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第2章 89C51单片机硬件结构和原理.ppt

上传人:hyngb9260 文档编号:7883706 上传时间:2019-05-28 格式:PPT 页数:163 大小:1.51MB
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资源描述

1、23:18,2.1 89C51单片机芯片内部结构及特点,2.2 89C51单片机引脚及其功能,2.3 89C51单片机存储器配置,2.4 时钟电路及89C51CPU时序,2.5 复位操作,2.6 89C51单片机的低功耗工作方式,返回,第2章 89C51单片机的结构和原理,2.7 输出/输入端口结构,23:18,2.1 89C51单片机芯片 内部结构及特点,2.1.1 89C51单片机的基本组成,2.1.2 89C51单片机芯片内部结构,返回,23:18,2.1.1 89C51单片机的基本组成,一、组成,二、89C51系列单片机的性能,返回,23:18,一、组成,89C51单片机结构框图: P

2、18 图2-1,返回,89C51单片机结构框图,23:18,一、组成,1、一个8位的微处理器CPU。,返回,用以存放可以读/写的数据,如运算的中间结果、最终结果以及欲显示的数据等。,2、片内数据存储器(RAM 256B):,用以存放程序、一些原始数据和表格。,3、片内程序存储器(Flash ROM 4KB):,4、四个8位并行I/O(输入/输出)接口 P0P3:,每个口可以用作输入,也可以用作输出。,23:18,返回,每个定时/计数器都可以设置成计数方式,用以 对外部事件进行计数,也可以设置成定时方式,并可以根据计数或定时的结果实现计算机控制。,5、两个16位的定时/计数器:,可实现单片机与单

3、片机或其它微机之间串行通信。,6、一个全双工UART的串行I/O口:,23:18,返回,但需外接石英晶体和微调电容。,7、片内振荡器和时钟产生电路:,8、五个中断源、两个优先级的中断控制系统。,9、具有节电工作方式:即休闲方式及掉电方式。 以上各个部分通过片内8位数据总线(DBUS)相连接。,23:18,二、89C51的两种省电方式,89C51单片机与8051相比,具有节电工作方式,即休闲方式及掉电方式。,返回,23:18,另外89C51是用静态逻辑来设计的,其工作频率可下降到0 Hz,并提供两种可用软件来选择的省电方式空闲方式(Idle Mode)和掉电方式(Power Down Mode)

4、。在空闲方式中,CPU停止工作,而RAM、定时器/计数器、串行口和中断系统都继续工作。此时的电流可降到大约为正常工作方式的15%。在掉电方式中,片内振荡器停止工作,由于时钟被“冻结”,使一切功能都暂停,故只保存片内RAM中的内容,直到下一次硬件复位为止。这种方式下的电流可降到15 A以下,最小可降到0.6 A。,返回,23:18,89C51单片机还有一种低电压的型号,即89LV51,除了电压范围有区别之外,其余特性与89C51完全一致。 89C51/LV51是一种低功耗/低电压、高性能的8位单片机。它采用了CMOS工艺和高密度非易失性存储器(NURAM)技术,而且其输出引脚和指令系统都与MCS

5、51兼容;片内的Flash ROM允许在系统内改编程序或用常规的非易失性存储器编程器来编程。因此89C51/LV51是一种功能强、灵活性高,且价格合理的单片机,可方便地应用在各种控制领域。,返回,23:18,2.1.2 89C51单片机芯片内部结构,一、结构图:,二、结构组成,返回,23:18,一、结构图:P19图2-2,由 中央处理单元(CPU)(运算器、控制器)、存储器(ROM及RAM)、I/O接口组成。,返回,23:18,二、结构组成,(一)中央处理单元(CPU),(二)存储器,(三)I/O接口,返回,23:18,1、中央处理单元(89C51CPU),1)运算器,返回,2)控制器,23:

6、18,1)运算器,(1)8位的ALU:,返回,(2)8位累加器ACC(A):,(3)8位程序状态字寄存器PSW:,(4)8位寄存器B:,(5)布尔处理器:,(6)2个8位暂存器:,23:18,1)运算器,可对4位、8位、16位数据进行操作。,返回,(1)8位的ALU:,(2)8位累加器ACC(A):,它经常作为一个运算数经暂存器2进入ALU的输入端,与另一个来自暂存器1的运算数进行运算,运算结果又送回ACC。,23:18,指示指令执行后的状态信息供程序查询和判别用。,(3)8位程序状态寄存器PSW:,返回,(4)8位寄存器B:,在乘除运算时,用来存放一个操作数,也用来存放运算后的一部分结果;

