1、以Ag+为例， （2）的物理图象为：低温时，晶格由阴阳离子共同组成；当温度升上到相变温度时，所构成的阳离子亚晶格发生熔化；阴离子亚晶格由于阳离子亚晶格的无序而重新排列构成新相的骨架；阳离子在这些骨架的间隙上随机分布，可动阳离子在这一新相中的间隙位置间很容易运动。,热缺陷的运动产生和复合,碱金属卤化物晶体的离解能与缺陷的扩散能,E2,设 U=Fa/2 顺电场方向填隙离子单位时间内跃迁的次数为：P2顺= 02 /6exp(E2 U) /kBT 逆电场方向填隙离子单位时间内跃迁的次数为：P2逆= 02 /6exp(E2 + U) /kBT 单位时间内每一间隙离子沿电场方向的净跃迁次数为：P= P2顺
2、 P2逆 =02/6exp(E2/kBT)exp( U/kBT)+exp(U/ kBT),每跃迁一次间隙离子移动距离a， 间隙离子沿电场放心的迁移速度为： v= Pa =a02 /6exp(E2/kBT)exp( U/ kBT)+exp(U/ kBT),当电场强度不太大时， exp( U/ kBT)1+ U/ kBTexp(U/ kBT)1 U/ kBTv=( a02 /6)(qa/ kBT) E exp(E2/ kBT) 载流子沿电场力的方向的迁移率为：=v/E=(a202q /6kBT) exp(E2/ kBT) 一般离子的迁移率为10-1310-16 m2/sV,kB= 0.8610-4
3、(eV/K) 例：晶格常数a=510-8 cm，振动频率1012Hz， 势垒0.5eV， 常温300K，=6.1910-11(cm2/sV),晶体的活化能,本征导电与杂质导电的数据比较,总电流密度 : Jt=Dqn/ xV/ x 在热平衡状态下总电流为零 根据波尔兹蔓能量分布:n=n0exp(qV/kT) 得： n/ x=qn/kTV/ x=Dnq2/kT,尖晶 石 区,镜面,镜面,ABCA,密堆基块,松散的钠氧层,松散的钠氧层,Na Al2O3 (Na2O11 Al2O3)的结构,Al2O3中不同离子对其导电率的影响,Al2O3中Na+很容易被其他金属离子取代（交换）。 交换实验：在3000C3500C的熔盐中进行，取代后的Al2O3晶胞发生显著变化。,（3） 掺杂离子对其导电性的影响,掺入不同离子对其晶胞参数的影响,固态氧化物的电学性质,ZrO2 CaO系统离子扩散系数,固溶过程CaO CaZr+VO+OOY2O3 2YZr+VO+3OO,ZrO2,ZrO2,10000C 条件下,
