1、1江苏绿港能源有限公司标准操作文件 编 号：版 本：配料作业指导书受控状态：批 准 审 核 编 制日 期 日 期 日 期1、目的指导硅单晶技术工艺人员开具配料单；2、配料原则2.1 太阳能级硅单晶是利用切克劳斯基（直拉）法将多晶硅料在特定工艺下转化为硅单晶，选用的多晶硅质量，例如硅中的 N 型、 P 型杂质，碳含量必须符合硅单晶的质量要求，再结合硅单晶的生产成本考虑，确定一个既能保证硅单晶质量，又可使产品成本最低的配料方案；3、配料方案3.1 多晶硅料可以选用新的多晶原料(包括含碳头多晶，无碳头多晶以及免清洗多晶) ，复拉料(包括硅单晶头尾料，方棒边料，测试陪片以及硅片加工中的报废片)，埚底料
2、，按一定配比组合而成；3.2 从降低成本来说，宜增加复拉料及埚底料的投入数量，但复拉料、埚底料中的杂质含量及碳含量远大于新多晶原料中的含量，能投入多少复拉料、埚底料，一定要根据投入这些组合硅料后拉制的硅单晶质量能否符合标准为依据；3.3 新多晶原料的 N 型电阻率不宜小于 50cm，P 型电阻率不宜小于 500cm，碳含量不能大于1ppma 头尾料及埚底料，若为 N 型的，电阻率最好在 1.5cm 以上；若为 P 型的，电阻率不能小于 0.5cm（针对 P 型 0.5-2.0cm 产品而言） ；3.4 一般情况下，配料中的三种硅料可以按新多晶：头尾料：埚底料=1：2：1 的比例，即每炉投料总量
3、的 25%为新多晶，50%为头尾料，25%为埚底料。如果按该配比拉制的硅单晶，碳含量超标的话，则要减少埚底料的用量，相应增加新多晶或头尾料的投入量；减少和增加的数量，要根据每批埚底料的不同来源，通过拉晶试验才能确定；3.5 为减少太阳能级单晶中的反型杂质补偿度，要求硅料中 N 型和 P 型的电阻率相差值越大越好，N型电阻率必须大于太阳能级单晶电阻率下限值的三倍，例如生产 P 型 0.52.0cm 单晶，N 型复拉料埚底料的电阻率要在 1.5cm 以上。而且所用的复拉料、埚底料不能全部是这种低电阻率的，应该采用新多晶+P 型复拉料、埚底料+少量 N 型低电阻率复拉料、埚底料的方案。例如按投料量6
4、0kg2考虑 N 型 1.5cm10cm 的复拉料、埚底料每炉可放 3-5kg，也即如果每炉投新多晶 15 kg，应该采用新多晶+P 型复拉料、埚底料+少量 N 型低电阻率复拉料、埚底料的方案。例如按投料量60kg 考虑 N 型 1.5cm10cm 的复拉料、埚底料每炉可放 3-5kg，也即如果每炉投新多晶15 kg，复拉料和埚底料总量投 45 kg 的话，则 45 kg 中，N 型 1.5cm10cm 可放 3-5 kg，其余 42-40kg 应该为 P 型。如果 N 型复拉料，埚底料的电阻率较高，已超过 10cm ，则允许投入的 N 型硅料数量可以不受 3-5 kg 的限制；3.6 根据投
5、入的新多晶，头尾料和埚底料的配比，最终得到的单晶实测电阻率值，调整硅单晶的掺杂量，使产品电阻率符合合同要求；3.7 掺杂用的 P 型母合金，电阻率在 10-310-4cm ，电阻率越低越好，单晶晶向为 100的，截面电阻率均匀性较好。比较正规的做法是选用 P100硅单晶，直径 3-5都可以，用内圆切割方法，切成 2mm 厚的硅片，再测每片硅片的截面电阻率分布，一般取五点法就可以，取五点平均值作为该片硅片的电阻率值。将此硅片用 HNO3+HF 腐蚀、清洗、烘干后敲碎，放在培养皿中待用。用这种方法，掺杂计算时的电阻率值较正确，但内圆切割较麻烦，还有硅单晶切割刀缝的损耗。如果直接将母合金单晶敲碎使用，单晶的损耗是小了，但掺杂计算时电阻率偏差较大；