7、如不做乘除运算时,作为通用寄存器。,23:18,(5)布尔处理器:,专门用于处理位操作的, 以PSW中的C为其累加器。,返回,(6)2个8位暂存器:ALU的两个入口处。,23:18,2)控制器,(1)程序计数器PC(16位),(2)指令寄存器IR、指令译码器ID,(3)振荡器和定时电路,返回,23:18,(1)程序计数器PC(16位),由两个8位计数器PCH、PCL组成。 PC是程序的字节地址计数器,PC内容为将要执行的下一条指令地址。 改变PC内容,改变执行的流向。 PC可对64KB的ROM直接寻址,也可对89C51片内RAM寻址。,返回,23:18,(2)指令寄存器IR、指令译码器ID,由

8、PC中的内容指定ROM地址 取出来的指令经IR送至ID 由ID对指令译码产生一定序列的控制信号以执行指令所规定的操作。,返回,23:18,(3)振荡器和定时电路,89C51单片机片内有振荡电路,只需外接石英晶体和频率微调电容(2个30pF左右),其频率为024MHz。该脉冲信号作为89C51工作的基本节拍即时间的最小单位。,返回,23:18,2、存储器,1)程序存储器(ROM),2)数据存储器(RAM),返回,23:18,1)程序存储器(ROM),89C51片内为4KB Flash ROM。 地址为0000H0FFFH。 用于存放程序和表格常数。,返回,23:18,2)数据存储器(RAM),8

9、9C51RAM均为128B,地址为00H7FH。 用于存放运算的中间结果、数据暂存以及数据缓冲等。 这128B的RAM中有32个字节单元可指定为工作寄存器。 片内还有21个特殊功能寄存器(SFR),它们同128字节RAM统一编址,地址为80HFFH。后面详细介绍。,返回,23:18,3、I/O接口,89C51有四个8位并行I/O接口P0P3。它们都是双向端口,每个端口各有8条I/O线。 P0-P3口四个锁存器同RAM统一编址,可作为SFR来寻址。 89C51还有一个可编程的全双工串行口(UART),利用P3.0(RXD)和P3.1(TXD),可实现与外界的串行通信。,返回,23:18,2.2

10、89C51单片机引脚及其功能,2.2.1 89C51单片机引脚,2.2.2 89C51单片机引脚功能,返回,23:18,2.2.1 89C51单片机引脚,P22图2-3:是89C51/LV51的引脚结构图,有双列直插封装(DIP)方式和方形封装方式。,返回,23:18,图2-3 89C51/LV51的引脚结构,23:18,2.2.2 89C51单片机引脚功能,一、电源引脚:Vcc和Vss 二、时钟电路引脚:XTAL1和XTAL2 三、控制信号引脚RST、ALE、PSEN和EA 四、I/O端口P0、P1、P2和P3,返回,23:18,一、电源引脚:Vcc和Vss,1Vcc(40或44脚):电源端

11、,为+5V。 2Vss(20或22脚):接地端。,返回,23:18,二、时钟电路引脚:XTAL1和XTAL2,XTAL2(18或20脚):接外部晶体和微调电容的一端;在89C51片内它是振荡电路反向放大器的输出端,振荡电路的频率就是晶体固有频率。若需采用外部时钟电路时,则该引脚悬空。89C51正常工作时,该引脚应有脉冲信号输出。 参见P19图2-2,23:18,XTAL1(19或21脚):接外部晶体和微调电容的另一端;在片内它是振荡电路反向放大器的输入端,在采用外部时钟时,该引脚输入外部时钟脉冲。 参见P19图2-2,二、时钟电路引脚:XTAL1和XTAL2,返回,23:18,三、控制信号引脚

12、: RST、ALE、PSEN和EA,RST / VPD(9或10脚): RST:复位信号输入端,高电平有效。当此输入端保持两个机器周期的高电平时,就可以完成复位操作。,23:18,RST / VPD(9或10脚): VPD :RST引脚的第二功能,备用电源输入端。当主电源Vcc 发生故障,降低到低电平规定值时,将+5V电源自动接入该引脚,为RAM提供备用电源,以保证RAM中的信息不丢失,使得复位后能继续正常运行。,三、控制信号引脚: RST、ALE、PSEN和EA,23:18,ALE / PROG(30或33脚): ALE:地址锁存允许信号端。正常工作时,该引脚以振荡频率的1/6固定输出正脉冲

