1、1、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_开关_状态。当器件的工作频率较高时，_开关_损耗会成为主要的损耗。 2、在 PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_载波比_，当它为常数时的调制方式称为_同步_调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_分段同步调制_调制。 3、面积等效原理指的是，_冲量_相等而_形状_不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。4、在 GTR、GTO、IGBT 与 MOSFET 中，开关速度最快的是_MOSFET_，单管输出功率最大的是_，应用最为广泛的是_IGBT_。 5
2、、设三相电源的相电压为 U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 根号 6 ，其承受的最大正向电压为 根号 2 。 6、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 有源逆变 逆变，如果接到负载，则称为 无源 逆变。7、_GTR_存在二次击穿现象，_IGBT_存在擎住现象。 8、功率因数由 和 这两个因素共同决定的。 9、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻 R 是 均压 _措施。 10、同一晶闸管，维持电流 IH与掣住电流 IL在数值大小上有 IL_（24） I H。 11、电力变换通常可分为： AC-DC 、 AC-AC 、 DC-DC 和 D
3、C-AC 。12、在下图中，_V1_和_VD1_构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第 1 象限；V2_和_VD2_构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于_第 2_象限。13、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 GTR ；可关断晶闸管 GTO ；功率场效应晶体管 MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管 IGBT ；IGBT 是 MOSFET 和 GTR 的复合管。14、晶闸管对触发脉冲的要求是 要有足够的驱动功率 、 触发前沿要陡幅值要高 和 触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。15、多个晶闸管相并联时必须考虑 均流 的问题，解决
4、的方是 串专用均流电抗器 。16、在电流源型逆变器中，电机负载，输出电压波形为 正弦波 波，输出电流波形为 矩形波波。17、三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个开关管间进行，称为_导电型18、当温度降低时，晶闸管的触发电流会 减小 、正反向漏电流会 ；19、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为 ITn 等于 倍IT（AV） ，如果 IT（AV） =100 安培，则它允许的有效电流为 安培。通常在选择晶闸管时还要留出 倍的裕量。20、三相桥式全控整流电路是由一组共 极三只晶闸管和一组共 极的三只晶闸管串联后构成的，晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。每隔换一次相，
5、在电流连续时每只晶闸管导通 度。要使电路工作正常，必须任何时刻要有 只晶闸管同时导通，一个是共 极的，另一个是共 极的元件，且要求不是 的两个元件。21、为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路种类很多，但归纳起来可分为 与 两大类。22、提高变流置的功率因数的常用方法有 、 、 、几种。23、三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围 ，三相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围 。 24、晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有 与 。25、选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以 。26、晶闸管的导通条件是 。27、晶闸管的断态不重复峰值电
