1、FE1.1 USB UHB之介紹1. FE1.1之特性介紹2. 競爭對手的比較3. MTT與 STT的差異4. FE1.1方塊圖5. 應用市場6. FE1.1設計建議7. Q&AFE1.1 USB UHB 的特性 FE1.1 是高性能，低功耗和高性價比等特點的 USB2.0 4 port HUB chip FE1.1 通過 USB-IF 協會最新版的認証 ( 認證編號 TID:30000018 ) 完全符合USB 2.0 規範及應用 Upstream port 支援高速(480MHz)與全速(12MHz) 4 downstream ports 支援高速(480MHz)與完全支援全速(12MHz
2、)及低速(1.5MHz) 內建5V轉3.3V跟3.3V轉1.8V的 LDO Regulator MTT架構四個USB Port均是12MHZ頻寬 (註一) 支援熱插拔功能 具備 POR 功能 (Power-On-Reset) 低功耗 120mA - 在 4 downstream ports 高速下靜止狀態過程中 4 Port 全速運作, IC溫度與競爭對手有明顯的落差 (較低) USB 信號驅動強度可達10 米 具監控 Self-Power mode電源功能 防止過電流保護 支援HUB活動中的燈號指示(LED) 48-pin LQFP (Body Size: 7x7 mm)目前競爭對手的比較1
3、.5米 - 正常工作5米 - 正常工作7米 - 正常工作12米 - 無法辨識1.5米 - 正常工作5米 - 無法辨識7米 - 無法辨識12米 - 無法辨識1.5米 - 正常工作5米 - 無法辨識7米 - 無法辨識12米 - 無法辨識1.5米 - 正常工作5米 - 正常工作7米 - 正常工作12米 - 無法辨識1.5米 - 正常工作5米 - 正常工作7米 - 正常工作12米 - 正常工作延長線(米)差PHY外購普通PHY自建GOODPHY自建GOODPHY自建ExcellentPHY自建相容性N/AN/AUSB250780 PIN單價更高PD72011380 PIN單價高1 to 7 Port2
4、008/Q2產品延伸性內建 (3.3-1.8V)Embedded 溫度高GL850A 外掛GL850G 內建Embedded 溫度相當高需外掛 (5-3.3V)內建 (3.3-1.8V)需外掛內建 (5-3.3V)內建 (3.3-1.8V)Embedded 溫度很低LDOAU6254 (STT)48 PINGL850A (STT)64 PINGL850G (STT)48 PINUSB2514 (MTT)48 PIN PD720114 (STT)48 PIN FE1.1 (MTT) 48 PINMTT & STTAlcorGenesysSMSCNECTerminusMTT&STT之差異 ( 註一
5、 ) TT (Transaction Translator) 高速(Hi gh speed) 轉換 全速(Full Speed 12Mb ps)及轉換 低速(Low Speed 1Mbps) 的資料速度轉換器 MTT (Multiple Transaction Translator)這個架構為每個下行端的全速裝置配置一個專屬的管線或交易轉譯器(Transaction Translator ，TT)，讓最終使用者享受比其他採用共用式 TT系統的集線器控制器提高100% 的全速資料傳輸流量MTT (Multiple Transaction Translator) mode: 每一個下傳(下行) U
6、SB port 當它接上Full/Low speed 裝置時，每一個port 都具有一個TT，12Mbps 的傳輸能力，所以四個USB port傳Full/Low speed時頻寬為 MTT: PORT 1=2=3=4= 12MbpsSTT (Single Transaction Translator) mode: 每一個下傳(下行) USB port當它接上Full/Low speed裝置時，因為四個port共用一個TT，所以四個USB port傳Full/Low speed時頻寬為STT: PORT 1+2+3+4 = 12Mbps USB 1.1 Full speed performan
7、ce: MTT STTMTT(Multiple Transaction Translator) mode: STT (Single Transaction Translator) mode:FE1.1 USB UHB方塊圖USBUSBPCFE1.1 USB HUB外接盒滑鼠Skype PhoneUSB FDD印表機應用市場 Notebook Docking LCD 監視器/電視 主機板 數位像框 遊戲控制台 多功能印表機 線纜/DSL 數據機 機頂盒 DVD/CD-ROM/DVR HDD 外殼 鍵盤 KVM 開關 伺服器前面板 銷售點 (POS) 系統 IP 電話 汽車/家庭音響系統 精簡客戶
8、端終端機 USB複合式架構FE1.1 USB 2.0 Hub Layout 設計建議 電路之電源耦合電容(By pass cap)儘可能靠近IC本體 對於USB(DP,DM)來說，它的訊號需要等長訊號阻抗要在90 VD5_IN (pin 38) to VD33_OUT(pin 39) max current 500mA 振盪器在LAYOUT時希望能靠近IC 在設計時要注意電源層&接地層的走 線粗細會對安規有很大的影響 每一個Port 的VBUS 均輸出500mA OSC Clock 週遭淨空, 遠離 DP, DM訊號線可用GND隔開 DP, DM 與其它導線間距需 40 mil, 底層為完整G
9、ND, 避免 GND 被切割 REXT (pin 28) 所連電阻要靠近 IC 本體 REXT(pin 28), VD3_IN(pin 27), VREG18(pin 26), 外掛元件的 GND 與 VS_A (p in 25) 先連接後再接地 VD_PLL(pin 9)之耦合電容的 GND 先 與 VS_PLL(pin 10) 連接後再接地 電源線若經 VIA 跳層, 至少使用兩個以上 VIA以減少阻抗 為達到散熱效果更佳, 注意 IC接地 pin 腳及V IA 點經IC2底部直接連結至底層大片鋪地, 且增加 VIA 點數可加強散熱( 4 port 全速 運行有機會低於 42度, 如果 Layout 加強 ).Q&A