13、。CPU访问片外存储器时,该引脚输出信号作为锁存低8位地址的控制信号。它的负载能力为8个LS型TTL负载。,三、控制信号引脚: RST、ALE、PSEN和EA,23:18,ALE / PROG(30或33脚): PROG:是对片内带有4KB Flash ROM的 89C51编程写入时的编程脉冲输入端。,三、控制信号引脚: RST、ALE、PSEN和EA,23:18,PSEN(29或32脚): 程序存储允许信号输出端。 在访问片外ROM时,定时输出负脉冲作为读片外ROM的选通信号,接片外ROM的OE端。 它的负载能力为8个LS型TTL负载。,三、控制信号引脚: RST、ALE、PSEN和EA,2

14、3:18,EA / Vpp(31或35脚): EA :外部程序存储器地址允许输入端。 当该引脚接高电平时,CPU访问片内ROM并执行片内程序存储器中的指令,但当PC值超过0FFFH(片内ROM为4KB)时,将自动转向执行片外ROM中的程序。 当该引脚接低电平时,CPU只访问片外ROM并执行外部程序存储器中的程序。,三、控制信号引脚: RST、ALE、PSEN 和 EA,23:18,EA / Vpp(31或35脚):Vpp:对89C51片内 Flash ROM固化编程时,固化编程电压输入端(12-21V)。,三、控制信号引脚: RST、ALE、PSEN和EA,返回,23:18,四、I/O端口P0

15、、P1、P2、P3,1、准双向 2、P0口 3、P1口 4、P2口 5、P3口,返回,23:18,1、准双向,当I/O口作为输入时,应先向此口锁存器写入全1, 此时该口引脚浮空,可作高阻抗输入。,返回,23:18,2、P0口:,漏极开路的8位准双向I/O口,每位能驱动8个LS型TTL负载。 P0口可作为一个数据输入/输出口; 在CPU访问片外存储器时,P0口为分时复用的低8位地址总线和8位数据总线。 Flash ROM编程时,P0口接收指令字节;效验程序时,则输出指令字节。,返回,23:18,3、P1口:,带内部上拉电阻的8位准双向I/O端口,每位能驱动4个LS型TTL负载。 在对Flash

16、ROM编程和程序效验时,P1接收低8位地址。,返回,23:18,4、P2口:,带内部上拉电阻的8位准双向I/O端口,每位能驱动4个LS型TTL负载。在CPU访问片外存储器时,它输出高8位地址。 在对Flash ROM编程和程序效验时,P2也接收高位地址和一些控制信号。,返回,23:18,5、P3口:,带内部上拉电阻的8位准双向I/O端口,每位能驱动4个LS型TTL负载。P3口除作为一般I/O口外,每个引脚都有第二功能。 P24表2-1 在对Flash ROM编程和程序效验时,P3还接收一些控制信号。,返回,23:18,表2-1 P3端口引脚与复用功能表,23:18,2.3 89C51单片机存储

17、器配置,2.3.1 89C51存储器分类 2.3.2 程序存储器地址空间 2.3.3 数据存储器地址空间,返回,23:18,2.3.1 89C51存储器分类,一、物理结构(哈佛结构) 二、用户角度,返回,23:18,一、物理结构(哈佛结构),返回,23:18,二、用户角度:,返回,P25图2-4,1、片内、外统一编址的64K程序存储器地址空间。CPU访问片内、片外ROM指令用MOVC。,2、64K的片外数据存储器地址空间。访问片外RAM指令用MOVX。,3、256字节的片内数据存储器地址空间。访问片内RAM指令用MOV。,上述三个存储空间地址是重叠的,89C51的指令系统采用不同的数据传送指令

18、符号。,23:18,2.3.2 程序存储器地址空间,一、用途: 二、编址: 三、寻址方式:,返回,23:18,一、用途:,用于存放编好的程序和表格常数。,返回,23:18,二、编址:,89C51片内Flash ROM的容量为4KB。地址为0000H0FFFH。 片外最多可扩至64KB ROM/EPROM,地址为1000HFFFFH。 片内外统一编址。,返回,23:18,三、寻址方式:,1、当 EA=“1”时:P25图2-4左图89C51的PC在00000FFFH范围内执行片内ROM中的程序,当指令地址超过0FFFH 后就自动转向片外ROM中取指令。,23:18,三、寻址方式:,2、当 EA=”