6、压 UDSM 与转折电压 UBO 在数值大小上应为UDSM 小于 UBO。28、从晶闸管的伏安特性曲线可知，晶闸管具有 的特性。29、把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为 。30、触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲触发两种方法，目前采用较多的是触发方法。31、 可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。33、三相桥式整流电路中，当控制角 30 0 时，则在对应的线电压波形上触发脉冲距波形原点为 。34、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，如与不考虑漏抗的相比，则使输出电压平均值 。35、有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回 的逆变电路。36、有源逆变产生的条件之一是：变流电路
7、输出的直流平均电压 Ud 的极性必须保证与直流电源电势 Ed 的极性成 相连，且满足|U d|/2 时，电流主要是依靠电动势 Ed 来维持的，所以总的能量是电动机回馈给 。55、在无源逆变与直接斩波电路中，都必须设置换流 ，强迫导通的晶闸管可靠关断。56、晶闸管元件并联时，要保证每一路元件所分担的电流 。58、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别为：阳极、阴极和 极。59、晶闸管的额定电流是用在一定条件下的 电流来标定。60、为了保证晶闸管可靠与迅速地关断，通常在管子阳极电压下降为零之后， 加一段时间的 电压。61、同一晶闸管，维持电流 IH 与擎住电流 IL 的数值大小上有 IL IH。62、
8、某晶闸管的型号为 KP200-5，其中 200 表示 ，5 表示 。63、从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为 。64、为了保证三相全控桥电路能启动工作，触发脉冲必须采用 或 。65、三相半波整流电路有 和 两种接法。66、三相全控桥的共阴极组要求触发脉冲以 120为间隔，依次在 半周触发共阴极组的各晶闸管。67、电阻性负载三相桥式可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于 ，设 U2 为相电压有效值。68、在单相全控桥式变流器控制直流电动机卷扬机拖动系统中，若使变流器工作于有源逆变状态时，需使控制角 a/2，同时 |Ed| |Ud|。70、电压型逆变器其中间直流环
9、节以 贮能。71、晶闸管串联时，给每只管子并联相同的 RC 电路是 措施。72、晶闸管的三个电极分别是 、 、 。73、选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大 倍，使其有一定的电压裕量。74、当晶闸管加上正向 后，门极加上适当的 电压，使晶闸管导通的过程，称为触发。75、晶闸管和负载串联，接在正弦交流电源上，晶闸管的额定电流为100A，如果导电角为 900,允许通过的最大电流平均值是 。76、晶闸管每周期导通的电度角称晶闸管的 。77、电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UTM 等于 （设 U2 为相电压有效值） 。78、在三相可控整流电路中，0 0 的地方（
10、自然换相点）为相邻线电压的交点，它距对应线电压波形的原点为 。79、三相桥式全控整流电路，电阻性负载，当控制角 时，电流连续。80、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使输出电压平均值 。81、逆变器可分为无源逆变器和 逆变器两大类。82、在晶闸管有源逆变电路中，绝对不允许两个电源势 相连。83、变流器换流的方式有 和 两种。84、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻 R 是 措施。85 晶闸管除了在门极触发下可能导通之外，在以下几种情况下也可能被触发导通：阳极电压升高至相当高的数值造成 效应；阳极电压 过高；结温较高和光触发。但只有 是最精确、迅速而可靠的控制手段。对于其它几
11、种情况，在晶闸管的应用中要采取措施防止因其造成晶闸管误导通。86、在 PWM 控制电路中，根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况， PWM调制方式可分为_调制和_调制，_调制方法克服了以上二者的缺点。87、设 DC/DC 变换器的 Boost 电路中，E=10V ，=0.5，则 Uo=_。88、整流电路中变压器漏抗对电路的影响是_ 、_、_ _、 。89、换流的方式有_、_、_、_，全控型器件用_方式换流90、电力电子器件在实际应用中应采取的主要保护措施有： 、 、 。91、防止单相桥式半控整流电路失控的最有效方法是 。92、电力电子器件的主要类型有 ， 。93、晶闸管导通必须同时具备的两
