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RICOH单节锂离子电池保护IC用户手册.pdf

上传人:精品资料 文档编号:9364229 上传时间:2019-08-03 格式:PDF 页数:18 大小:210.73KB
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1、RICOH单节锂离子电池保护 IC用户手册Ver 0.1一、规格书相关问题 ( 23个,正文第 1页第 8页 )1.过充相关 (VD1)1)过充电保护解除方法 ?2.过放相关 (VD2)1)过放电保护解除方法 ?2)如何确定芯片有哪些型号是锁存型、哪些型号是电平解除型?3.过流、短路相关 (VD3,Vshort)1)“过流”指的是放电过电流还是充电过电流 ?2)如何选择放电过电流检测阈值 Vdet3?3)过流 (放电过电流 )保护解除方法 ?4)短路保护解除方法 ?5)电平解除型 (Auto-release type)芯片的过流 /短路保护的解除方式和锁存型 (Latch type)芯片的过流

2、/短路保护的解除方式有什么不同?4.充电过流保护相关 (VD4)1)充电过电流保护解除方法 ?2)电平解除型 (Auto-release type)芯片的充电过流保护的解除方式和锁存型 (Latch type)芯片的充电过流保护的解除方式有什么不同?3)所有型号的单节电池保护IC都有充电过流保护功能吗?5.其它功能1)哪些保护模式中芯片是处于待机模式(休眠模式)的 ?2)规格书的电气特性表里为什么会有两种不同的待机电流值?3)单节电池保护 IC的 COUT和 DOUT输出端的驱动能力有多大?4)单节保护 IC的抗 ESD性能如何?5)延时短缩模式 (DS mode)的目的是什么?会影响正常工作

3、模式吗?6)延时短缩模式和充电过流检测都涉及到 V-引脚上的负电压值。这两种工作状态有冲突吗?7)延时短缩模式时 V-引脚电压设置在什么范围内比较好?8)延时短缩模式时所有内置延时都能被短缩吗?短缩比率是固定的吗?9)0V充电允许最小电压和 0V充电最大禁止电压各是什么意思?两者有何区别和联系?6.数据及图表说明1)有关规格书中绝对最大额定值的说明7.其他1)RICOH不同型号的单节电池保护 IC各有什么特色?2)充电管理 IC的 CV值和保护 IC的过充电保护阈值有何关系? (如何通过充电管理 IC的规格来确定保护IC的规格?反之亦成立。)目录二、应用方案相关问题 ( 14个,正文第 9页第

4、 15页 )1.过充相关 (VD1)暂无。2.过放相关 (VD2)1)成品电池保护板发生自锁是怎么回事?如何解除自锁?又如何预防?3.过流、短路相关 (VD3,Vshort)1)如果 VD2和 VD3(或 VD2和 Vshort)同时发生,将会发生什么情况?2)做过流测试时发现实际检测延时小于 tVdet3(过流检测延时 )且数值不固定,这是怎么回事?3)如果负载端一直接着一个负载,那么它会影响到过流保护解除吗?4)过流保护锁定以后,板子上为什么还会有较大消费电流?5)短路保护之后,移除异常负载,可是 Dout仍然为 L,环路电流仍然被切断,为什么?6)放电时,电池电压正常,负载正常,然而 D

5、out却在持续振荡,一般是哪里出了问题?该如何排查?4.充电过流相关 (VD4)暂无。5.其它1)电池如果反接到保护板上去,芯片会发生什么情况?2)SOT23-6封装的保护 IC有一个 NC引脚,在电路板上如何处理?3)单节电池保护方案中的外围元件的参考值范围?4)过放保护动作了,但电路板上仍然有大的消费电流,一般是怎么回事?5)可以通过在如下图所示的位置增加电阻 R3的方法来自行设置更长的检测延时吗?目录一、规格书相关问题1.过充相关 (VD1)1)过充电保护解除方法 ?回答:先定义过充电检测电压: Vdet1 过充电解除电压: Vrel1不同型号解除方法不同:电平解除型 (Auto-rel