19、0”时: P25图2-4左图 89C51片内ROM不起作用, CPU只能从片外Flash ROM/EPROM中取指令。可以从 0000H 开始寻址。 由于8031片内不带ROM ,所以使用时必须 EA=”0”。,23:18,三、寻址方式:,3、89C51从片内ROM和片外ROM取指的速度相同。,4、程序存储器的低地址的40多个单元是保留存储单元。如P26表2-2所示。,23:18,表2-2 保留的存储单元,返回,23:18,三、寻址方式:,(1)0000H0002H三个单元: 用作89C51上电复位后引导程序的存放单元。因为复位后PC的内容为0000H,CPU总是从0000H开始执行程序。将转

20、移指令存放到这三个单元,程序就被引导到指定的程序存储器空间去执行。,返回,23:18,三、寻址方式:,(2)0003H002AH单元: 均分为五段,用作五个中断服务程序的入口。中断矢量地址表:P26表2-3,返回,23:18,表2-3 中断矢量表,返回,5.执行外部程序时的硬件连接:P26图2-5,23:18,2.3.3 数据存储器地址空间,一、用途: 二、片外RAM: 三、片内RAM:,返回,23:18,一、用途:,用于存放运算的中间结果、数据暂存和缓冲、标志位等。,返回,二、片外RAM:64kB=216B,地址:0000H0FFFFH 寻址:用MOVX指令 89C51外扩片外RAM(2KB

21、)接法:P28图2-6,23:18,三、片内RAM:256B=28B,(一)片内RAM地址空间 (二)低128字节RAM(00H7FH) (三)高128字节RAM(80HFFH): 特殊功能寄存器SFR区,返回,23:18,(一)片内RAM地址空间: P28图2-7,寻址:用指令MOV最大可寻址256个单元。,返回,低128B(00H-7FH):真正RAM区,高128B(80H-FFH):特殊功能寄存器(SFR)区,地址: 00H-0FFH,23:18,(二)低128字节RAM(00H7FH): P28图2-8,1、工作寄存器区(00H1FH) 2、位寻址区(20H2FH) 3、用户RAM区(

22、30H7FH),返回,23:18,1、工作寄存器区(00H1FH):P28图2-8,由四组(32个)工作寄存器组成,每组8个寄存器(R0-R7),共占32个单元。 通过程序状态寄存器 PSW中RS1、RS0两位设定来选择CPU的当前工作寄存器组。复位时,第0组为当前的工作寄存器。 P29 表2-4 若不需要四组,则其余可作为一般RAM单元。,返回,23:18,表2-4 工作寄存器地址表,返回,23:18,2、位寻址区(20H2FH): P28图2-8,位寻址区有16个单元,每个单元8位,共128位位地址为00H-7FH。 可用位寻址方式访问其各位。 这些可寻址位,通过执行指令可直接对某一位操作

23、,如置1、清0、判断转移等。 位寻址是89C51的一个重要特点。,返回,23:18,表2-5 RAM位寻址区位地址表,23:18,3、用户RAM区(30H7FH): P28图2-8,用于堆栈和数据缓冲。,返回,23:18,(三)高128字节RAM(80HFFH): P28图2-9,返回,有21个特殊功能功能寄存器。 地址分布在80HFFH的RAM空间。 只能用直接寻址方式。 有11个具有位寻址能力。11个SFR的字节地址正好能被8整除。特殊功能寄存器的地址:P30表2-5 部分特殊功能寄存器介绍,23:18,表2-5 特殊功能寄存器地址表,23:18,表2-5 特殊功能寄存器表,23:18,部

24、分特殊功能寄存器介绍,累加器 ACC(E0H): 用A作为ACC的助记符。 用于存放第一个操作数及运算结果。,返回,寄存器 B(F0H): 在乘法指令中,B用于存放乘数和乘积的高8位。 在除法指令中用于存放除数和余数。 在其它指令中用作一般的寄存器或RAM单元。,23:18,部分特殊功能寄存器介绍,程序状态寄存器 PSW(D0H): PSW包含了程序执行后的状态信息,供程序查询或判断用。 PSW的格式 PSW各位的含义,返回,23:18,返回,PSW的格式:P31,23:18,PSW各位的含义,(1)CY位(PSW.7):进(借)位标志位。 执行加法(减法)运算指令时,如运算结果最高位(D7)

25、向前有进位(借位),CY=1; 否则,CY=0。 在位操作指令中,CY位是布尔累加器,用C表示,返回,23:18,(2)AC位(PSW.6):半进位标志位(辅助进位标志)。 执行加法(减法)运算指令时, 如运算结果的低半字节(D3)向高半字节有进位(借位),AC=1; 否则,AC=0。,返回,(3)F0位(PSW.5):用户标志位。 由用户自己定义、置位、复位,以作为软件标志,23:18,(4)RS0、RS1位(PSW.3 和 PSW.4):工作寄存器组选择控制位。 由用户用软件改变RS0和RS1的值,以切换当前选用的工作寄存器组。 RS0,RS1的组合关系: P31表2-8 上电复位时,(R

