收藏 分享(赏)

固态硬盘介绍.pptx

上传人:weiwoduzun 文档编号:5642448 上传时间:2019-03-10 格式:PPTX 页数:11 大小:959.82KB
下载 相关 举报
固态硬盘介绍.pptx_第1页
第1页 / 共11页
固态硬盘介绍.pptx_第2页
第2页 / 共11页
固态硬盘介绍.pptx_第3页
第3页 / 共11页
固态硬盘介绍.pptx_第4页
第4页 / 共11页
固态硬盘介绍.pptx_第5页
第5页 / 共11页
点击查看更多>>
资源描述

1、Introduction to SSD,1、SSD是什么,2、SSD vs HDD优缺点,3、SSD制造过程和nand flash供应商,4、SSD存储工作原理,5、SSD产品推荐,1、SSD是什么,固态硬盘(Solid State Drive),简称SSD,是用固态存储芯片实现数据存储的硬盘,由控制芯片、Nand flash存储芯片、DRAM缓存组成。,2、SSD vs HDD优缺点,3、SSD制造过程,SSD: The next generation storage solution for PCs and servers,Marketing share and vendors,4、SSD

2、存储原理nand flash,Nand flash的基本结构是MOSFET管,写入数据时通过Word line在control gate上施加电压,电子通过隧道效应穿越氧化物gate层,存储在floating gate上;存储电荷的多少可反映到电势高低,通过该电势来判断0/1,从而实现数据存储.,SLC、MLC、TLC工作原理,SLC、MLC、TLC指nand flash的工作模式,现有技术使同一颗nand flash(2 Gen 32 layer 3D V-nand)既可以工作在MLC模式(三星850PRO)、又可以工作在TLC模式(三星850EVO),由于TLC floating gate

3、上的电压状态被细分为8个,因此其数据写入、读取时间均较SLC和MLC更长。且随着线宽CD的不断减小,cell间信号干扰和数据存储过程中floating gate的漏电几率逐渐增大、P/E次数也逐渐降低。需要主控芯片提供更强的ECC纠错机制,这也解释了为何同是TLC颗粒,三星SSD性能更强。,Development and comparasion of SLC、MLC、TLC、3D-structure,Latest technology and products,使用3D结构的存储芯片,单位面积存储密度达到了竞争对手的1.5倍,Advantage of 3D-structure,墨绿色:control gate 枣红色:高K介质绝缘层 砖红色:trap SiN,charge trap flash结构,代替原有floating gate. 浅砖红:tunnel oxide 绿色:多晶硅圆柱channel连接P-si衬底,SSD产品推荐,

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 企业管理 > 管理学资料

本站链接:文库   一言   我酷   合作


客服QQ:2549714901微博号:道客多多官方知乎号:道客多多

经营许可证编号: 粤ICP备2021046453号世界地图

道客多多©版权所有2020-2025营业执照举报