1、延迟时间为 4.5ns 轨至轨，高速比较器Microsize 软件包特点 ？高速：延迟时间为 4.5ns ？轨到轨 I / O ？电源电压：+2.7 V 至+5.5 V ？推挽式 CMOS 输出阶段 ？关闭（TLV3501 只） ？微套餐： 采用 SOT23 - 6（单人） SOT23 - 8（双） ？低电源电流：3.2 毫安 应用 ？自动测试设备 ？无线基站 ？阈值检测器 ？过零检测器 ？窗口比较器 TLV350x 相关产品 功能产品 精密超高速，低功耗比较器 TLC3016 差分输出比较 TL712 高速运算放大器，16 位精度， 150MHz 的 OPA300 高速运算放大器，38MHz
2、，轨到轨 OPA350 OPA357 250MHz 的高速运算放大器，带有关断 描述 推挽输出比较 TLV350x 家庭 设有一个快速的延迟时间为 4.5ns 的传播延迟和操作 +2.7 V 至+5.5 V。以后的护栏输入共模 范围使得它为低电压应用的理想选择。 轨到轨输出，直接驱动的 CMOS 或 TTL 逻辑。 Microsize 包提供了用于便携式选项 空间受限的应用。单（TLV3501） 采用 SOT23 - 6 和 SO - 8 封装。双 （TLV3502）采用 SOT23 - 8 和 SO - 8 封装。PAGE2绝对最大额定值（1 ）电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
3、 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +5.5 V，信号输入端子，电压（2 ）。 。 。 。 。 （V） - 0.3V（V +）+ 0.3V信号输入端子，电流（2 ）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 毫安输出短路（3 ）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 74 毫安工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 C 至+125 C
4、存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 C 至+150 C结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +150 C铅温度（焊接，10S）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300 C额定 ESD（人体模型）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3000V带电器件模型（CDM）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
5、 。 。 。 500V（1）强调以上这些收视率可能会造成永久性损坏。长时间暴露在绝对最大条件可能会降低设备的可靠性。这些仅仅是极限参数，并设备的功能操作在这些或任何其他条件超出指定的那些不支持。（2）输入端子二极管钳位的电源轨。输入信号的摆幅可超过 0.3V 超出供应导轨应电流为 10mA 或更小有限。（3）短路到地，其中一个比较每包。该集成电路可被 ESD 损坏。得克萨斯州NI 建议所有集成电路处理适当的预防措施。不遵守妥善处理和安装程序，可以造成损害。ESD 损害的范围可以从细微的性能退化完整的设备故障。精密集成电路可能更容易受到损害，因为非常小的参数变化导致设备不能满足其公布的规格。订货
6、信息（1 ）产品包装引线封装代号封装标识TLV3501 采用 SOT23 - 6 DBV NXATLV3501 的 SO -8 个 D TLV3501ATLV3502 SOT23 - 8 封装的 DCN NXCTLV3502 的 SO -8 个 D TLV3502A1）是由 1 引脚 SOT23- 6 封装标识上图所示方向。（2）NC 表示没有内部连接。PAGE 3电气特性（黑体字限额适用于在指定的温度范围内，TA=0.40C125 C 。在 TA = +25C 和 VS=2.7 V 至+5.5 V，除非另有说明。TLV3501，TLV3502参数条件最小典型最大单位失调电压（1）输入失调电压