26、S0)=(RS1)=0, CPU自然选择第0组为当前工作寄存器组。,返回,23:18,表2-8 RS0,RS1的组合关系,返回,23:18,(5)OV位(PSW.2):溢出标志位。 有溢出,即运算结果超出-128 +127的范围时,OV=1; 无溢出时,OV=0。,返回,(6)P位(PSW.0):奇偶检验位。 每条指令执行后,A中“1”的个数为奇数,则P=1 否则,P=0。,(7)PSW.1:保留位。,23:18,部分特殊功能寄存器介绍,堆栈指针 SP(81H): 堆栈:在片内RAM中,开辟的一个按“先进后出”的结构方式处理数据的区域。 堆栈的操作:PUSH、POP: P32图2-10 SP的

27、内容可指向片内RAM 00H7FH的任何单元 系统复位时,SP初始化为07H。,返回,23:18,返回,数据指针 DPTR(83H,82H):DPTR是一个16位的特殊功能寄存器。由DPH(83H),DPL(82H)组成。DPH,DPL可以单独使用。,I/O端口P0、P1、P2、P3(80H、90H、A0H、B0H) 分别为四个并行端口的锁存器,每一个口锁存器还有位地址,所以每一条I/O线可独立输入或输出。输出时,可以锁存;输入时,可以缓冲。,23:18,2.4 时钟电路及89C51 CPU时序,2.4.1 片内时钟信号的产生,返回,2.4.2 CPU取指、执指时序,23:18,2.4.1 片

28、内时钟信号的产生,返回,89C51芯片内部有一个高增益反相放大器,用于构成振荡器。反相放大器的输入端为XTAL1,输出端为XTAL2,两端跨接石英晶体及两个电容就可以构成稳定的自激振荡器。电容器和通常取30 pF左右,可稳定频率并对振荡频率有微调作用。振荡脉冲频率范围为fOSC=024 MHz。 晶体振荡器的频率为fOSC,振荡信号从XTAL2端输入到片内的时钟发生器上,如P34图2-12。,23:18,图2-12 89C51的片内振荡器及时钟发生器,23:18,2.4.1 片内时钟信号的产生,1、节拍与状态周期,2、机器周期和指令周期,3、基本时序定时单位,返回,23:18,1、节拍与状态周

29、期,时钟发生器:是一个2分频的触发器电路,它将振荡器的信号频率fOSC除以2,向CPU提供两相时钟信号P1和P2。 时钟信号的周期称为机器状态周期S(STATE),是振荡周期的2倍。 在每个时钟周期(即机器状态周期S)的前半周期,相位1(P1, 节拍1)信号有效,在每个时钟周期的后半周期,相位2(P2, 节拍2)信号有效。,返回,23:18,每个时钟周期(以后常称状态S)有两个节拍(相)P1和P2,CPU就以两相时钟P1和P2为基本节拍指挥89C51单片机各个部件协调地工作。,返回,23:18,2、机器周期和指令周期,二、指令周期:,一、机器周期:,返回,一个机器周期:指CPU访问存储器一次所

30、需的时间。例:取指令、读存储器、写存储器等等。 一个机器周期:包括12个振荡周期,分为6个S状态:S1S6。 每个状态又分为两拍,称为P1和P2。 因此,一个机器周期中的12个振荡周期表示为S1P1,S1P2,S2P1,S2P2,S6P1,S6P2。,机器周期,23:18,若采用6MHz晶体振荡器,则每个机器周期为多少? 设:晶体振荡器频率 fosc=6MHz, 则:振荡周期=1/fosc=1/6 s(微秒) 因为:一个机器周期包括12个振荡周期, 所以:一个机器周期=12*(1/6) s(微秒)= 2s(微秒),问:如果fosc=12MHz,一个机器周期为多少?,答案:,1s(微秒),机器周

31、期,23:18,指令周期:执行一条指令所需的时间。 每条指令由一个或若干个字节组成。有单字节指令,双字节指令,多字节指令等。字节数少,则占存储器空间少 每条指令的指令周期都由一个或几个机器周期组成。 有单周期指令、双周期指令、和四周期指令。(机器周期数少,则执行速度快)。其指令周期各为多少?,指令周期,例,23:18,指令周期,设:振荡频率为6MHz, 则:一个机器周期为 2s(微秒)。 单周期指令:指令周期为 2s(微秒) 双周期指令:指令周期为 4s(微秒) 四周期指令:指令周期为 8s(微秒) 如果振荡频率为12MHz,则其机器周期为1s 故其指令周期分别为 1s、2s 和 4s。,23