6、ease type):满足下列任意一个条件都可解除过充电保护:断开充电器且接上负载,当电池电压小于 Vdet1时 就可以解除。只要当电池电压小于 Vrel1 就可以解除锁存型 (Latch type):只有断开充电器且接上负载,当电池电压小于 Vdet1时 才可以解除。单节电池保护 IC用户手册一、规格书相关问题2 过放相关 (VD2)1)过放电保护解除方法 ?回答:先定义过放电检测电压: Vdet2 过放电解除电压: Vrel2不同型号解除方法不同:电平解除型 (Auto-release type):接上充电器,且电池电压大于 Vdet2时可以解除。或不接充电器,只要当电池电压大于 Vrel

7、2时就可以解除。锁存型 (Latch type):接上充电器,且电池电压大于 Vdet2时才可以解除。2)如何确定芯片有哪些型号是锁存型、哪些型号是电平解除型?回答:规格书里会给出芯片Code的每位所代表的含义。以 R5402N的 code为例。如下所示:Code的最后一位字母表明型号是电平解除型还是锁存型。例如,如果您需要过充电解除为锁存型,过放电解除为电平解除型的话,请选末位字母为 B的 Code。单节电池保护 IC用户手册一、规格书相关问题3 过流、短路相关 (VD3,Vshort)1)“过流”指的是放电过电流还是充电过电流 ?回答:广义的“过流”包括放电过电流,短路过电流和充电过电流。

8、其中,放电过电流和短路过电流发生在放电阶段;充电过电流发生在充电阶段。狭义的“过流”是一种简称,仅指放电过电流。短路过电流简称为短路;充电过电流简称为充电过流。在通常情况下(讨论中或规格书中),如果提到过流,一般仅指放电过电流。2)如何选择放电过电流检测阈值 Vdet3?回答:首先请先确认需要检测的过电流值为多少。比如负载最大工作电流的 1.5倍为过流值。再确认充放电 MOSFET的导通内阻 Ron为多少。比如一个 MOSFET的导通内阻为 1225m;那么两个管子的总导通电阻 Ron约为 2450m。根据上述两个值对放电过电流检测阈值 Vdet3进行选择。例:Iload_max=2A, 过流

9、值选择为其 1.5倍 =3A。选择的 MOSFET内阻为 20m, 充电和放电 MOS管的总导通电阻 Ron=40m。3A*40m=0.12V。可以选择 Vdet3=0.125V (大于 0.12V, 0.005V作为冗余 )。3)过流 (放电过电流 )保护解除方法 ?回答:断开负载就可以自动解除放电过电流保护。4)短路保护解除方法 ?回答:方法同上。断开负载就可以自动解除短路保护。5)电平解除型 (Auto-release type)芯片的过流 /短路保护的解除方式和锁存型 (Latch type)芯片的过流/短路保护的解除方式有什么不同?回答:没有什么不同,都是通过断开负载来自动解除过流保

10、护的。请注意:只有过充保护和过放保护的解除方式才有电平解除型 (Auto-release type)和锁存型 (Latch type)的区别。过流保护、短路保护的解除方式没有这样的区别,无论是电平解除型芯片还是锁存型芯片,都只需通过断开负载来自动解除过流保护/短路保护。单节电池保护 IC用户手册一、规格书相关问题4.充电过流保护相关 (VD4)1)充电过电流保护解除方法 ?回答:断开充电器并接上负载就可以解除充电过电流保护。2)电平解除型 (Auto-release type)芯片的充电过流保护的解除方式和锁存型 (Latch type)芯片的充电过流保护的解除方式有什么不同?回答:没有什么不

11、同。无论是电平解除型芯片还是锁存型芯片,都是通过断开充电器并接上负载来解除充电过流保护的。3)所有型号的单节电池保护IC都有充电过流保护功能吗?回答:目前, R5400和 R5478系列的单节电池保护 IC没有充电过流保护功能;其它型号的单节电池保护 IC都有这项功能。可以从规格书的框图中看出有没有这项功能:如果框图内有充电过流检测器VD4的符号,说明这个型号的芯片有这项功能。单节电池保护 IC用户手册一、规格书相关问题5.其它功能1)哪些保护模式中芯片是处于待机模式(休眠模式)的 ?回答:只有在过放电保护实施之后,芯片才会进入待机模式(休眠模式)。其它保护模式时(过流 /短路 /过充 /充电

