1、 湘潭大学毕业论文题 目：集成电路的单粒子多位翻转效应毕业设计（论文）原创性声明和使用授权说明原创性声明本人郑重承诺：所呈交的毕业设计（论文），是我个人在指导教师的指导下进行的研究工作及取得的成果。尽我所知，除文中特别加以标注和致谢的地方外，不包含其他人或组织已经发表或公布过的研究成果，也不包含我为获得 及其它教育机构的学位或学历而使用过的材料。对本研究提供过帮助和做出过贡献的个人或集体，均已在文中作了明确的说明并表示了谢意。作 者 签 名： 日 期： 指导教师签名： 日 期： 使用授权说明本人完全了解 大学关于收集、保存、使用毕业设计（论文）的规定，即：按照学校要求提交毕业设计（论文）的印刷
2、本和电子版本；学校有权保存毕业设计（论文）的印刷本和电子版，并提供目录检索与阅览服务；学校可以采用影印、缩印、数字化或其它复制手段保存论文；在不以赢利为目的前提下，学校可以公布论文的部分或全部内容。作者签名： 日 期： 学位论文原创性声明本人郑重声明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。作者签名： 日期： 年 月 日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使
3、用学位论文的规定，同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权 大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。涉密论文按学校规定处理。作者签名： 日期： 年 月 日导师签名： 日期： 年 月 日指导教师评阅书指导教师评价：一、撰写（设计）过程1、学生在论文（设计）过程中的治学态度、工作精神 优 良 中 及格 不及格2、学生掌握专业知识、技能的扎实程度 优 良 中 及格 不及格3、学生综合运用所学知识和专业技能分析和解决问题的能力 优 良 中 及格 不及格4、研究方法的科学性；技术
4、线路的可行性；设计方案的合理性 优 良 中 及格 不及格5、完成毕业论文（设计）期间的出勤情况 优 良 中 及格 不及格二、论文（设计）质量1、论文（设计）的整体结构是否符合撰写规范？ 优 良 中 及格 不及格2、是否完成指定的论文（设计）任务（包括装订及附件）？ 优 良 中 及格 不及格三、论文（设计）水平1、论文（设计）的理论意义或对解决实际问题的指导意义 优 良 中 及格 不及格2、论文的观念是否有新意？设计是否有创意？ 优 良 中 及格 不及格3、论文（设计说明书）所体现的整体水平 优 良 中 及格 不及格建议成绩： 优 良 中 及格 不及格（在所选等级前的内画“”）指导教师： （签名
5、） 单位： （盖章）年 月 日评阅教师评阅书评阅教师评价：一、论文（设计）质量1、论文（设计）的整体结构是否符合撰写规范？ 优 良 中 及格 不及格2、是否完成指定的论文（设计）任务（包括装订及附件）？ 优 良 中 及格 不及格二、论文（设计）水平1、论文（设计）的理论意义或对解决实际问题的指导意义 优 良 中 及格 不及格2、论文的观念是否有新意？设计是否有创意？ 优 良 中 及格 不及格3、论文（设计说明书）所体现的整体水平 优 良 中 及格 不及格建议成绩： 优 良 中 及格 不及格（在所选等级前的内画“”）评阅教师： （签名） 单位： （盖章）年 月 日教研室（或答辩小组）及教学系意见
6、教研室（或答辩小组）评价：一、答辩过程1、毕业论文（设计）的基本要点和见解的叙述情况 优 良 中 及格 不及格2、对答辩问题的反应、理解、表达情况 优 良 中 及格 不及格3、学生答辩过程中的精神状态 优 良 中 及格 不及格二、论文（设计）质量1、论文（设计）的整体结构是否符合撰写规范？ 优 良 中 及格 不及格2、是否完成指定的论文（设计）任务（包括装订及附件）？ 优 良 中 及格 不及格三、论文（设计）水平1、论文（设计）的理论意义或对解决实际问题的指导意义 优 良 中 及格 不及格2、论文的观念是否有新意？设计是否有创意？ 优 良 中 及格 不及格3、论文（设计说明书）所体现的整体水平