32、:18,单字节指令:如,INC A;机器码格式:0000 0100B,双字节指令:如,MOV A,#data ;机器码格式: 0111 0100B data,23:18,3、基本时序定时单位,综上所述,89C51或其他80C51单片机的基本时序定时单位有如下4个。 振荡周期:晶振的振荡周期,为最小的时序单位 状态周期:振荡频率经单片机内的二分频器分频后提供给片内CPU的时钟周期。 因此,1个状态周期包含2个振荡周期。,返回,23:18,机器周期(MC): 1个机器周期由6个状态周期即12个振荡周期组成,是计算机执行一种基本操作的时间单位。 指令周期: 执行一条指令所需的时间。一个指令周期由14

33、个机器周期组成,依据指令不同而不同,见P307附录A。,返回,23:18,4种时序单位中,振荡周期和机器周期是单片机内计算其他时间值(例如,波特率、定时器的定时时间等)的基本时序单位。 下面是单片机外接晶振频率12MHz时的各种时序单位的大小。振荡周期=1/fOSC=1/12 MHz=0.083 3 s状态周期=21/fOSC=2/12 MHz=0.167 s机器周期=121/fOSC=12/12 MHz=1 s指令周期=(14)机器周期=14 s,返回,23:18,4个时序单位从小到大依次是:节拍(振荡脉冲周期,1/fOSC)、状态周期(时钟周期)、机器周期、指令周期, 如P35图2-13所

34、示。,返回,23:18,图2-13 89C51单片机各种周期的相互关系,23:18,2.4.2 CPU取指、执指时序,每条指令的执行都可以包括取指和执指两个阶段。 在取指阶段,CPU从内部或外部ROM中取出指令操作码及操作数,然后再执行这条指令。 单字节和双字节的指令都可能是单机器周期或双周期,而三字节指令都是双周期的,只有乘、除指令占四周期。 CPU取指、执指时序:P36 图2-14,返回,图2 -14 89 C51 单片 机的 取指 /执行 时序,23:18,2.5 复位操作,2.5.1 复位操作的主要功能 2.5.2 复位信号及其产生 2.5.3 复位电路,返回,23:18,2.5.1

35、复位操作的主要功能,一、主要功能 初始化:程序地址指针PC初始化为0000H,使单片机从0000H单元开始执行程序 当由于程序运行出错或操作错误使系统死锁状态时,为摆脱困境,也需要按复位键重新启动。,返回,23:18,二、SFR的复位值:P38表2-8,返回,23:18,表2-8 各特殊寄存器的复位值,23:18,2.5.2 复位信号及其产生,一、复位信号的产生: RST引脚(P22图2-3:9、10脚): 为复位信号输入端。当RST引脚为高电平,且有效时间持续24个振荡周期以上,才能复位。 二、产生复位信号的电路逻辑图:P39图2-15,返回,23:18,图 2-15 复位电路逻辑图,返回,

36、23:18,2.5.3 复位电路,复位操作有两种方式: 1、上电自动复位: 是通过外部复位电路的电容充电实现。P39图2-16(a) 2、手动复位:指通过接通一按键开关,使单片机进入复位状态。 按键电平复位方式:P39图2-16(b),返回,23:18,图 2-16 (a) 上电复位电路,只要Vcc的上升时间不超过1ms,就自动上电复位,即接通电源就完成了系统复位。,返回,23:18,图 2-16 (b) 按键电平复位电路,通过使复位端经电阻与VCC电源接通而实现。,返回,23:18,2.6 89C51单片机的低功耗工作方式,89C51属于CHMOS的单片机,运行时耗电少,而且还提供两种节电工

37、作方式,即空闲(等待、待机)方式和掉电(停机)工作方式,以进一步降低功耗。 实现这两种方式的内部电路: P40图2-17,返回,23:18,由P40图2-17可见, 若IDL=0,则89C51将进入空闲运作方式。在这种方式下,振荡器仍继续运行,但IDL封锁了去CPU的“与”门,故CPU此时得不到时钟信号。而中断、串行口和定时器等环节却仍在时钟控制下正常运行。 掉电方式下(PD=0),振荡器冻结。,返回,23:18,返回,图2-17 空闲和掉电方式控制电路,PD和IDL均为PCON中PD和IDL触发器的输出端,23:18,2.6.1 方式的设定,返回,空闲方式和掉电方式是通过对SFR中的PCON

