1、第七节内容期末测试题一、名词解释1.半导体材料只有通过一定方式进行掺杂形成 PN 结：常用的掺杂方式有哪两种？答：扩散和离子注入2.解释“主动的扩散”答：是指人为的在一个特定区域内，通过杂质扩散的方式实现某种杂志分布，杂质源可以来自外界，或者是内部已存在的杂质梯度分布 。3.解释“被动的扩散”答：是指由于工艺过程中的热开销造成的杂质再分布4.解释“代位型杂质”答：元素周期表中的位置与硅邻近的如：硼、铝、镓、铟等，它们在硅中有较高的溶解度，在硅晶格格点得位置。5.解释“间歇性扩散”答：是指杂质在硅晶体的间隙中移动6.解释“代位式扩散”答：是指杂质通过和硅或空位交换位置，来实现杂质扩散7.解释“间
2、隙杂质”答：代位型杂质被处于间隙的硅原子所取代8.解释“Fick 扩散方程 ”答：用来定量描述杂质在硅中的扩散行为9.解释“恒定表面浓度扩散”答：杂质原子由气态源提供并维持恒定的表面浓度10.解释“恒定杂质总量扩散”杂答：质通过某种形式预淀积在硅片表面，在扩散过程中杂质总量恒定不变二、简答题1、问：简述温度与扩散系数的关系答：温度是影响扩散系数的最主要因素，D(扩散系数)与 T 成指数关系，随着温度的升高，扩散系数急剧增大，扩散加剧。温度增高，原子振动能增加，借助于能量起伏而越过势垒进行迁移的原子几率越大；温度增高，金属内部的空位浓度提高，有利于扩散。2、问:简述杂质在硅晶体中的两种扩散机制。
3、答：（1）间隙式扩散指间隙式杂质从一个间隙位置运动到相邻的间隙位置。间隙杂质在间隙位置上的势能相对极小，它要运动到相邻的间隙位置上，必须越过高度为 Wi0.61.2eV 的势垒，这个能量可依靠热涨落获得。（2）替位式扩散是指替位杂质从一个晶格位置运动到另一个晶格位置上。首先，替位杂质的近邻要有空位，形成一个空位所需能量为Wv ；其次，替位杂质在晶格位置上相对势能最低，而间隙位置处的势能最高，它要运动到近邻晶格上，必须越过高度为 Ws 的势垒。所以，替位杂质要依靠热涨落获得大于 Wv+Ws 的能量才能进行扩散。3、问：写出菲克第一定律和菲克第二定律的表达式。答：菲克第一定律的表达式它揭示的含义为
4、：杂质的扩散流密度 J 正比于杂质浓度梯度C/x，正比于杂质在基体中的扩散系数 D(体现了温度 T 与扩散流密度 J 的关系 )。菲克第二定律也即扩散方程，其表达式为针对不同边界条件求出该方程的解，可得出杂质浓度 C 的分布，即 C 与 x 、 t 的关系。4、问：杂质的扩散需具备那些条件?答：杂质的扩散在集成电路工艺中是一个很普通的现象，其发生的必要条件是杂质分布存在着浓度梯度。除此之外，杂质原子必须吸收一定的能量，推动其离开原来的平衡位置，朝浓度梯度减小的方向运动。5、问：杂质扩散分为主动和被动两种情况，请分别阐述着两种情况。答：杂质扩散分为主动和被动两种情况，主动的杂质扩散是指人为地在一个特定区域内，通过杂质扩散的方式实现某种杂质分布，杂dxtCDtxJ),(),(2),(,(xtCDtxC质源可以来自外界，或者是内部已存在的杂质梯度分布；被动的杂质扩散是指由于工艺过程中的热开销造成的杂质再分布。三、论述题Ic fabrication 产业发展至今已有 50 多年的历史，其发展史就是一个不断创新的过程，这种创新不光光是原始的创新，更是技术创新和应用创新等等，晶体管的发明并不是一个孤立的精心设计的实验，而是一系列固体物理、半导体物理、材料科学等取得重大突破后的必然结果，请以你所学的知识说一说 ic fabrication 中包含有哪些知识和技术的应用？