7、 优 良 中 及格 不及格评定成绩： 优 良 中 及格 不及格（在所选等级前的内画“”）教研室主任（或答辩小组组长）： （签名）年 月 日教学系意见：系主任： （签名）年 月 日湘 潭 大 学毕业论文（设计）任务书论文(设计 )题目： 集成电路的单粒子多位翻转效应 一、主要内容及基本要求 1、了解论文研究的背景和意义； 2、理解单粒子多位翻转的形成机理和各种影响因素； 3、学会用 Sentaurus TCAD 建立模型，建立单管模型对引起单粒子多位翻转的双极放大效应进行模拟分析和建立双管模型对引起单粒子多位翻转的双极放大效应和扩散效应进行有效机理分析； 4、依据“理论-建模-加固”的原则对集成
8、电路加固电路进行分析和讨论。 基本要求： 1、了解集成电路单粒子多位翻转的机制及各种影响因素； 2、会用一些基本软件例如 Sentaurus TCAD 等来仿真所要研究的问题； 3、建立基本的模型仿真单粒子多位翻转的各种特性； 4、能根据仿真结果，按“机制-建模-加固”的思路，提出有效的加固措施。 二、重点研究的问题1、集成电路单粒子多位翻转的机制及各种影响因素； 2、如何建立单粒子多位翻转的模型； 3、如何用可行的方法来抑制单粒子多位翻转。 三、进度安排序号 各阶段完成的内容 完成时间1 查看文献 1 月 20 日 3 月 5 日2 学习 TCAD 工具仿真 3 月 6 日4 月 5 日3
9、建立模型并仿真 4 月 6 日5 月 6 日4 撰写论文 5 月 7 日5 月 17 日5 修改论文并制作 ppt 5 月 18 日5 月 26 日6 答辩 5 月 26 日四、应收集的资料及主要参考文献1 P. Roche, G. Gasiot, et a1. Comparison of soft error rate for SRAMs in commercial SOI and bulk below the 130 nm technology node J. IEEE Trans. Nucl. Sci, 2003, 50(6): 2046-2454. 2 刘必慰. 集成电路的单粒子效应建
10、模与加固方法研究 D. 博士学位论文. 国防科技大学, 2009. 3 J. A. Zoutendyk, H. R. Schwartz, et al. Lateral charge transport from heavy-ion tracks in integrated circuits J. IEEE Trans. Nucl. Sci, 1988, 35(6): 1644-1647. 4 O. A. Ausan, A. F. Witulski, et a1. Charge collection and charge sharing in a 130nm CMOS technology J
11、IEEE Trans. Nucl. Sci, 2006, 53(6): 3253-3258. 5 贺朝会, 李国政等. CMOS SRAM 单粒子翻转效应的解析分析 J. 半导体学报, 2000, 21(2): 174- 178. 6 刘征. 纳米集成电路单粒子效应电荷收集及若干影响因素的研究 D. 博士学位论文. 国防科技 大学, 2011. 7 M. Zhu, L. Y. Xiao, et al. Reliability of memories protected by multi-bit error correction codes against MBUs J. IEEE Trans.
12、 Nucl. Sci, 2011, 58(1): 289-295. 8 A. D. Tipton, X. W. Zhu, et al. Increased rate of multiple-bit upset from neutrons at large angles of incidence J. IEEE Trans. Nucl. Sci, 2008, 8(3): 565-570. 9 B.W. Liu, S. M. Chen, et al. Temperature dependency of charge sharing and MBU sensitivity in 130 nm CMOS technology J. IEEE Trans. Nucl. Sci, 2009, 56(4): 2473-2479. 10 刘衡竹, 刘凡宇等. 90 纳米 CMOS 双阱工艺下 STI 深度对电荷共享的影响 J. 国防科技大学学 报, 2011, 33(2): 136-139. 11 陈超, 吴龙胜等. 130 nm NMOS 器件的单粒子辐射电荷共享效 J. 半导体技术, 2010, 35(1) :46- 49. 湘 潭 大 学