38、(电源控制寄存器,地址87H)相应位置1而启动的。 P41图2-18:为89C51电源控制寄存器PCON各位的分布情况。HMOS器件的PCON只包括一个SMOD 位,其他4位是CHMOS器件独有的。3个保留位用户不得使用,因为硬件没有做出安排可能在今后的MCS51新产品中代表某特定的功能,23:18,返回,图2-18 电源控制寄存器PCON,23:18,返回,P41图2-18中各符号的名称和功能如下。SMOD:波特率倍频位。若此位为1,则串行口方式1、方式2和方式3的波特率加倍。GF1和GF0: 通用标志位。PD:掉电方式位。此位写1即启动掉电方式。由P40图2-17可见,此时时钟冻结。IDL

39、:空闲方式位。此位写1即启动空闲方式。这时CPU因无时钟控制而停止运作。如果同时向PD和IDL两位写1,则PD优先。 89C51中PCON的复位值为00000B。,23:18,2.6.2 空闲(等待、待机)工作方式,返回,当CPU执行完置 IDL=1(PCON.1)的指令后, 系统进入空闲工作方式。这时,内部时钟不向CPU提供,而只供给中断、串行口、定时器部分。CPU的内部状态维持,即包括堆栈指针SP、程序计数器PC、程序状态字PSW、累加器ACC所有的内容保持不变,端口状态也保持不变。ALE和PSEN保持逻辑高电平。,23:18,2.6.2 空闲(等待、待机)工作方式,返回,系统退出空闲方式

40、的两种方法: 响应中断:因任何的中断请求被响应都可由硬件将PCON.0(IDL)清0而中止空闲工作方式。,23:18,2.6.2 空闲(等待、待机)工作方式,返回,当执行完中断服务程序返回到主程序时,在主程序中,下一条要执行的指令将是原先使IDL置位指令后面的那条指令。PCON中的通用标志位GF1和GF0可以用来指明中断是在正常操作还是在待机方式期间发生的。在待机方式时,除用指令使IDL=1外,还可先用指令使GF1或GF0置1。当由于中断而停止待机方式时,在中断服务程序中可以检查这些标志位,说明是从待机方式进入中断的。,23:18,2.6.2 空闲(等待、待机)工作方式,返回,硬件复位:由于在

41、空闲工作方式下振荡器仍然工作,因此硬件复位仅需2个机器周期便可完成。而RST端的复位信号直接将PCON.0(IDL)清0,从而退出空闲状态,CPU则从进入空闲方式的下一条指令开始重新执行程序。,23:18,2.6.3 掉电(停机)工作方式,返回,当CPU执行一条置PCON.1位(PD)为1的指令后系统进入掉电工作方式。在掉电工作方式下,内部振荡器停止工作。由于没有振荡时钟,因此,所有的功能部件都停止工作。但内部RAM区和特殊功能寄存器的内容被保留,而端口的输出状态值都保存在对应的 SFR中,ALE和PSEN都为低电平。,23:18,2.6.3 掉电(停机)工作方式,返回,退出掉电方式的惟一方法

42、是由硬件复位,复位后将所有特殊功能寄存器的内容初始化,但不改变片内RAM区的数据。 在掉电工作方式下,VCC可以降到2 V,但在进入掉电方式之前,VCC不能降低。而在准备退出掉电方式之前,VCC必须恢复正常的工作电压值,并维持一段时间(约10 ms),使振荡器重新启动并稳定后方可退出掉电方式。,23:18,2.7 输出/输入端口,I/O端口概述 2.7.1 P1口 2.7.2 P2口 2.7.3 P0口 2.7.4 P3口 2.7.5 端口的负载能力和接口要求,返回,23:18,I/O端口概述,返回,1. 89C51单片机有四个8位并行I/O端口:P0、P1、P2、P3。 2. 每个端口都是8

43、位准双向口,共占32根引脚。 3. 每一条I/O线都能独立地用作输入或输出。 4. 每个端口都包括一个锁存器(即特殊功能寄存器P0P3),一个输出驱动器和输入缓冲器。作输出时,数据可以锁存,作输入时,数据可以缓冲。,23:18,2.7.1 P1口,一、P1口结构 二、P1口用作通用I/O,返回,23:18,2.7.1 P1口,一、P1口结构: P42图2-19输出驱动部分与P0口不同,内部有上拉负载电阻与电源相连。实质上,电阻是两个场效应管FET并在一起:一个FET为负载管,其电阻固定。另一个FET可工作在导通或截止两种状态,使其总电阻值变化近似为0或阻值很大两种情况。当阻值近似为0时,可将引

