1、 量子点分子论文：Ga_xIn_(1-x)As/GaAs 量子点分子的电子结构和光学性质的研究【中文摘要】本文在有效质量包络函数近似下,用平面波展开法研究了 Ga_xIn_(1-x)As/GaAs 球形量子点分子的电子结构和光学性质。计算了电子、空穴的基态能、跃迁能和吸收系数。在计算过程中考虑了有效质量差异、有限带阶效应、价带混合效应和价带应力。通过计算,我们得到了 N 量子点分子的电子基态能、空穴基态能、跃迁能都与量子点半径、Ga_xIn_(1-x)As 中 Ga 含量、量子点数有关,其中电子基态能还受到量子点排列位置的影响。在量子限制效应影响下,发现电子基态能、空穴基态能、跃迁能都随着量子
2、点半径的增大而减小;但量子点分子的空穴基态能变化曲线会复杂些,在量子点半径大于 9nm 时,重空穴基态能随着量子点半径的增大明显下降,而轻空穴基态能随着量子点半径增大几乎不变,这是由于价带的空穴受到价带混合效应与应力的共同作用。当量子点间相互耦合时,发现量子点分子空穴基态能、跃迁能、电子基态能随着量子点数的增大而减小,但六量子点分子的电子基态能大于五量子点的,这是由于电子基态能受到量子点分子中量子点排列位置的影响。当 Ga_xIn_(1-x)As 材料 Ga 含量增大时,发现量子点分子的电子基态能、空穴基态能随 Ga 含量的增大而减小,跃迁能却随 Ga 含量.【英文摘要】The electro
3、nic structure and optical properties of Ga_xIn_(1-x)As/GaAs sphere quantum dot molecules (QDMs) are investigated theoretically in the effective-mass envelope function theory. Using plane-wave expansion method, the energy levels of the electron and the hole, the transition energy, and the absorption
4、spectra are calculated. In the calculation, the effects due to different effective masses and different finite offset of electrons and holes in different materials and different In(Ga)As composition an.【关键词】量子点分子 平面波展开法 跃迁能 吸收系数【英文关键词】Quantum dot molecule Plane-wave expansion method Transition energ
5、y Absorption coefficient【索购全文】联系 Q1：138113721 Q2：139938848【目录】Ga_xIn_(1-x)As/GaAs 量子点分子的电子结构和光学性质的研究 摘要 4-5 Abstract 5-6 1 绪论 8-16 1.1 量子点的概述 8-12 1.1.1 量子点和量子点分子的概念 8-9 1.1.2 量子点的性质 9-10 1.1.3 量子点的实验制备 10-11 1.1.4 量子点的应用 11-12 1.2 量子点分子的研究进展 12-14 1.3 本论文的研究背景及主要工作 14-16 2 理论框架 16-23 2.1 量子点分子中电子、空穴基态能的理论推导 17-21 2.2 量子点分子的跃迁能与吸收系数 21-23 3 结果与讨论 23-39 3.1 电子、空穴的基态能与量子点半径及 Ga 含量的关系 23-30 3.2 重（轻）空穴的跃迁能与量子点半径及 Ga 含量的关系 30-34 3.3 单量子点和量子点对的吸收谱 34-39 4 结论 39-40 参考文献 40-46 致谢 46
