1、第二章 基本放大电路,自测题,习 题,返回,自测题,一、在括号内用“”或“”表明下列说法是否正确。,（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ）,（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ ）,（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（ ）,（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ ）,（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ ）,（6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（ ）,（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（ ）,二、试分析图示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述
2、理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。,不能。因为输入信号被VBB短路。,可能。,不能。因为没有合适的静态工作点，IBQ=0，信号失真。,不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。,不能。因为输入信号被C2短路。,不能。因为输出信号被VCC短路，恒为零。,可能。,不合理。因为G-S间电压将大于零。,不能。因为T截止。,三、在图示电路中， 已知VCC12V，晶体管的100，Rb100k。填空：要求先填文字表达式后填得数。,（1）当0V时，测得UBEQ0.7V，若要基极电流IBQ20A， 则 Rb和RW之和Rb k；而若测得 UCEQ6V，则Rc k。,565,3,120,0.3,四、已知图T2
3、.3所示电路中VCC12V，RC3k，静态管压降UCEQ6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3k。选择一个合适的答案填入空内。,（1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom ；A.2V B.3V C.6V,B,因为：,（2）当Ui1mV时，若在不失真的条件下，减小RW，则输出电压的幅值将 ； A.减小 B.不变 C.增大,C,（3）在Ui1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将 ；A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波,A,（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将 。,B,A.RW减小 B.RC减小 C.VCC减小,五、现有直接耦合基本放
4、大电路如下：,A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路,它们的电路分别如图2.2.1、2.5.1(a)、2.5.4(a)、2.7.2和2.7.9(a)所示；设图中ReRb，且ICQ、IDQ均相等。,选择正确答案填入空内，只需填A、B、,图2.2.1 共射电路,图2.5.1 共集电路,图2.5.4 共基电路,2.7.2 共源电路,2.7.9 共漏电路,（1）输入电阻最小的电路是 ，最大的是 ；,共基电路,共源、共漏电路,（2）输出电阻最小的电路是 ；,共集电路,（3）有电压放大作用的电路是 ；,共射、共基、共源电路,（4）有电流放大作用的电路是 ；,共射、共集、共源、
5、共漏电路,（5）高频特性最好的电路是 ；,共基电路,（6）输入电压与输出电压同相的电路是 ；反相的电路是 。,共集、共基、共漏电路,共射、共源电路,六、未画完的场效应管放大电路如图所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够正常放大。要求给出两种方案。,解：根据电路接法，可分别采用耗尽型N沟道和P沟道MOS管。,习 题,2.1按要求填写下表。,e,b,c,c,b,e,大,大,小,大,小,大,大,小,b,e,c,大,小,小,大,频带宽,2.2分别改正图示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。,VCC改 为VCC,加Rb,VBB反接且在 输入端串电阻,加R
6、b和Rc,2.2 画出图示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。,(a),交流通路,R1,2.4 电路如图a所示，图b是晶体管的输出特性，静态时UBEQ0.7V。利用图解法分别求出RL和RL3k时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有效值）。,解：由晶体管的输出特性可知，=100,带载时：IBQ20A，ICQ2mA，UCEQ3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V，有效值约为1.63V。,空载时：,所以最大不失真输出电压峰值约为5.3V，有效值约为3.75V。,空载时：IBQ20A，ICQ2mA，UCEQ6V。 带载时：IBQ20A，ICQ2mA，UCEQ3V。,2
7、.5在图P2.5所示电路中，已知晶体管的80，rbe1k，20mV；静态时UBEQ0.7V，UCEQ4V，IBQ20A。判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“”，否则打“”。,80，rbe1k，20mV；静态时UBEQ0.7V，UCEQ4V，IBQ20A。,80，rbe1k，20mV；静态时UBEQ0.7V，UCEQ4V，IBQ20A。,2.6 电路如图P2.6所示，已知晶体管50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设VCC12V，晶体管饱和管压降UCES0.5V。,（1）正常情况 （2）Rb1短路 （3）Rb1开路 （4）Rb2开路 （5）RC短路,解：设UBE
