1、 四探针方阻测试 方块电阻是表征薄膜导电性能的物理量，通常采用四探针探测仪来测定，该方法原理简单，数据处理方便，测量时是非破坏性的，因此被广泛使用。 图 2.3 是电流平行经过 ITO 膜层的情形，其中： d 为膜厚， I 为电流， L1 为在电 流方向的膜层长度， L2 为在垂直于电流方上的膜层长度。 图 2.3 方块电阻示意图 Fig. 2.3 Diagram of block resistance 当电流流过如图所示的方形导电膜层时，该层的电阻为 (2. 9) 式中， 为导电膜的电阻率，对于给定的膜层， 和 d 可以看成是定值。 L1=L2时，即为正方形的膜层，其电阻值均为定值 /d。这
2、就是方块电阻的定义，即 (2. 10) 式中， R的单位为：欧姆 /(/) ； 的单位为欧姆 ()； d 的单位为米 (m)。 由此可以看出方块电阻的特点：对于给定膜层，其阻值丌随所采用正方形的大小变化，仅不薄膜材料的厚度有关。 四探针测试法如图 2.4 所示，在半径无穷大的均匀试样上有四根等间距为 S 的探针排列成一直线。由恒流源向外面两根探针 1、 4 通入小电流 I，测量中间两根探针 2、 3 间的电位差 U，则由 U、 I、 S 的值求得样品的电阻率 。 图 2.4 四探针测试法示意图 Fig. 2.4 Schematic diagram of four-probe method 当电
3、流 I 由探针 1 流入样品时，若将探针不接触出看成点电源，则等势面是以点电源为中心的一系列半球面，在距离探针 r 处的电流密度为： (2. 11) 由微分欧姆定律 J=E / 可得出距探针 r 处的电场强度为 (2. 12) 由于 E= dU/dr，而且， r时， U 0。则在距离探针 r 处的电位 U 为： (2. 13) 同理当电流由探针 4 流出样品时，在 r 处的电位为： (2. 14) 用直线四探针法测量电阻率时，电流 I 从探针 1 流入，探针 4 流出，根据电位叠加原理，探针 2， 3 处的电位可分别写成： (2. 15) 因此探针 2， 3 之间的电位差： (2. 16) 即： (2. 17) 是直线四探法测量电阻率的基本公式，它要求试样为无穷大，且半导体各边界 不探针的距离大于探针的间距。实际上当试样的厚度及任意探针不试样最近边界的距离至少大于四倍探针间距时即可认为己满足 上述要求，此条件丌满足时就需进行边界条件的修正，此时电阻率的计算公式为： (2. 18) B 为修正因子。它表示为： (2. 19) 式中： ， d 为样品厚度。 当样品厚度 d S/2时， ，于是得出薄片电阻率公式 (2. 20) 在样品无限薄的情况下，可视为二维平面， 由上式可得出方块电阴的计算公式： (2. 21)
