1、图形转移 工艺流程原理 目 录 一、前言 3 二、工序制作简介 4 三、工艺制作流程 5 -12 四、工艺制程原理 1 3-45 五、各工序主要测试项目 46 -52 六、常见问题种类及特征 53 -59 七、 结束语 60 -61 编写本教材为 图形转移 工艺制作原理，适用于负责内外层图形转移工序入职工程师、及相关技术人员的培训 . 随着图形转移技术的不断革新 ,部分观点将出现差异 ,我们应以实际的要求及变化为准 . 一、前 言 图形转移的定义： 就是将在处理过的铜面上贴上或涂上一层感光性膜层，在紫外光的照射下，将菲林底片上的线路图形转移到铜面上，形成一种抗蚀的掩膜图形，那些未被抗蚀剂保护的
2、不需要的铜箔，将在随后的化学蚀刻工艺中被蚀刻掉，经过蚀刻工艺后再褪去抗蚀膜层，得到所需要的裸铜电路图形。 图形转移工序包括： 内层制作影像工序，外层制作影像工序，外层丝印工序。 二、工序制作简介 板面处理 贴干膜 （方法一） 涂湿膜 （方法二） 显影 曝光 菲林制作 退膜 蚀刻 三、 工艺制作流程 以内层图形转移工序为例： 三、 工艺制作流程 以外层图形转移工序为例： 显影 曝光 菲林制作 退膜 图形电镀 蚀刻 板面处理 贴干膜 褪锡 三、 工艺制作流程 以外层丝印图形转移工序为例： 低温锔 曝光 菲林制作 高温锔 UV紫外 字符 板面处理 丝印 显影 底片 Cu层 基材层 贴膜 曝光 显影
3、蚀刻 褪膜 干膜 三、 工艺制作流程 图形转移过程原理 (内层图示） 三、 工艺制作流程 图形转移过程原理 (外层图示） 底片 Cu 基材 贴膜 曝光 显影 蚀刻 褪锡 干膜 图电 褪膜 3.1 前处理工序（ Surface Pre-Treatment) 定义：将铜面粗化，使之后工序的干膜有效地附着在铜面上。 除油 微蚀 酸洗 热风吹干 除油：通过酸性化学物质将铜面的油性物质，氧化膜除去。 微蚀：原理是铜表面发生氧化还原反应，形成粗化的铜面。 酸洗：将铜离子及减少铜面的氧化。 热风吹干：将板面吹干。 磨板的方式：化学磨板、物理磨板（机械）。 （ +水洗） （ +水洗） （ +水洗） 三、 工艺
4、制作流程 （以内层制作为例） 3.2 影像转移（ Image transter) 辘膜（贴干膜） 菲林制作 菲林检查 曝光 辘膜：以热贴的方式将干膜贴附在板铜面上。 菲林制作：根据客户的要求，将线路图形 plot在菲林（底片）上，并进行检查后投入生产。 菲林检查：检查菲林上的杂质或漏洞，避免影像转移出误。 曝光：利用紫外光的能量，使干膜中的光敏物质进行光化学反应，以达到选择性局部桥架硬化的效果，而完成影像转移的目的。 定义：利用感光材料，将设计的线路图形通过曝光 /显影 /蚀刻的工艺步骤，达至所需铜面线路图形。 三、 工艺制作流程 3.3 线路蚀刻（ Circuitry etching) 显影
5、 蚀刻 褪膜 显影：通过药水碳酸钠的作用下，将未曝光部分的干膜溶解并冲洗后，留下感光的部分。 蚀刻：是将未曝光的露铜部份面蚀刻掉。 褪膜：是通过较高浓度的 NaOH（ 1-4%） 将保护线路铜面的菲林去掉。 定义：利用感光材料，将设计的线路图形通过曝光 /显影 /蚀刻的工艺步骤，达至所需铜面线路图形。 三、 工艺制作流程 4.1 ：板面前处理 四、 工艺制程原理 目的 清洁处理方法 机械磨板法 （ 磨料刷辊式刷板机 +浮石粉刷板） 化学清洗法 （ 除油 +微蚀 +酸洗） 未经任何处理的铜表面 ， 对干膜不能提供足够的粘 附 ，因此必须清除其上一切的氧化物 、 污渍 ， 同时要求表面微观粗糙 ，