44、脚快速上拉至高电平当阻值很大时,P1口为高阻输入状态。,返回,23:18,图2-19 P1口某位的结构,返回,23:18,2.7.1 P1口,二、P1口用作通用I/OP1口也是一个准双向口。在端口用作输入时,也必须先向对应的锁存器写入1,使FET截止。当P1口输出高电平时,能向外提供拉电流负载 所以不必再接上拉电阻。,返回,23:18,2.7.2 P2口,一、P2口结构 二、P2口用作一般I/O口 三、P2口用作高8位地址总线,返回,23:18,一、P2口结构: P43图2-20,P2口某位的结构与P1口类似, 驱动部分与P1口类似,但比P1口多了一个MUX开关和转换控制部分。,返回,23:1

45、8,图2-20 P2口某位的结构图,返回,23:18,二、P2口用作一般I/O口,1、当CPU对片内存储器和I/O口进行读/写(执行MOV指令或EA=1时,执行MOVC指令)时,由内部硬件自动使开关MUX倒向锁存器的Q端,这时,P2口为一般 I /O 口。,23:18,二、P2口用作一般I/O口,2、当CPU对片外存储器或I/O口进行读/写(执行MOVX指令或EA=0时,执行MOVC指令)时,开关MUX倒向地址线(右)端,这时,P2口只输出高8位地址。,23:18,二、P2口用作一般I/O口,在只需扩展256B片外RAM的系统中, 使用“MOVX A, Ri”类指令访问片外RAM时,寻址范围是

46、256B,只需低8位地址线就可以实现。P2口不受该指令影响,仍可作通用I/O口。,23:18,二、P2口用作一般I/O口,若扩展RAM容量超过256B, 使用“MOVX A,DPTR”类指令的寻址范围是64KB,此时,高8位地址总线用P2口输出。在片外RAM读/写周期内,P2口锁存器仍保持原来端口的数据;在访问片外RAM周期结束后,多路开关MUX自动切换到锁存器Q端。由于CPU对RAM的访问不是经常的,在这种情况下,P2口在一定的限度内仍可用作通用I/O口。,返回,23:18,三、P2口用作高8位地址总线,当CPU对片外存储器或I/O口进行读/写(执行MOVX指令或EA=0时执行MOVC指令)

47、时,开关倒向地址线(右)端,这时,P2口只输出高8位地址。因为访问片外EPROM和RAM的操作往往接连不断,所以,P2口要不断送出高8位地址,此时P2口无法再用作通用I/O口。,返回,23:18,2.7.3 P0口,一、结构 二、P0口作为一般I/O口使用 三、P0口作为地址/数据总线使用,返回,23:18,一、结构: P44图2-21,P0口某位的结构由 一个输出锁存器 二个三态输入缓冲器 输出驱动电路:上拉场效应管FETT1驱动场效应管FETT2 控制电路:“与”门4、反相器3、转换开关MUX组成。,返回,23:18,一、结构: P44图2-21,工作状态受控制电路控制。 当C=0时,开关

48、MUX拨向Q输出端位置,P0口为通用I/O口;当C=1时,开关拨向反相器3的输出端,P0口分时作为地址/数据总线使用。,返回,23:18,图2-21 P0口某位的结构图,返回,23:18,二、P0口作为一般I/O口使用,1、P0口作输出口 2、P0口作输入口,返回,23:18,1、P0口作输出口,当CPU执行输出指令时,写脉冲加在D锁存器的CL上,这样,与内部总线相连的D端的数据取反后就出现在Q端上,又经输出级FET(T2)反相,在P0端口上出现的数据正好是内部总线的数据。这是一般的数据输出情况。,返回,23:18,2、P0口作输入口,当执行一条由端口输入的指令时,“读引脚”脉冲把三态缓冲器2打开,这样,端口上的数据经过缓冲器2读入到内部总线。 在端口进行输入操作前,应先向端口锁存器写入1,也就是使锁存器Q=0。因为控制线C=0,因此T1和T2全截止,引脚处于悬浮状态,可作高阻抗输入。,返回,23:18,三、P0口作为地址/数据总线使用,1P0口用作输出地址/数据总线以P0口引脚输出低8位地址或数据信息,MUX开关把CPU内部地址/数据线经反向器3与驱动场效应管FET(T2)栅极接通。上下两个FET处于反相,构成推拉式的输出电路(T1导通时上拉,T2导通时下拉),提高了负载能力。 当P0口被地址/数据总线占用时,就无法再作I/O口使用了。,23:18,

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