2.3 半导体二极管,一、基本结构,PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。,点接触型,面接触型,二、伏安特性,死区电压Vth 硅管0.5V,锗管0.1V。,导通电压VD: 硅管0.60.7V, 锗管0.20.3V。,反向击穿电压VBR,门坎电压(死区电压）Vth：通过二极管的电流有一明显值时所加的正向电压。,三、主要参数,1. 最大整流电流 IF,二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。,2. 反向击穿电压VBR,二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VBRM一般是VBR的一半。,3. 反向电流 IR,指二极管加反向峰值工作电压时(未被击穿）的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。,以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。,4. 微变电阻 rd,vD,rd 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比：,显然，rd是对Q附近的微小变化区域内的电阻。,5. 二极管的极间电容,二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。,