12、过流),芯片不会进入待机模式。2)规格书的电气特性表里为什么会有两种不同的待机电流值?回答:根据型号的不同,芯片有两种不同的待机模式,所以有两种待机电流值(以 R5402N为例):过放电保护的解除方式为电平解除型的芯片:待机电流值 =1.2uA(典型值);过放电保护的解除方式为锁存型的芯片:待机电流值数量级为几nA(典型值), 最大值0.1uA(25C)。3)单节电池保护 IC的 COUT和 DOUT输出端的驱动能力有多大?回答:单节电池保护IC的COUT和DOUT 都是CMOS 态输出,所以驱动能力有限,无法驱动需要大电流的重负载。在规格书电气特性表里,对 COUT和DOUT 的驱动能力是用

13、电压指标V OL1,VOH1,VOL2和V OH2来描述的。其中:VOL1描述的是COUT引脚输出L电平时的驱动能力;VOH1描述的是COUT引脚输出H电平时的驱动能力;VOL2描述的是DOUT引脚输出L电平时的驱动能力;VOH2描述的是DOUT引脚输出H电平时的驱动能力。其它品牌的单节保护IC是以驱动电流或者等效输出电阻的方式来描述输出驱动能力的。描述方法虽然不同,但是通过换算可知,理光的单节保护芯片的输出驱动能力是高于或等同于同类产品的。4)单节保护 IC的抗 ESD性能如何?回答:IC的各个引脚均内置抗ESD电路模块,可以满足人体模型测试和机器模型测试要求。在某些介绍材料中会提到抗 ES

14、D性能可以达到 18kV甚至更大。这里有必要做一些澄清:18kV的静电测试为 Gun ESD测试,不是针对IC来做的,而是针对已经安装了该IC的方案板做的。所以,介绍材料里提到的测试结果仅作为参考值使用,用来说明使用理光的保护IC的方案板可以通过该项测试;但是这项测试结果主要还是和不同的 PCB板的材质、层数、尺寸、版图设计等因素有关。如果要确保方案板可以顺利通过 ESD测试,客户需要更多地考虑上述因素。5)延时短缩模式 (DS mode)的目的是什么?会影响正常工作模式吗?回答:延时短缩模式是为了方便客户做批量产品的延时测试时,可以缩短总的测试时间。只要将 V-引脚电压设定在延时短缩阈值上,

15、就可以实现该功能,无需改动量产板的电路和版图,无需改动其它引脚的电压设定,所以不会影响量产板在完成该项测试后的正常工作。6)延时短缩模式和充电过流检测都涉及到 V-引脚上的负电压值。这两种工作状态有冲突吗?回答:不会有冲突。延时短缩模式:V-一般设定在-2V -3V之间;充电过流保护:V- 一般在-0.1V-0.3V之间。这两种工作模式不会被同时触发启动,所以不会产生相互干扰。单节电池保护 IC用户手册7)延时短缩模式时 V-引脚电压设置在什么范围内比较好?回答:各种型号之间略有差异,详细请参照规格书中的概要、特点和工作原理说明部分。但是一般都设定在-2V-3V 范围之内。建议不要使用大于-2

16、V的电压( 例如-1.6V) ,以确保芯片可靠工作。8)延时短缩模式时所有内置延时都能被短缩吗?短缩比率是固定的吗?回答:一般的,只有过充电检测延时和过放电检测延时可以被短缩。并且它们的短缩比率也不完全相同:过充检测延时一般可以短缩为正常值的 1/60;过放检测延时的短缩比率会小一些。不同的型号,过充电检测延时的短缩比率不一样。例如, R5402N的这一比率 =1/57; R5403: 1/60;R5407:1/110。另外,不同的型号,能够被短缩的延时的种类也不完全相同。例如, R5402N可以缩短过充检测延时、过放检测延时以及过放解除延时;而 R5403只能短缩过充电检测延时和过放电检测延

17、时,不能短缩过放解除延时(这是由于过放解除延时在正常工作模式时也不是很长,所以在 R5403型号中去除了针对这一延时的短缩机能 )。所以,在使用某种型号的延时短缩模式时,请先通过规格书确认该具体型号可以被短缩的延时有哪些,过充电检测延时的短缩比率是多少,以及短缩模式下 V-引脚电压的设定范围 (典型值,最大和最小值 )。9)0V充电允许最小电压和 0V充电最大禁止电压各是什么意思?两者有何区别和联系?回答:0V充电允许最小电压实际指的是充电器电压,全称应为:允许向电压是0V的电池充电的最小充电器的电压。 0V充电允许电压测试方法:设定初始充电器电压 =VDD-V-=0V, 电池电压 =VDD-

