式释放出来，所发射的光子相位和方向各不。

13、5.4 半导体激光器,以半导体材料为工作物质的激光器称为半导体激光器。其特点为超小型、高效率、低成本、工作速度快和波长范围宽等。它是激光光纤通信的重要光源。目前在光存储、激光高速印刷、全息照相、激光准直、测距及医疗等许多方面广泛应用。而在光信息处理、光计算机和固体激光器泵浦等方面却正是方兴未艾。自1962年半导体砷化嫁（GaAs）同质结激光器问世后，半导体从同质结、单异质结、双 异质结到半导体激光器阵列，波长范围履盖了可见光到长波红外，逐渐地成为现代激光器件中的应用面最广、发展最为迅速的一种重要器件类型。同以。

14、半导体激光器的应用半导体激光在 1962 年被成功激发，在 1970 年实现室温下连续输出。后来经过改良，开发出双异质接合型激光及条纹型构造的激光二极管等，广泛使用于光纤通信、光盘、激光打印机、激光扫描器、激光指示器（激光笔） ，是目前生产量最大的激光器。半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的激光器，由于物质结构上的差异，不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓（GaAs） 、硫化镉（CdS ） 、磷化铟 (InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。 半导体激光器件，可分为同质。

15、光纤通信光源,讲 义 武汉大学 电子信息学院 何对燕,00-10-10,武汉大学 电子信息学院,2,1.光纤通信中的光源,将电信号转换为光信号； 有两种：半导体激光二极管（LD）；半导体发光二极管（LED）； 要求：发射波长与光纤低损耗和低色散波长一致；在室稳下连续工作，低功耗，谱线窄；体积小，重量轻，使用寿命长；制造工艺简单，成本低，可靠性高；,00-10-10,武汉大学 电子信息学院,3,2.半导体中光的发射和激射原理,原子的能级结构：电子的量子化：能量是离散值；原子的能级：分立的能量值；基态（稳态）：原子能量最低；激发态：原子能量比基。

16、半导体激光器原理与制造,Semiconductor laser diode Principle&Fabrication,主要内容,1.半导体物理基础知识 2.半导体激光器工作原理 3.工作特性及参数 4.结构及制造工艺 5.面发射激光器,半导体物理基础知识,能带理论 直接带隙和间接带隙半导体 能带中电子和空穴的分布 量子跃迁 半导体异质结 半导体激光器的材料选择,能带理论:晶体中原子能级分裂,晶体中的电子作共有化运动，所以电子不再属于某一个原子，而是属于整个晶体共有 晶体中原子间相互作用，导致能级分裂，由于原子数目巨大，所以分裂的能级非常密集，认为是准连续的，即形成能。

17、1激光器的模式分析,半导体激光器的模式,当注入电流大于阈值电流时，辐射光在腔内建立起来的电磁场模式称为激光器的模式,通常用纵模表示沿谐振腔传播方向上的驻波振荡特性，横模表示谐振腔横截面上的场型分布。,半导体激光器的模式特性可分成纵模和横模,纵模决定频谱特性 横模决定光场的空间特性，即横模决定近场特性（在激光器表面）和远场特性（近场的傅里叶变换）,1激光器的模式分析,半导体激光器的模式,横模分为水平横模和垂直横模两种类型。,水平横模反映出有源区中平行于PN结方向光场的空间分布，主要取决于谐振腔宽度、边壁材料及其。