12、个条件，在晶闸管阳极与阴极加足够 ，控制极加适当的正向电压作为晶闸管导通的 。94、通态平均电流平均值也称 。95、KP600-20G 表示额定电流为 ，管压降为 0.9V 的 。96、单相可控整流电路中，把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电度角称为 。97、三相半波整流电路电阻负载时的 a 移相范围为 。98、三相全控是整流电路在任何时刻必须有两个晶闸管同时导通，一个在共阴极组，一个在共阳极组，才能保证有效的电流通路，其导通顺序为 。99、在晶闸管单相可控整流电路中“逆变”的含义是 。100、在可控整流电路中，最小逆变角的范围是 。101、晶闸管触发电路中，脉冲具有足够的移相范围，三相全控桥
13、式整流电路电阻负载要求移相范围 ，电感性负载（电流连续） ，三相桥式可逆变线路在反电势负载下，要求移相范围为 。102、在半控型器件和全控型器件中，IGBT ，各代表的什么器件的晶体管。103、逆变失败的原因有：触发电路工作不可靠，不能适时准确的发出触发脉冲； ；晶闸管质量不高或参数裕量不足； 。104、在晶闸管的电流额定中，通态平均电流 ITa= ，I T= 。105.三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围 0-150，三相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围 0-120，三相半控桥电阻性负载时，电路的移相范围 0-150o。106、变流技术也称为电力电子器件的 应用技术 。107、
14、电力电子技术诞生于 1957 年，是以美国通用电气公司研制出第一个 晶闸管 为标志的。108、通常所用的电力有 直流 和 交流 两种。109、 1947 年，美国著名的贝尔实验室发明了 晶体管 。110、迄今为止，用于制造电力电子器件的半导体材料仍然是 硅 。111、在电化学工业中，电解铝、电解实验室等都需要大容量的 整流电源 。112、经多年研究，能够制造电力电子器件的新材料，有 碳化硅 、 氮化镓 、砷化镓 、 金刚石 等。113、在磁悬浮列车中， 技术是一项关键技术。114、相位控制方式和斩波控制方式分别简称为 相控 和 斩控 。115、目前， 碳化硅 二极管 以其优越的性能已经获得了广
15、泛的应用。116、在电气机车中，直流机车采用 装置，交流机车采用 装置。117、通常把交流电变成直流电称为 整流 ，而把直流电变成交流电称为 逆变 。118、有源逆变和无源逆变的区别仅仅在于变流电路的交流侧是否与 电网 连接。119、以前的电梯大都采用直流调速系统，而近年来 变频调速 已成为主流。120、电力电子电路的换流方式可分为以下四种： 换流、 换流、换流、 换流。121、逆变电路根据直流侧电源的性质分类，可以分为 电压 型逆变电路和电流 型逆变电路。122、 变频 空调器 是家用电器中应用电力电子技术的典型例子。123、 软开关 技术解决了电力电子电路中开关损耗和开关噪声问题。124、
16、电力电子器件按照被控制的程度可分为三类： 不可控 器件， 半控 型器件， 全控 型器件。125、超导储能是未来的一种储能方式，它需要你强大的 直流 电源供电。126、电力电子装置的发展趋势是 小型 化、 轻量 化。127、在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路被称为 。128、在电力电子电路中，器件的开关损耗和开关频率之间呈现 线性 关系。129、PWM 控制技术在 逆变 电路中的应用最为广泛。130、器件换流只适用于 全控 型器件，其余三种方式重要是针对 晶闸管 而言的。131、晶闸管电路的主要控制方式是 相控 方式，而全控型器件电路的主要控制方式是 斩控 方式。132、
17、不久的将来，采用 碳化硅 材料制成的 IGBT 压降低、损耗小、耐压高，而且耐高温也将远高于用 硅 材料制成的 IGBT。133、在交流交流变流电路中，通过对晶闸管的控制，不改变其频率，而调节交流电压、电流或对电路的通断进行控制，这样的电路称为 交流电力控制 电路。134、如果在交流-交流变流电路中，通过对晶闸管的控制，只改变交流电的频率，这样的电路可称为变频电路 。135、通过对晶闸管的控制，以交流电的周期通过对晶闸管的控制，可以调节输出电压的有效值，这种电路称为 交流调压 电路。136、在每半个周波内，通过控制晶闸管的通断，则可以调节输出功率的平均值，这种电路称交流调功 电路。如果并不着意调节平均功率，只是接通或断开电路，则称串入的晶闸管为 交流电力电子开关 。137、晶闸管是晶体闸流管的简称，以前被简称为 可控硅 。138、 面积等效 原理是 PWM 控制技术的重要理论基础。139、变频器、不间断电源、感应加热电源等电力电子装置，其电路的核心部分都是 逆变 电路。140、随着电力电子器件开关频率的提高，器件在开关过程中的开关 损耗 和开关 噪声 也随之增大。
