1、 SVF7N65T/F/FG/K/S说明书 版本号：1.7 2012.09.29 共9 页 第1 页 命名规则 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装 SVF7N65T TO-220-3L SVF7N65T 无铅 料管 SVF7N65F TO-220F-3L SVF7N65F 无铅 料管 SVF7N65FG TO-220F-3L SVF7N65FG 无卤 料管 SVF7N65K TO-262-3L SVF7N65K 无铅 料管 SVF7N65S TO-263-2L SVF7N65S 无铅 料管 SVF7N65STR TO-263-2L SVF7N65S 无铅 编带 7A、
2、650V N沟道增强型场效应管 描述 SVF7N65T/F/FG/K/S N 沟 道增强型高 压功率 MOS 场 效应 晶体管采用士 兰微电子 F-Cell TM 平面高压 VDMOS 工 艺 技术制 造。先进的工艺及条状 的原 胞设计结构使得该产品 具有 较低的导 通电阻、优越的开 关性能及 很高的雪崩击穿耐 量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点 7A ，650V ，R DS(on)( 典 型值 ) =1.1 V GS =10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力 http:/www.
3、junyi- QQ:2355820666士兰微电子SVF7N65T/F/FG/K/S说明书 版本号：1.7 2012.09.29 共9 页 第2 页 极限参数( 除非特殊说明 ，T C =25 C) 参 数 符 号 参数范围 单位 SVF7N 65T SVF7N 65F(G) SVF7N 65K SVF7N 65S 漏源电压 V DS 650 V 栅源电压 V GS 30 V 漏极电流 T C = 25 C I D 7.0 A T C = 100C 4.0 漏极脉冲电流 I DM 28.0 A 耗散功率（T C=25 C ） - 大于 25C 每摄氏度减少 P D 145 46 138 140
4、 W 1.16 0.37 1.10 1.12 W/ C 单脉冲雪崩能量（注 1 ） E AS 435 mJ 工作结温范围 T J -55+150 C 贮存温度范围 T stg -55+150 C 热阻特性 参 数 符 号 参数范围 单位 SVF7N 65T SVF7N 65F(G) SVF7N 65K SVF7N 65S 芯片对管壳热阻 R JC 0.86 2.7 0.91 0.89 C/W 芯片对环境的热阻 R JA 62.5 120 62.5 62.5 C/W 电性参数( 除非特殊说明 ，T C =25 C) 参 数 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 B VDS
5、S V GS=0V ， I D=250A 650 - - V 漏源漏电流 I DSS V DS=650V ，V GS=0V - - 1.0 A 栅源漏电流 I GSS V GS=30V ，V DS=0V - - 100 nA 栅极开启电压 V GS(th) V GS= V DS ，I D=250A 2.0 - 4.0 V 导通电阻 R DS(on) V GS=10V ，I D=3.5 - 1.1 1.4 输入电容 C iss V DS=25V ，V GS=0V ， f=1.0MHz - 903.3 - pF 输出电容 C oss - 97.7 - 反向传输电容 C rss - 3.1 - 开启
6、延迟时间 t d(on) V DD=325V， R G=25 ，I D=7.0A ( 注 2 ，3) - 29.00 - ns 开启上升时间 t r - 48.00 - 关断延迟时间 t d(off) - 39.00 - 关断下降时间 t f - 33.00 - 栅极电荷量 Q g V DS=520V ，I D=7.0A ，V GS=10V (注 2 ，3) - 15.50 - nC 栅极-源极电荷量 Q gs - 5.40 - 栅极-漏极电荷量 Q gd - 4.50 - 士兰微电子SVF7N65T/F/FG/K/S说明书 版本号：1.7 2012.09.29 共9 页 第3 页 源-漏二极
