1、【LED 术语 】量子阱（quantum well）利用带隙较宽的层夹住带隙窄且极薄的层形成的构造。带隙较窄的层的电势要比周围（带隙较宽的层）低，因此形成了势阱（量子阱）。在 LED 和半导体激光器中，量子阱构造用于放射光的活性层。重叠多层量子阱的构造被称为多重量子阱（MQW：multiquantum well）。 蓝色 LED 等是通过改良量子阱构造等 GaN 类结晶层的构造取得进展的。GaN 类 LED 在成为MIS（metal-insulatorsemiconductor）构造，pn 接合型双异质结构造，采用单一量子阱的双异质结构造以及采用多重量子阱的双异质结构造的过程中，其亮度和色纯度
2、得到了提高。采用 MIS 构造的蓝色 LED 在还没有实现 p 型 GaN 膜时，就被广泛开发并实现了产品化。缺点是光强只有数百mcd。p 型 GaN 膜被造出来之后，采用 pn 接合型双异质结构造的蓝色 LED 得以实现。与 MIS 构造相比，发光亮度达到了 1cd，是前者的 10 倍左右。如果用多重量子阱构造来取代 pn 接合型双异质结构造，发光光度和色纯度会进一步提高（发光光谱的半值幅度变窄）。 GaN 类蓝色发光二极管的构造变迁（a ）为采用 MIS（metal-insulator-semiconductor）构造的蓝色 LED。（b）为采用多重量子阱（MQW ：multi quantum well）构造的蓝色 LED。双异质结构造是指在 LED 和半导体激光器等中，在活性层的两侧设置了能隙比活性层还要大的包覆层的构造。可获得将电子和空穴封闭在活性层内的效果。所以发光元件采用双异质结构造的话，可提高光输出。另外，只在活性层的一侧设置能隙较大的包覆层的构造被称为单异质结。