8、0.7V。则,（2）Rb1短路：,（1）正常情况：基极静态电流,2.6 晶体管50，VCC12V，晶体管饱和管压降UCES0.5V。,由于UBE0V，T截止，UC12V,实际基极电流为：,由于IBIBS，故T饱和，UCUCES0.5V。,（3） Rb1开路：则临界饱和基极电流,2.6 晶体管50，VCC12V，晶体管饱和管压降UCES0.5V。,2.6 晶体管50，VCC12V，晶体管饱和管压降UCES0.5V。,（4） Rb2开路时：,（5） RC短路：,无基极电流IBQ，T截止，UC12V。,由于集电极直接接直流电源，UCVCC12V,2.7电路如图所示，晶体管的80， rbb=100。分
9、别计算RL和RL3k时的Q点、 、Ri 和Ro。,解： 在空载和带负载情况下，电路的静态电流、rbe均相等，它们分别为,（1）空载时：,（2）RL5k时：,2.8 在图P2.7所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图P2.8（a）、（b）、（c）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。,饱和失真，应增大Rb，减小Rc,截止失真，应减小Rb 。,饱和失真和截止失真同时出现，应增大电源电压VCC的值。,2.9 若由PNP型管组成的共射电路中，输出电压波形如图P2.8（a）、（b）、（c）所示，则分别产生了什么失真？,解：（a）截止失真；（b）饱和失真；（c）同时
10、出现饱和失真和截止失真。,2.10 已知图P2.10所示电路中晶体管的 100，rbe=1k。,（1）现已测得静态管压降UCEQ6V，估算Rb约为多少千欧；,解：（1）求解Rb,2.10 已知图P2.10所示电路中晶体管的 100，rbe=1k。,(2）若测得 和 的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少千欧？,解：（2）求解RL：,2.11 在图P2.10所示电路中，设静态时ICQ2mA，晶体管饱和管压降UCES0.6V。试问：当负载电阻RL和RL3k时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？,解：,由ICQ2mA，得： UCEQ6V,空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现的
11、是饱和失真。故,RL3k时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故,2.12在图P2.10所示电路中，设某一参数变化时其余参数不变，在表中填入增大减小或基本不变。,2.11 电路如图所示，晶体管的100， 。,（1）求电路的Q点、 、Ri和Ro；,（2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？,解：,（1）求Q点 ：,（1） 、Ri和Ro；,（1） 、Ri和Ro；,（2）若电容Ce开路，对Q点没有影响，但影响交流参数。,Ri增大,电容Ce开路的微变等效电路：,下降,2.14 试求出图P2.3（a）所示电路Q点、 、Ri和Ro 的表达式。,解：,Q点为：,微变等
12、效电路,2.15 试求出图P2.3（b）所示电路Q点、 、Ri和Ro的表达式。设静态时R2中的电流远大于T的基极电流。,解：,直流通路,求Q点：,微变等效电路,2.16 试求出图P2.3（c）所示电路Q点、 、Ri和Ro的表达式。设静态时R2中的电流远大于T2管的基极电流且R3中的电流远大于T1管的基极电流。,解：,Rf,2.17 设图P2.17所示电路所加输入电压为正弦波。试问：,（1）,（2）画出输入电压和输出电压ui、uo1、uo2 的波形。,解：,（1）因为通常1，所以,uo1ui，uo2ui。波形如下图,2.18 电路如图P2.18所示，晶体管的80，rbe=1k。,（1）求出Q点；
13、,（2）分别求出RL和RL3k时电路的 和Ri；,（3）求出Ro。,解：（1）,（2）求电压放大倍数和输入电阻：,当RL时：,当RL3k时：,（3）求输出电阻：,2.19 电路如图P2.19所示，晶体管的60， 。,（1）求解Q点、 、Ri和Ro；,（2）设US=10mV（有效值），问Ui?Uo?若C3开路，则Ui?Uo?,解：（1）,（2）设10mV（有效值），则:,若C3开路，则:,2.20 改正图P2.20所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。,2.21 已知图P2.21(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）(c)所示。,（1）利用图
14、解法求解Q点；,（2）利用等效电路法求解 、Ri和Ro 。,解：（1）在转移特性中作直线uGSiDRS，与转移特性的交点即为Q点；得IDQ1mA，UGSQ2V。,（2）,2.22 已知图P2.22（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。求解电路的Q点和 。,解：（1）求Q点：,UGSQVGG3V,从转移特性查得，当UGSQ3V时的漏极电流IDQ1mA,所以：,UDSQVDDIDQRD5V,（2）求电压放大倍数：,2.23 电路如图P.23所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出 、Ri和Ro的表达式。,解：,2.24 图P2.24中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型（如NPN型、PNP型、N沟道结型）及管脚（b、e、c、d、g、s）。,PNP型,b,c,e,b,e,c,NPN型,NPN型,b,e,c,本章结束,返回,