18、VSS=0V。然后逐渐降低V-电压(换句话说,就是在保持电池电压=0V 的同时逐步增加充电器电压),当 Cout输出由 L变 H(例如,可以定义当 Vcout=VDD电平时 Cout为 H)时的充电器电压记为此芯片的 0V充电允许电压。0V充电禁止最大电压实际指的是电池电压,全称应为:禁止充电器向电池继续充电的最大电池电压。0V充电禁止电压测试方法:设定初始电池电压 =VDD-VSS=0V,充电器电压 =VDD-V-=4V。然后逐渐升高电池电压,(换句话说,就是在保持充电器电压=4V的同时逐步增加电池电压),当Cout输出由L变H时的电池电压记为此芯片的0V充电禁止电压。所以,此时,电池电压其

19、实并不是0V,而是高于0V的。这一点要千万注意。RICOH的单节电池保护IC一般都有 0V充电允许和0V充电禁止两种版本供客户选择。选择哪种版本是由客户所使用电芯的特性决定的。例如,某些客户使用的是自放电率很高的电池,这种情况下有些客户为了能延长电芯的使用期限,会考虑使用0V充电允许的版本;但是这里面也有隐患:如果电池工艺比较差,内部结构容易出现微短路等不可逆损坏的话,那么终端客户在给0V电池充电时可能会有危险,而这危险由于是电芯内部结构导致的,外围保护器件无法阻止。对于一些要确保安全性能的电池应用,使用 0V充电禁止不失为一种保守但安全的选择。所以,综上所述,选择使用何种版本 (0V充电允许

20、 /禁止 ),取决于客户对电芯的性能的把握。各主要型号的单节保护 IC的 0V充电版本描述如下 :R5400:0V 充电允许/禁止版本可选择。R5402:0V充电允许。R5403/05:0V 充电允许/禁止版本可选择。R5407/08/09:0V 充电允许/禁止版本可选择。R5478:0V充电允许。单节电池保护 IC用户手册一、规格书相关问题6.数据及图表说明1)有关规格书中绝对最大额定值的说明回答:请注意规格书中绝对最大额定值的测试条件: VSS=0V,Temp=25C。我们不推荐客户将使用条件设置为超过绝对最大额定值。因为超过绝对最大额定值的条件会引起芯片内部的显性或隐性损坏,严重影响芯片

21、的安全性、可靠性和使用寿命。例如,目前只保证 V-端的绝对最大额定电压值 =VDD+0.3V。在某些充电器反接的情况下,V-电压可能会超过绝对最大额定值,达到 VDD+0.7V,此时有可能 V-引脚不会损坏,芯片仍然安全工作。但是我们不推荐客户这样做,因为目前我们无法保证在超过绝对最大额定值的使用条件中,所有该类型的芯片能一直这样安全地运行下去。单节电池保护 IC用户手册一、规格书相关问题7.其他1)RICOH不同型号的单节电池保护 IC各有什么特色?回答:R5400:没有充电过电流 (VD4)保护功能 (同 R5478)。 SOT23-5封装。R5402:拥有所有保护功能,定位介于 R540

22、0和 R5403/05之间。 SOT23-6封装。R5403:相比 R5400和 R5402有更好的抗 ESD性能。 SOT23-5封装。R5405:性能同 R5403。唯一区别是 R5405采用 PLP1820封装, R5403采用 SOT23-5封装。R5406:小尺寸封装。R5407/08/09: ESD性能比较好。 SOT封装和 PLP封装都有 (详见规格书 )。R5478:没有充电过电流 (VD4)保护功能。整体性能优于 R5400。 SOT23-6封装。R5471:小尺寸封装。高精度检测电压 (过充电压检测精度 =+/-10mV)。详细的产品定位和价格定位,请来电联系我司销售科。2