7、管特性参数 参 数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 I S MOS 管中源极、漏极构成的反 偏 P-N 结 - - 7.0 A 源极脉冲电流 I SM - - 28.0 源- 漏二极管压降 V SD I S=7.0A ，V GS=0V - - 1.4 V 反向恢复时间 T rr I S=7.0A ，V GS=0V ， dI F/dt=100A/s （注 2 ） - 532.77 - ns 反向恢复电荷 Q rr - 3.57 - C 注： 1. L=30mH ，I AS=5.0A ，V DD=100V，R G=25 ，开始温度 T J=25 C ； 2. 脉冲测试： 脉
8、冲宽度 300 s ， 占空比2 % ； 3. 基本上不受工作温度的影响。 典型特性曲线 图1.输出特性 图2.传输特性 漏极电流 I D (A) 漏源电压 V DS (V) 漏极电流 I D (A) 0.1 1 10 0 2 4 6 8 10 1 3 5 7 9 栅源电压 V GS (V) 0.8 0.9 1.0 1.2 1.3 1.4 1.5 0 2 8 10 V GS=10V V GS=20V 注：T J=25C 漏源导通电阻 R DSON) ( ) 漏极电流 I D (A) 图3. 导通电阻vs.漏极电流和栅极电压 0.2 0.4 0.6 0.8 1.2 1.0 0.1 1 10 反向
9、漏极电流 I DR (A) 源漏电压 V SD (V) 图4. 体二极管正向压降vs.源极电流、温度 1.1 1.6 6 4 注： 1.250S脉冲测试 2.V DS=50V 100 -55C 25C 150C -55C 25C 150C 注： 1.250S脉冲测试 2.V GS=0V 0.1 1 100 0.1 1 10 100 VGS=4.5V VGS=5V VGS=5.5V VGS=6V VGS=7V VGS=8V VGS=10V VGS=15V 变量 10 注： 1.250S 脉冲测试 2.TC=25C士兰微电子SVF7N65T/F/FG/K/S说明书 版本号：1.7 2012.09.
10、29 共9 页 第4 页 典型特性曲线（续） 0.8 0.9 1.1 1.0 -100 -50 0 50 100 200 漏源击穿电压（标准化） B VDSS (V) 结温 T J (C) 图7. 击穿电压vs.温度特性 漏源导通电阻（标准化） R DS(ON) ( ) 图8. 导通电阻vs.温度特性 结温 T J (C) 1.2 150 注： 1. V GS=0V 2. I D=250A 0.0 0.5 2.0 1.5 -100 -50 0 50 100 200 3.0 150 1.0 2.5 注： 1. V GS=10V 2. I D=3.5A 漏极电流 - I D (A) 10 -2 1
11、0 -1 10 0 10 0 10 1 10 2 10 3 图9-1. 最大安全工作区域(SVF7N65T) 漏源电压 - V DS (V) 10 1 图9-2. 最大安全工作区域(SVF7N65F(G) 此区域工作受限于R DS(ON) 注： 1.T C=25C 2.T j=150C 3. 单个脉冲 10ms 1ms 100s DC 10 2 漏极电流 - I D (A) 10 -2 10 -1 10 0 10 0 10 1 10 2 10 3 漏源电压 - V DS (V) 10 1 此区域工作受限于R DS(ON) 注： 1.T C=25C 2.T j=150C 3. 单个脉冲 10ms
12、 1ms 100s DC 10 2 图5. 电容特性 图6. 电荷量特性 电容(pF) 0.1 1 10 100 漏源电压 V DS (V) 栅源电压 VGS(V) 0 0 4 8 16 总栅极电荷 Qg(nC) 注：I D=7.0A V DS=520V V DS=325V V DS=130V 0 200 400 800 1000 2000 注： 1. V GS=0V 2. f=1MHz 2 4 6 8 10 12 12 600 1200 1400 1600 C iss C oss C rss C iss=C gs+C gd(C ds=shorted) C oss=C ds+C gd C rs
