1、现代分析技术复习参考题 99.12一、扫描电镜与电子探针1电子与表面相互作用的物理过程及产物。2什麽是激发深度？什麽是信息深度？了解它们对实际测量有什麽意义？3扫描电镜成象原理及特点。4比较 SEM 的二次电子象和背散射电子形貌象的特点。5放大倍数、分辨率和景深的定义及三者之间的关系。影响 SEM分辨率的主要因素。6如何用双通道技术区分 SEM 背散射电子的形貌象和成分象？7SEM 二次电子形貌象成象机理，举例说明。8几种常用电子源及其特点。9闪烁体计数器工作原理。10在电子探针中，试说明对于 Z35 的元素，为何不采用 K 线，而采用 L 和 M 线。11电子探针波谱仪的检测晶体，为什么先使
2、(hkl)晶面弯曲成曲率半径为 2R 的柱面，再把外形磨成曲率半径 R 的柱面？12电子探针能谱仪中硅检测器和多通道分析器的原理。二、扫描隧道显微镜与原子力显微镜1STM 的原理、特点和基本工作模式。2AFM 的原理及其关键技术。3隧道结电流和距离、平均逸出功大致是什麽关系？隧道电流一般在什麽量级？针尖与表面距离每变化 1A，隧道结电流大致改变多少？4STM 的分辨率与哪些因素有关？5减小震动的基本途径。如何达到对大多数频率干扰，针尖样品间隙的变化比基座振动的振幅小 5 个数量级？6用 STM 和 AFM 测量样品形貌对样品各有什麽要求？7如何用 AFM 测量样品的弹性和塑性？8控制微小距离移
3、动方法。三、俄歇电子能谱1什麽是俄歇跃迁？主要特点是什麽？WiXpYq俄歇跃迁的意义是什麽？什麽是 C-K 跃迁、超 C-K 跃迁？2荧光过程和俄歇过程有什麽关系？为什麽随着原子序数增加分别使用 KLL、LMM 和 MNN 系俄歇跃迁？3为什么检测到的俄歇电子反映的是表面信息？信息深度大约多少？4俄歇电流大小与哪些因素有关？5如何提高 AES 的信背比？微分谱与直接谱的区别。6怎样识 AES 谱？如何进行元素定性分析？7常用 AES 谱元素定量分析方法。8如何利用俄歇电子能谱仪进行样品元素的深度分析？9筒镜能量分析器原理。四、二次离子质谱1SIMS 原理，主要特点。2什麽是物理溅射？与哪些因素
4、有关？用离子束扫描作深度剖面分析时会伴随哪些物理现象发生？如何提高深度剖面分析的深度分辨率？3二次离子产额与哪些因素有关？4什麽是 SIMS 分析中的基体效应？5为什么 SIMS 分析中经常注氧？6为什么经常采用 Ar+、O -、或 Cs+为一次离子束？7什麽是静态 SIMS？为什么说在静态 SIMS 分析中得到真正表面单层信息？8SIMS 识谱方法9几种质量分析器原理10. 定量分析方法五、晶体结构分析1晶体点阵及其倒易点阵。2表面重构概念。3结构因数表达式及其物理意义。4干涉函数表达式，式中各符号的物理意义。主峰区的高和宽与哪些因素有关？5劳厄方程的物理意义。6爱瓦尔德图解作图法及物理意义
5、。7获得衍射斑点的充要条件。8计算结构因子。9晶体尺寸效应对衍射图形的影响。10衍射的方向、强度和斑点形状分别与哪些因素有关？11衍射仪的构成及工作原理。12利用 X 射线双晶衍射仪评价晶体质量，确定晶格常数，测定 异质外延层晶格匹配情况，三元混晶组分及超晶格参数的基本原理。13 RHEED 原理，及其在 MBE 中的应用。六、综合1电子、离子和光子与表面相互作用的物理过程。作为一次探束的特点与区别。2 了解各种分析仪器的工作参数和性能指标，了解它们的物理意义及一般使用范围。3对学过的部分分析技术进行总结比较，如：对几种检测元素方法(电子探针、AES、SIMS)的原理、检测灵敏度、信息深度及应用范围等进行比较。重点： 基本原理、特点、用途及局限性(适用范围)。 会根据需要了解的样品特性，知道应采用哪种或哪几种分析手段。 由测试结果会正确提取信息。