23、)充电管理IC的CV值和保护IC的过充电保护阈值有何关系?(如何通过充电管理IC的规格来确定保护IC的规格?反之亦成立。)回答:这取决于充电电压阈值和过充保护电压阈值的精度以及它们的最小间距。例如,充电电压阈值=4.2V ,精度= 40mV;过充保护电压阈值的精度= 30mV;两个阈值间的最小间距 =20mV。那么确定的 Vdet1的典型值 =4.2+0.04+0.02+0.03=4.29V。反过来,也可以通过 Vdet1确定所需的 Vcharger的阈值。二、应用方案相关问题1 过充相关 (VD1)暂无。单节电池保护 IC用户手册二、应用方案相关问题2 过放相关 (VD2)1)成品电池保护板

24、发生自锁是怎么回事?如何解除自锁?又如何预防?回答:如果电路板上使用的保护芯片为过放保护解除锁存型,则有可能发生自锁。这是因为一旦电池正常放电或是被误触发导致了过放保护之后,除非电池电压回复到检测电压之上并且充电器连接着,否则保护板将始终无法恢复放电,称之为“自锁”。发生自锁的原因多种多样,常见的有以下两种:电池正常放电导致过放保护。这主要是由于电池保护板长期放置不充电、电池自放电所致。一般发生在库存期。如何解除自锁:使用充电器给电池充电一段时间即可恢复。如何预防:入库前,管理人员可以通过电池自放电率估算出电池大概何时会过放。然后在此期限之前给电池充电即可。这样定期给电池充电,可以保证绝大多数

25、电池始终不会进入过放保护。 ESD事件误触发过放保护。多发生在冬季的库存期、产品运输途中、以及流水线上操作时 (终端产品组装时 )。冬季天气干燥,仓库中易发生 ESD事件;产品运输途中,受搬运、天气、温度、路况等因素的干扰,也可能会发生 ESD;另外,终端产品组装过程中,也易受到人体 ESD干扰。这类 ESD事件,有可能会误触发过放保护导致自锁。如何解除自锁:连接充电器激活一下电池即可。如何预防:在各种可能产生ESD事件的环节中加强防ESD的管理即可。单节电池保护 IC用户手册二、应用方案相关问题3 过流、短路相关 (VD3,Vshort)1)如果 VD2和 VD3(或 VD2和 Vshort

26、)同时发生,将会发生什么情况?回答:由于过放保护的检测延时比过流保护的检测延时长,所以如果两种情况同时发生,过流保护将优先动作, Dout输出变为 L,切断放电回路。但是,有少数情况下,由于过大的电流瞬间将电池电压下拉得过低,过放保护将起主导的保护作用,但现象相同: Dout输出也是变为L,放电回路被切断。VD2和Vshort 同时发生时的情况及解释同上。2)做过流测试时发现实际检测延时小于 tVdet3(过流检测延时 )且数值不固定,这是怎么回事?回答:单节保护 IC中,过流检测延时和短路检测延时的发生机制相同,不同之处就在于两者之间有一定的倍率关系,例如,过流检测延时一般设定在12ms ;

27、短路检测延时一般是300us 。两者差不多相差40倍。以某款型号的单节保护 IC为例,其 Vdet3=0.1V, Vshort=0.8V。如果做过流检测时, V-端电压大于等于Vdet3且远小于Vshort ,则保护检测延时等于12ms;如果V- 端电压大于Vshort ,则保护检测延时等于300us;如果V-电压大于Vdet3 且小于Vshort ,则有可能保护检测延时介于 tVdet3(12ms)和tVshort(300us)之间,而且会由于每次测试中V-电压值的不同,导致实际保护延时值的不固定。3)如果负载端一直接着一个负载,那么它会影响到过流保护解除吗?回答:取决于该负载的大小。定性的

28、来讲,该常接负载越大,则对过流保护解除的影响会越小。反之,则有可能影响过流保护不能正常解除。这里面有一定的定量关系。需要预先估算一下。以 R5402_101KD为例来加以说明。如下图, R3是一个负载端常接电阻。芯片的过流保护解除电阻Rshort=50k(最小值 25k,最大值 75k), Vdet3=0.2V。 Vdet1=4.25V, Vdet2=2.5V。过流或者短路保护实施之后,如果要锁定保护, V-电平必须保持在大于 Vdet3的水平上。没有移除短路导线时, V-被强制拉高,所以保护一直锁定。如果移除短路导线,则 V-的电平是由 Rshort, R2和 R3的分压决定的。数学表达式:

29、 V-=VDDxRshort/(Rshort+R2+R3)。假设电池电压在 2.5V 4.25V范围内波动,则可以通过不等式运算得出,只要 R3286.5k,那么即使移除短路导线,过流保护也不会被解除。如果逆向思维考虑,也可以用这种方法设计出过流保护不能自动解除的方案。单节电池保护 IC用户手册4)过流保护锁定以后,板子上为什么还会有较大消费电流?回答:较大的电流来自于芯片内部导通的过流保护解除电阻通路。该通路位于 VSS和 V-引脚之间,典型电阻值约在 50kohm左右。对于单节 3.6V的电池来讲,过流保护锁定时该通路上的电流值约为 70uA。5)短路保护之后,移除异常负载,可是 Dout

30、仍然为 L,环路电流仍然被切断,为什么?回答:这种异常情况往往发生在过放保护解除是锁存型的型号的应用中。有时,在做大电流的过流或者短路保护测试时,保护动作以后,按照规格书所讲的解除过流或者短路保护的方法移除负载,可是却无法使Dout 回复为H。这种情况往往是因为在发生过流或者短路时,也触发了过放保护所致(过大的放电电流流经电池,导致电池电压在短时间内被强制拉低到过放保护阈值以下 )。所以在移除负载后,并不能恢复放电,因为此时过放保护使 Dout状态维持在低电平 (可以通过测试此时的V-引脚来验证:此时V-电平等于或略小于VDD电平)。如何解决该问题:可以通过充电器激活此电池;或者是在考虑芯片型

31、号时选择电平解除型,并且要注意过放保护解除电压阈值不要太高。6)放电时,电池电压正常,负载正常,然而 Dout却在持续振荡,一般是哪里出了问题?该如何排查?回答:首先根据电池电压和负载正常排除发生过放保护异常和过流保护异常的可能性。然后重点应该检查 V-引脚到 P-端之间的 PCB版图走线、元器件 R2的性能和焊接、 V-引脚的焊接是否有异常(见下图红线标注)。 Dout端出现持续不明原因的振荡,往往是因为这一路某处开路导致。R540X二、应用方案相关问题4 充电过流 (VD4)暂无。单节电池保护 IC用户手册二、应用方案相关问题5其它1)电池如果反接到保护板上去,芯片会发生什么情况?回答:如

32、果电池反接,芯片无法正常工作。而且,有可能会有大电流从VSS引脚经 IC内部流向VDD引脚,从而引起芯片完全失效。所以,在组装电池包时,请确保电池没有被反接到保护板上去。2)SOT23-6封装的保护 IC有一个 NC引脚,在电路板上如何处理?回答:请将NC引脚保持在悬空状态。3)单节电池保护方案中的外围元件的参考值范围?回答:参考方案图中只给出了元器件的固定参考值。实际上这些值是可以在一定范围内调整的。参考值的调整范围请参考下表: R540X符号 目的 典型值R1 滤波电阻 330R2 逆充限流 1kC1 滤波电容 0.1uF R5478符号 目的 典型值R1 滤波电阻 330R2 逆充限流

33、1kC1 滤波电容 0.01uF请注意:上述参数范围仅系参考值,请在实际的应用电路上进行充分的实测后再选定参数。100 1k1k 10k 0.01uF参考范围0.01uF 0.1uF1k 10k330 1k参考范围单节电池保护 IC用户手册R540X4)过放保护动作了,但电路板上仍然有大的消费电流,一般是怎么回事?回答:一般有两种可能情况。 MOSFET损坏。 IC内部的 VDD至 VSS间的 ESD保护器件损坏。在接触芯片时,第种可能性更大。所以在接触芯片前,请务必做好 ESD防护 (如手上戴防静电圈,使用防静电的镊子等 )。5)可以通过在如下图所示的位置增加电阻 R3的方法来自行设置更长的检测延时吗?回答:本公司的产品无需通过增加 R3的方法来延长检测延时。如果确实有延长检测延时的需求的话,请先联系我司销售人员和设计者。设计者可以优先考虑通过调整内部设定的方法来帮助客户实现更长的保护延时。但是,如果是为了防止充电控制用 FET被异常损坏,可以在如图的位置增加 R3。阻值大小取决于 FET的性能。例如,可以选择 R3=10k。具体型号不同,现象会有所区别。但是,总的来讲如下:R540XR

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