1、LAYOUT 绘制,0.13um工艺版图小结,结构,一.画版图前基本要求 二.版图的绘制 三.简单技巧和注意事项 四.小结,前期要求,对系统和软件的熟悉在Terminal输入命令进入自己的目录，键入icfb&打开软件。选择FileNew Cellview，Library Name项选择库名，Tool项选择Virtuoso，View Name自动变成layout，Cell Name输入所画版图名，点击OK就建立了新的版图单元。对编辑工具及快捷键要熟练灵活运用，ruler使用要细心。layout完成后还必须进行DRC和LVS验证。,前期要求,熟悉LAYER和RULE画layout前必须熟悉版图用到
2、了哪些图层和这些layer的Rule，layout必须遵循这些rule并通过了DRC和LVS才能供他人使用。在满足工艺规则的条件下，追求layout最小面积。,Layout绘制,布局布线layout第一步是分析电路结构，各晶体管端口的互联方式。可以在纸上画出草图，脑中对所需要的layout要有一个宏观布局。布局布线是layout的第一步也是最重要的一步，它在很大程度上决定了版图能否绘制成功和所能达到的最小面积。这方面经验占很大比重，初学者在思考时应多考虑几种方案，多尝试对比。,Layout绘制,Boundary以坐标轴原点为起点，向X，Y的正方向延伸画出prBoundary，TB，SP，SN及
3、上下靠近边界的TO和A1层的大致框架。prboundary的高度是确定的，在横向方向上可以向X正轴拉伸，其沿X轴长度为pitch长度的整数倍。细节上可以参照RULE再作修改。boundary的临近layer都必须满足RULE的1/2。以0.13um工艺为例，TB，SN，SP有统一的高度（在边界上，以便和其他cell相拼），并对PRboundary有统一的extension，如图下所示：,Layout绘制,其中，紫色为PRboundary， 黄色为TB，红色为SP，黑色 为SN。Extension的具体数值 为： a=0.03m b=0.31m c=0.11m d=0.11m e=0.03m f
4、=0.31m h=1.91m i=2.38mj=1.47m k=0.31m,Layout绘制,内部结构1.先画TO，GT，A1层，在需要画W1的地方预留1个孔的空间。2.对pmos，nmos源和漏能等效的尽量通过调整位置和形状等效到一起。3. GT和A1连线及TO形状在规则条件下要灵活改变，上下空间要最大化利用。（后面2条很难做到完美）,PIN放置1.pin的放置点需预留较大空间，但其所在金属层尽量不要影响横向尺寸，可通过A1引出到空间富裕处。2.相距较近的pin的“+”符号尽量上下错开。3.pin”+”符号所在位置应在横向和纵向距坐标轴都为N/2个pitch长度（N为奇数）。可用改变步长等方法寻找定位。,Layout绘制,细节和简单技巧,可建立一个名为boundary的框架Cell，每次只需调取即可。 及时保存，对于不确定要敢于尝试，layout绘制过程中可多次做DRC。 W1层最后完成，可细微调整，多打孔。 经常对前一段时间画的版图做一些对比总结，会带来很多经验启发。,小结,学习绘制版图主要是多尝试，多练习，多对比总结。这份PPT是基于前段时间学习0.13um 基本cell版图绘制所做，希望对大家有所帮助。不足之处请大家多指教，多相互交流。,