7、 VOS VCM =0V，IO=0 毫安【1【6.5 毫伏与温度 dVOS/ DT，TA =0.40C 至+125C【5 V /C与电源 PSRR VS= 2.7V 至 5.5V100 400 V / V，输入迟滞 6 MV输入偏置电流输入偏置电流 IB 的 VCM= VCC/ 2【2【10 PA输入偏置电流（2 ）内部监督办公室的 VCM= VCC/ 2【2【10 帕输入电压范围共模电压范围 VCM（V）。 0.2V（V +）+0.2 V共模抑制共模抑制比（CMRR）的 VCM=.0.2 V 至（V+）+0.257 70 分贝VCM=.0.2 V 至（五）+0.2V55 分贝输入阻抗共模 1
8、013 2 pF 的 4 pF 的差分 1013开关特性传输延迟时间（3 ）T （PD）螖 VIN=100mV 时，高速=20mV 的 4.5 6.4 NS螖 VIN=100mV 时，高速 =20mV 的 7 NS螖 VIN=100mV 时，高速为 5mV7.5=10 ns 的螖 VIN=100mV 时，高速 =5mV 的 12 纳秒传播延迟偏差（4 ）螖 T（歪斜）螖 VIN=100mV 的，高速=20mV 的 0.5 纳秒最大切换频率 fmax 高速=50mV 的，VS= 5V80 兆赫TR1.5 ns 的上升时间（ 5）下降时间（5 ）TF1.5 纳秒输出输出电压从铁路的 VOH，VOL
9、 IOUT=卤 1 毫安 30 50 毫伏关机TOFF 为 30 ns的 tON 为 100 nsVL（比较器使能）（6 ）（ V +）。 1.7V VVH（比较器被禁止）（6）（V +）。 0.9V V关断引脚 2 pA 的电流输入偏置IQSD（关机静态电流）2 渭一个电源供应器指定的电压和 2.7+5.5 V工作电压范围 2.2 至 5.5 V静态电流 IQ VS=5V，VO=高 3.2 5 mA 的温度范围指定范围 0.40125 掳彗星经营范围：0.40125 掳彗星存储范围 0.65150 掳彗星热电阻司法机构政务长采用 SOT23 - 5200 掳 C / W，SOT23- 820
10、0 掳 C / W，SO -8 150（1）被定义为平均的积极和负面的开关阈值的 VOS。（2）之间的差别 IB+和 IB。（3）传播延迟，不能准确地测量与低过载自动测试设备。此参数是保证100mV 的过载特性和测试。（4）持续高传播延迟和传播延迟之间的差异变低。（5）之间测量 VS10和 90的 VS。（6）当关断引脚在最积极的供应 0.9V 是，部分被禁用。当它超过 1.7V 以下的最积极的供应，部分启用PAGE 7应用信息TLV3501 和 TLV3502 都具有高速内部的滞后反应和包括 6MV改善与输入共模噪声抑制能力范围可超出电源轨 0.2V。关机一个停机引脚允许器件进入空闲时，在不
11、使用。当关断引脚高电平时，器件约 2A 绘制和输出变为高阻抗。当关断引脚低，TLV3501 是可用的。TLV3501 关机功能不使用时，只需最负电源关断引脚连接，作为如图 1 所示。走出来的，大约需要 100ns 的关断模式。 TLV3502 没有关机功能。VINVREFVOUTVS0.1F2.2FTLV3501图 1。 TLV3501 的基本连接工作电压TLV3501 比较器都被指定为一个单一的使用电源+2.7 V 至+5.5 V（或从 1.35V 双电源供电 2.75V）在一个温度范围为-40 C 至+125 C。器件将继续低于此范围的功能，但未指定性能。增加外部滞回TLV350x 有一个
12、强大的性能与使用时良好的布局。然而，比较器的输入噪音小指定的偏移电压范围内的免疫力（ 5mV 的）。对于滞销或嘈杂的输入信号，输入比较器的输出可能会显示多个开关信号通过开关阈值移动。在这种应用程序，内部滞回的 TLV350x 6MV可能没有足够。情况下，较大的噪声免疫力需要，可能会增加外部滞回连接少量的积极反馈输入。图 2 显示了一个典型的拓扑结构，用于引入25mV 的额外的滞后，为总 31mV从单一 5V 电源操作时的滞后。共有滞后是近似公式 1：VHYST？（五）R1R1 的？R2？6MVVHYST 需要设置过渡电压值通过扩大阈值开关比较器输出区域，从而减少对噪声的敏感性。图 2。添加滞后