13、s=C gd 1800士兰微电子SVF7N65T/F/FG/K/S说明书 版本号：1.7 2012.09.29 共9 页 第5 页 典型特性曲线（续） 25 50 75 100 125 150 0 2 4 6 10 漏极电流 - I D (A) 壳温 T C (C) 图 10. 最大漏极电流vs. 壳温 8 漏极电流 - I D (A) 10 -2 10 -1 10 0 10 0 10 1 10 2 10 3 图9-3. 最大安全工作区域(SVF7N65K) 漏源电压 - V DS (V) 10 1 此区域工作受限于R DS(ON) 注： 1.T C=25C 2.T j=150C 3.单个脉冲
14、 10ms 1ms 100s DC 10 2 漏极电流 - I D (A) 10 -2 10 -1 10 0 10 0 10 1 10 2 10 3 图9-4. 最大安全工作区域(SVF7N65S) 漏源电压 - V DS (V) 10 1 此区域工作受限于R DS(ON) 注： 1.T C=25C 2.T j=150C 3. 单个脉冲 10ms 1ms 100s DC 10 2士兰微电子SVF7N65T/F/FG/K/S说明书 版本号：1.7 2012.09.29 共9 页 第6 页 典型测试电路 12V 50K 300nF 与待测器件 参数一致 待测器件 VGS 3mA VDS VGS 1
15、0V 电荷量 Qg Qgs Qgd 栅极电荷量测试电路及波形图 开关时间测试电路及波形图 VDS VGS RG RL VDD 10V VDS VGS 10% 90% td(on) ton tr td(off) toff tf EAS 测试电路及波形图 VDS RG VDD 10V L tp ID BVDSS IAS VDD tp Time VDS(t) ID(t) EAS = 1 - 2 LI AS 2 BVDSS BVDSS VDD 待测器件 待测器件 200nF士兰微电子SVF7N65T/F/FG/K/S说明书 版本号：1.7 2012.09.29 共9 页 第7 页 封装外形图 TO-2
16、20-3L 单位：mm 6.107.00 4.50.2 10.00.3 1.20.2 13.10.5 2.54TYP 0.800.20 0.50.2 15.116.1 3.95MAX 3.70.2 1.802.80 1.300.30TO-220F-3L 单位：mm 3.300.25 2.800.30 4.720.30 10.030.30 2.550.25 15.750.50 9.800.50 2.54 TYPE 1.47MAX 0.800.15 0.500.15 15.800.50 6.700.30 3.200.20士兰微电子SVF7N65T/F/FG/K/S说明书 版本号：1.7 2012.
17、09.29 共9 页 第8 页 封装外形图（续） TO-262-3L 单位：mm 0.810.05 5.08 3.780.20 8.650.10 2.690.10 4.700.08 1.270.03 0.420.05 1.270.05 10.200.08 2.54 1.260.06 8.840.05 8.760.05 0.380.02TO-263-2L 单位： mm 4.570.10 1.270.10 1.270.10 00.15 8.700.20 5.280.20 15.250.25 2.54TYP 10.150.30 0.810.10 1.50.20 4.985.18 0.300.55 2
18、.540.20士兰微电子SVF7N65T/F/FG/K/S说明书 版本号：1.7 2012.09.29 共9 页 第9 页 声明： 士兰保留说明 书的更改权，恕不另行通知！ 客户在下单前应获取最新版本 资料，并验证相关信息是否完 整和最新。 任何半导体产 品特定条件下都有一定的失效 或发生故障的可能，买方有责 任在使用 Silan 产品进行系统 设计和整机制 造时遵守安全标准并采取安全 措施，以避免潜在失败风险可 能造成人身伤害或财产损失情 况的发生！ 产品提升永无 止境，我公司将竭诚为客户提 供更优秀的产品 ！ 附： 修改记录： 日 期 版本号 描 述 页 码 2010.10.13 1.0 原版 2011.02.15 1.1 修改“极限参数”、“电性参数” 2011.08.30 1.2 修改“封装外形图” 2012.01.04 1.3 修改“电性参数”、电容特性曲线 2012.04.11 1.4 增加SVF7N65F 的无卤信息 2012.05.31 1.5 修改Trr 和Qrr 的值；修改图1 2012.08.14 1.6 增加TO-262-3L封装 2012.09.29 1.7 增加TO-263-2L封装
