1、应用材料面向 8.5和 6代显示屏，推出 PECVD和 PVD金属氧化物制造设备2013/11/04应用材料公司显示事业部（AKT）在 10月 2325 日于日本横滨举行的 2013年国际平板显示器展(FPDI 2013)前不久，推出了面向8.5代、6 代和 5.5代高清（HD）、超高清（4K）液晶电视屏和OLED显示屏的 AKT 55KS PECVD、AKT-PiVot 55K DT PVD 和 AKT-PiVot 25K DT PVD设备。10 月 29日，AKT 高管团队在北京的媒体沟通会上详细介绍了上述设备。 55KS PECVD系统最多有 5个高温处理腔室；2 个进出口腔室（DSSL
2、），中间采用传送腔；双臂真空机械手。适用于2200mm2500mm的 8.5代基板，玻璃厚度在 0.50.7mm，机械吞吐量是 65片/小时。 AKT 55KS PECVD设备中，利用二氧化硅(SiO2)工艺，使金属氧化物(MO)薄膜晶体管(TFT)沉积电介质界面有较低的氢含量，确保金属氧化物薄膜晶体管在长期使用中，不会因氢的侵袭影响临界电压的稳定性（见图 1）。 图 1 金属氧化物薄膜晶体管沉积电介质界面实现了较低的氢含量另外，为提高产品良率实现了很低的颗粒控制。 在图 2所示的 AKT 55KS PECVD高温处理腔室剖面图中可以看到，其基本原理是：平行板电容器在真空状态下，通过产生等离子
3、体后，输入反应的气体，在加热的基板上产生化学气相沉积，形成绝缘层或半导体。 图 2 AKT 55KS PECVD高温处理腔室剖面图及主要特性针对金属氧化物的应用，该腔室有 3个主要特性：拥有专利的空心阴极梯度渐变（Hollow Cathode Gradient，HCG）设计，使氧化硅的均匀性达到 10%以内；由于氧化硅的沉积对气体分布的均匀性很敏感，因此在气体输入处采用了气体扩散装置，改善了整个膜层的均匀性；气体扩散装置有个很大的平面板，针对 8.5代基板可能会因重力产生一些形变，采用了中央支持气体扩散器 Center Support Diffuser,CSD)，以确保平行板电容器之间的平行度
4、，进一步改善氮化硅膜和氧化硅膜的均匀性。 用于清洁的气体和反应气体都从气体扩散装置进入，在整个腔室中均匀分布，达到腔室彻底清洁的效果。“这样，整体的颗粒控制优于其他同类设备。”应用材料显示事业部（AKT）CVD 产品事业部总经理肖劲松表示。 AKT-PiVot DT（双轨道搬运系统）PVD 设备，可以在较小的占地面积上实现更高的生产效率。55K 型号用于 2200mm2500mm玻璃基板，25K 型号用于 1500mm1850mm玻璃基板。 PiVot DT系统的优势如图 3所示，应用材料显示事业部（AKT）PVD产品事业部总经理 John D.Busch特别强调了其中的 3点：旋转靶材；气体
5、分布的均匀性；模块化设计。 图 3 PiVot DT系统的优势靶材旋转时，冷却水流通过其内部，可使靶材表面温度较低，最高为 80；圆柱形靶材比平面靶材的利用率高 3倍，达到了 80%，且此时的表面仍很光滑（详细请见 应用材料推出面向 8.5代 LCD和 OLED显示制造的 PX PECVD和 PiVot PVD技术。） 此外，Busch 解释说，应用材料虽不做靶材业务，但会对靶材供应商认证，以保证质量。目前已对 8.5代 IGZO认证了 3家供应商，第 4家正在认证。 PVD设备的旋转靶自我清洁与磁极摇摆控制功能，实现了产品低缺陷率与膜质均匀性的控制（见图 4）。 图 4 PVD设备的优势应用材料认为，针对智能手机、平板电脑、OLED 电视和超高清电视等高分辨率显示屏的需求，传统非晶硅显示技术必将转向金属氧化物或低温多晶硅薄膜晶体管技术。而金属氧化物薄膜晶体管显示技术会带来高电子迁移率、低功耗、低成本的优势。 据悉，京东方合肥和三星苏州两座 8.5代厂有望于 2014年一季度拿到 PVD设备。（记者 恩平）
