XPS 数据分析纵坐标：Intensity(cps)横坐标：binding energy（eV）除了氢氦元素，其他的元素都可以进行分析；先进行宽扫，确定样品有何种元素，再对该元素进行窄扫。该元素的不同键接方式都对应不同的峰，所以对元素窄扫的峰要进行分峰（分峰之前要进行调整基线） 。如何分峰，不同的键接方式会对应不同的结合能。第一步：先把元素的窄扫峰用 origin 画出来；纵坐标：Intensity(cps)横坐标：binding energy（eV）第二步：调整基线；选择 Ceate Baseline-next-next-add/modify 添加（双击）或去除（ delete）基点，保证基线水平-Finish最小化图，会出现调整基线后的坐标。插入一列，单机右键选择 set column values 输入 col（b）-col（d）：即开始纵坐标减去调整基线后的纵坐标。再用横坐标与刚开始得到的纵坐标作图-调整基线后的 XPS 窄扫图。第三步：对峰求积分面积；选择 integrate peaks-next-狂点-完成即 area 为峰的面积。第四步：分峰较难（有专门的分峰软件，origin 也能分峰）第五步：求组分元素比：元素比等于：窄扫峰面积/XPS 灵敏度因子（每一个元素的灵敏度因子不一致）咱们这边 的 XPS 设备选择的是铝板（AlK） 。