13、的 TLV350x输入过电压保护设备投入将 ESD 二极管保护进行，如果输入电压超过电源超过约 300mV 的。瞬间电压电源可大于 300mV 的更大的超越输入电流 10mA 的电流是有限的，如果容忍。这限制很容易实现与串联一个小的输入电阻比较，如图 3 所示。图 3。输入电流电压保护超过电源电压PAGE 8张弛振荡器TLV350x 可以作为一个简单而方便地进行配置廉价的张弛振荡器。在图 4 中的 R2网络设置跳闸阈值在 1 / 3 和 2 /3 的供应。由于这是一个高速电路，电阻值相当低，以减少寄生效应电容。积极输入候补之间的 1 / 3V +和 V +取决于是否产量低 2 /3或高。充电时
14、间一定要（或放电）0.69R1C。因此，这一时期是 1.38R1C。对于 62pF 和 1k 作为如图 4 所示，输出计算为 10.9MHz。在 9.6MHz 振荡的这条赛道的实施。寄生电容和元件公差解释理论和实际表现之间的差异。图 4。张弛振荡器高速窗口比较器一个窗口比较器电路是用来确定何时两个电压信号。 TLV3502 可以很容易地用于创建一个高速窗口比较器。 VHI是高电压阈值，和 VLO 的是低电压阈值。当 VIN 这两个阈值之间，在图 5 中的输出是很高的。图 6 显示了一个简单的方法取得了积极的低输出。请注意，参考图 5 和之间的连接不同水平图 6。任何一个电路的工作电压范围2.7
15、V 至 5.5V。图 5。窗口比较高电平图 6。窗口比较低有效PAGE 9PCB 布局对于任何高速比较器或放大器，适当的设计印刷电路板（PCB ）布局是必要的最佳的性能。过量的杂散电容。积极投入，或不正确的接地，可以限制最大高速电路的性能。最大限度地减少阻力，从信号源比较器的输入是必要的，为了尽量减少整个电路的传播延迟。源沿输入和杂散电容与电阻的创建一个 RC 滤波器，延迟的输入电压转换 ，并减少高频信号的振幅。 “输入电容的 TLV350x 流浪结果在几个地面电容从输入引脚皮法的电容。用于电源的位置和类型的电容绕过是高速比较器的关键。 “建议 2.2F 钽电容不需要被视为靠近器件为 0.1F
16、 的电容，并可能与其他设备共享。 2.2F 电容缓冲电源线对石激起千层浪，和 0.1F 的电容在高频提供了一个比较负责切换。在高速电路，快速上升和下降开关瞬变创建线之间的电压差将在相同的电位直流。为了减少这种影响，地平面是经常被用来降低电压差电路板内的潜力。地平面有的优势，最大限度地减少了杂散电容的影响电路板提供一个更理想的路径电流流过。比地平面的信号跟踪，在高频率的返回电流（地平面）往往流权下的信号跟踪。断裂处地平面（如导致通孔和通孔的简单）增加飞机的电感，从而降低在更高的频率生效。休息中的地平面必要的孔应随机间隔。图 7 显示了一个为 TLV3501 的 SO - 8 的评价布局包图 8
17、是为 SOT23 - 5 封装。他们是显示将信号上的 SMA 连接器和关闭董事会。 RT1 和 RT2 为+ VIN 端接电阻和 VIN 的分别。 C1 和 C2 是电源旁路电容。将最接近的 0.1F 电容比较。地平面不显示，但电阻器和电容器的连接垫，是所示。图 9 显示了该电路的原理图。图 7。TLV3501D（SO- 8）样板图 8。TLV3501DBV （SOT23）样板图 9。图 7 和图 8 示意图PAGE 10封装信息订购的设备状态（1 ）包装类型包绘图引脚封装数量环保计划（2 ）铅/焊球涂层 MSL 峰值温度（3）TLV3501AID 主动 SOIC D 875 绿色环保（RoH
18、S无 Sb / Br）铜镍钯金级-2- 260C- 1 年TLV3501AIDBVR 主动的 SOT-23 DBV63000 绿色环保（ RoHS无 Sb / Br）铜镍钯金级-2- 260C- 1 年TLV3501AIDBVT 主动 SOT-23 DBV6 250 绿色环保（RoHS无 Sb / Br）铜镍钯金级-2- 260C- 1 年TLV3501AIDG4 主动 SOIC D 875 绿色环保（RoHS无 Sb / Br）铜镍钯金级-2- 260C- 1 年TLV3501AIDR 主动 SOIC D 82500 绿色环保（RoHS无 Sb / Br）铜镍钯金级-2- 260C- 1 年