6、 以增大干膜与基材表面的接触面积 。 4.1 ：板面前处理 四、 工艺制程原理 处理后板铜面与再氧化之关系 基材经过前处理后表面已无氧化物、油痕等，但如滞留时间过长，则表面会与空气中的氧发生氧化反应，前处理好的板应在较短时间内处理完。 机 械 刷 磨 板 化 学 处 理 法 快 慢 处理后铜面要求 经处理后的板面是否清洁可进行水膜破裂实验方法。所经清洁处理的板面，流水浸湿，垂直放置，整个板面上的连续水膜应能至少保持 30秒不破裂。 4.1 ：板面前处理 四、 工艺制程原理 4.1 ：板面前处理 四、 工艺制程原理 清洁处理方法比较 化学清洗法磨料刷辊式刷板机 浮石粉刷板机借着与铜表面相切的砂
7、磨料浮石粉与尼龙刷相结合的作用与 先用酸性除油剂去除铜箔表面原理 磨动作机械地刮削表面 板面相切磨刷。 的油污、指印及其他有机污物.来粗化表面，同时除去 随后进行微蚀处理去除氧化层污物 并形成微观粗糙表面优点 磨刷的刮削使用可将大 1、浮石粉的尖状颗粒与尼龙刷的共 1、去除铜箔较少；部分污物和杂质去除掉 同冲击将板材表面的一切污物机械去 2、基材本身不受机械应力影响，除。 易处理薄基材。2、因无“刮痕”,故无干膜桥接现象3、板面均匀无沟槽，降低了曝光时光的散射，从而改进了成像分辨率.缺点 1、当干膜覆盖于铜面 1、浮石粉对设备机械部分易损伤。 1、需监测化学溶液成分变化并时，铜面刮痕可能造成
8、2、尼龙刷对薄料会有所损害。 进行调整。架桥现象，导致蚀刻后 2、废水处理问题，及增加废液导线边缘参差不齐，甚 处理费用。至断线。2、硬刷子无法适用干薄芯材清洁，这可能将板面刷坏，甚至拉长.机械清洗法4.2 ：板面贴膜 四、 工艺制程原理 贴膜时，先从干膜上剥下聚乙烯保护膜，然后在加热加压条件下将干膜抗蚀剂粘膜在覆铜箔板上。 贴膜示意图 干膜 铜板 热辘 保护膜 4.2 ：板面贴膜 四、 工艺制程原理 压力， 温度， 传送速度 贴膜过程注意三要素： 贴膜应是表面平整、无皱折、无气泡、无灰尘颗粒等夹杂，同时为保存工艺的稳定性，贴膜后应停置 15分钟后再进行曝光。 贴膜后要求： 4.2 ：板面贴膜
9、 四、 工艺制程原理 停留时间的设定及影响： 贴膜后板子须停留时间 15分钟以上， 24小时以内。如果停留时间不够： 干膜中所加入的附着力促进剂没有与铜完全发生作用而黏结不牢，造成菲林松。 若停留时间太久： 就会造成反应过度附着力太强而显影剥膜困难。 6.1干膜结构 PE 聚乙烯保护膜 （ 25m ）干膜（光阻胶层） PET COVER FILM （ 25m） 其中： 聚乙烯保护膜 是覆盖在感光胶层上的保护膜，防止灰尘等污物 粘污干膜 阻止干膜胶层粘附在下层 PET上； 聚脂类透明覆片 （ PET） 作用： 1、避免干膜阻剂层在未曝光前遭刮伤 ； 2、在曝光时阻止氧气侵入光阻胶层，破坏游离基，
10、引起感光度 下降 4.2.1 干膜结构（光致抗蚀剂干膜） ： 四、 工艺制程原理 4.2.2 干膜的主要成分及作用 ： 四、 工艺制程原理 光阻胶层的主要成分 作用 粘结剂 (成膜树脂 ) 起抗蚀剂的骨架作用 ,不参加化学反应 光聚合单体 在光引发剂的存在下 ,经紫外光照射下发生聚合反应 ,生成体型聚合物 ,感光部分不溶于显影液 ,而未曝光部分可通过显影除去 光引发剂 在紫外光照射下，光引发剂吸收紫外光能量产生游离基，游离基进一步引 发光聚合单体交联 各种添加剂 增强干膜物性及增强铜面附着力等 四、 工艺制程原理 成分 要点 有关特性高分子聚合物丙烯单体的选择，分子量，玻璃化转移温度感光性显影
11、特性密着性干膜强度褪膜特性架桥剂双键架桥聚合单体：亲水性与疏水性的平衡，架桥基团的浓度感光性解像度显影特性耐药品性（显影液蚀刻液电镀液）其他：光聚合开始剂，安定剂，染料，密着促进剂n m R1 C CO2R2 CH2 CH3 C CO2H CH2 CH2 C-CO OC2H4 O C O C2HO4 CO C CH2 m CH3 n CH3 CH3 CH3 4.2.3 干感光层主体树脂组成： 四、 工艺制程原理 4.2.4 成像图形转移使用的光成像材料： 按物理状态分为 : 干膜抗蚀剂 及 液体抗蚀剂 光致抗蚀剂：是指用化学方法获得的能抵抗某种蚀刻液或电镀溶液浸蚀的感光材料。感光材料主要是由主
12、体树脂和光引发剂或光交联剂组成。 四、 工艺制程原理 项目 干膜抗蚀剂 液态抗蚀剂 解像度 3mil 1 mil填平性 差 较好成本 比干膜低 4060%废水处理 膜厚、处理量大 无保护膜、膜薄、处理量小自动化程度可实现自动化生产，但要配用自动除干膜保护膜设备可以实现自动化生产房间： 100K 级 房间： 10K 级设备： 10K 级 设备： 1K 级适用蚀刻剂 酸性或碱性蚀刻剂 酸性或碱性蚀刻剂洁净房要求4.2.5 干膜 /湿膜性能比较： 四、 工艺制程原理 解像度附着力 盖孔能力 除油剂溶解测试 光谱特性 显影性及耐显影性 耐蚀刻性和耐电镀性 去膜性能 注：以上亦是测试新干膜的几种基本项目
13、 4.2.6 干膜使用的主要品质要求： 紫外光能量 光引发剂 R 单体 聚合物 自由基传递 聚合交联反应 4.3 曝光原理（感光原理）： 四、 工艺制程原理 被曝光部分： 菲林透光的区域 在紫外光照射下，光引发剂吸收光能分解成自由基，自由基再引发光聚合单体进行聚合交联反应，形成不溶于稀溶液的体型大分子结构 。 未被曝光部分： 菲林遮光的区域保持贴膜后的附着状态，将被显影液冲掉。 四、 工艺制程原理 曝光机光源 曝光时间（曝光能量控制） 菲林的质量 四、 工艺制程原理 影响曝光成像质量和生产效率因素： （除光致抗蚀剂性能） 曝光光源的选择 光源的特性直接影响曝光质量和效率，光源所发射出的光谱应与
14、感光材料吸收光谱相匹配，能获得较好的曝光效果 。 目前干膜的吸收光波长为 325-365nm,较短波长的光，曝光后成像图形的边缘整齐清晰。 四、 工艺制程原理 光能量与光波长关系如下： =h r=h c / 式中 : 光能量 (单位 :尔格 ) h 布郎克常数 (6.625 10-2尔格 .秒 ) r 光的频率 (单位 :秒 -1(HZ)） c 真空中光速 (单位 :CM) 波长 (值为 :2.289103cm/S) 四、 工艺制程原理 从式中可以看出光的波长越短其能量越大，由于 300nm以下波长易被玻璃和底片的聚酯片基所吸收，所以在曝光机中选用的光源其波长一般为 320-400nm之间。而高压泵灯及卤化物灯在 310-440nm波长范围均有较大的相对辐射强度 ,故为干膜曝光较理想光源。