19、TLV3501AIDRG4 主动 SOIC82500 绿色环保（RoHS无 Sb / Br）铜镍钯金级-2- 260C- 1 年TLV3502AID 主动 SOIC D 875 绿色环保（RoHS无 Sb / Br）铜镍钯金级别 3- 260C-168 小时TLV3502AIDCNR 主动 SOT23 DCN83000 绿色环保（RoHS无 Sb / Br）铜镍钯金级-2- 260C- 1 年TLV3502AIDCNT 主动 SOT23 DCN8250 绿色环保（RoHS无 Sb / Br）铜镍钯金级-2- 260C- 1 年TLV3502AIDR 主动 SOIC D 82500 绿色环保（R
20、oHS无 Sb / Br）铜镍钯金级别 3- 260C-168 小时1）营销状态值定义如下：ACTIVE：产品设备推荐用于新设计。LIFEBUY：TI 日前宣布，将停止该设备，并买了一辈子期间生效。NRND：不建议用于新设计。设备在生产中，以支持现有客户，但 TI 不推荐使用这部分一个新的设计。PREVIEW：设备已经公布，但不生产。样品可能会或可能无法使用。废弃：TI 已经停产的生产设备。（2）环保计划 - 计划的环保分级：无铅（符合 RoHS）或绿色环保（RoHS和无 Sb / Br） - 请检查http:/ 为获得最新供货信息和附加产品目录明细。待定：Pb-Free/Green 转换计划
21、尚未确定。无铅（RoHS ）指令：TI 的条款“无铅免费”或“无铅”的半导体产品兼容目前的 RoHS 要求所有 6 种物质，其中包括导致均质材料中按重量不超过 0.1的要求。凡设计焊接在高温下，TI 无铅产品适用于在指定的无铅工艺使用。绿色（RoHS 和无 Sb / Br）：TI 定义的“绿色”的意思无铅（符合 RoHS），溴（Br）和锑（Sb）基于火焰阻燃剂（溴或锑不超过均质材料重量的 0.1）（3）MSL，山顶温度。- 潮湿敏感度等级评级根据 JEDEC 工业标准分类和峰值焊接温度。重要信息和免责声明：此页上提供的信息代表的日期，这是 TI 的知识和信仰提供。 TI 由第三方提供的信息为基
22、础的知识和信念，不作任何陈述或保证的这些信息的准确性。正在努力，以更好地整合来自第三方的信息。 TI 已采取并继续采取合理步骤，以提供有代表性的和准确的信息，但可能没有进行破坏性测试或化学分析来料和化学品。 TI 和 TI 供应商认为某些信息是专有的，从而 CAS 号码和其他有限信息可能无法发布。TI 的责任在任何情况下所产生的这些信息，在问题超过出售本文件由 TI TI 器件的总购买价（S）在年度基础上的客户。封装选项增编 7 月 26 日 2005 年附录LAST PAGE重要通知德州仪器公司及其附属公司（TI）的储备有权作出更正，修改，增强，改进和其他改变其产品和服务在任何时间和停止任何
23、产品或服务，恕不另行通知。客户之前获取最新的相关信息订单，并应验证这些信息是否完整且是最新的。所有产品的销售受到 TI 的条款在订单确认时提供的销售条件。TI 的权证其硬件产品的性能，适用于在销售时的规范按照 TI 的标准保修。测试和其它质量控制技术被用来在多大程度上钛认为有必要支持这项保修。除授权政府要求，所有测试每个产品的参数不一定执行。TI 应用帮助或客户产品设计不承担任何责任。客户负责他们使用 TI 组件的产品和应用。为了尽量减小与客户产品相关的风险和应用，客户应提供充分的设计与操作安全措施。TI 不保证或代表任何许可证，明示或暗示的，是在任何 TI 专利权授予，版权，口罩工作的权利，
24、或其他 TI 知识产权权利有关的任何组合，机器或过程在 TI 产品或服务的使用。由 TI 所发布的信息，关于第三方产品或服务不构成从 TI 许可使用这些产品或服务，或保修或认可。使用此类信息可能需要从第三方的许可下，专利或其他知识产权的第三方，或从 TI TI 的专利或其他知识产权的许可下。TI 的数据手册或数据表中的信息复制是允许的，只有在繁殖是没有是伴随着改建和所有相关的担保，条件，限制和通告。复制此信息的篡改是一个不公平和欺诈性商业行为。 TI 不负责或承担责任forAddendum这种改变的文件。转售 TI 产品或服务与陈述或超出了由 TI 表示为参数不同，所有的快递和相关的 TI 产品或服务的任何隐含保证产品或服务的空隙是一个不公平和欺诈性商业行为。 TI 不负责或承担任何此类陈述。以下是在那里你可以获取其它 TI 产品和应用信息的网址解决方案：产品应用放大器 汽车 宽带 数字控制 digitalcontrol逻辑 军事 光网络 opticalnetwork微控制器 安全 655303 达拉斯，德克萨斯州 75265版权所有 2005 年，德州仪器
