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SP_2溅射台操作说明.doc

上传人:wspkg9802 文档编号:5280282 上传时间:2019-02-18 格式:DOC 页数:9 大小:372.50KB
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资源描述

1、SP-2型 磁控溅射台说 明 书中国科学院微电子研究所SP-2型溅射台系统控制示意图图1总阀 高阀预抽阀溅射室分子泵机械泵前级阀充气阀上盖MFC1 MFC2SP-2型磁控溅射台操作说明1.接通电源:.接通溅射台总电源(配置415V32A三相四线制);.开电源机柜面板上的“总电源”开关。.打开冷却水(压力.打开“放气阀”,使腔体充气约5分钟,指示灯灭。注意:一定要使腔体充至大气压强,在腔体尚存压差之前绝对不允许按“升盖”!.“放气阀”按钮灯灭后,按住“升盖”按钮,使腔体盖升到合适位置;.进行装片,调整溅射靶挡板,清洗或换观察窗内的玻璃片;.按 “降盖”按钮,使上盖与腔体对齐盖好;3.抽真空:.按

2、“机器泵开”开关,按下 “预抽阀开”开关,预抽低真空;.开真空计电源,选择低真空测量档;.当真空度至45Pa,按下 “预抽阀关”开关,“预抽阀关”灯亮后,按下 “前级阀开”开关,打开前级阀,右旋 “高阀”旋钮至“ON”位置,指示灯亮,打开高阀。当真空度至5Pa时,开分子泵电源,按下分子泵电源面板上的“启动”按钮。.打开冷却水总开关。.抽工作室至高真空,准备溅射。4.加热烘烤:设定烘烤温度值,右旋“烘烤”旋钮至“ON”的位置上。此步骤也可省略,待工艺要求而定。5.选择溅射方式:射频溅射、直流溅射需要选择靶位,选择开关如图2所示。选择使用几号靶。溅射靶位置图见图3所示。图2图36.通气:加热烘灯前

3、 面1号靶2号靶 3号靶4号靶1005050100直流方式射频方式DC RF.待真空达到所需真空度后,打开气路“总阀”,气路图如“图1”。.选择需用气体,流量显示仪开关置于“阀控”,打开要使用气体的气路阀门;.调节流量至设定值;7.定时:.确定采用“定时“或“不定时“。.若采用定时,设定时间显示器(自左至右各位分别为10分、1分、10秒、1秒)。8.启辉工作一.直流工作条件:.将挡板挡至预溅靶上方;.首先将直流功率调至最低,然后开直流电源开关;再逐渐加大直流电源功率,直至所需功率。注:选择“不定时”,开直流电源开关即启辉。若选择“定时”,开直流电源开关后还需按一下定时器“复零”钮,即可启辉工作

4、,溅射结束后自动关闭直流电源。预溅射后,打开“旋转”开关,同时打开挡板,开始溅射;二.射频工作条件:.打开射频电源“灯丝”开关加热5分钟;.首先将输出功率调至最低,再开射频“板压”开关;注:选择“不定时”,开射频电源“板压”开关即启辉。若选择“定时”,开射频电源“板压”开关后还需按一下定时器“复零”钮,即可启辉工作,溅射结束后自动关闭射频电源。.启辉后调节匹配器的“C1调节”和“C2调节”, 使反射功率指示最小。如果气流,电压等条件不变,匹配只需开始调节一次,但如条件变化,则重新调节匹配;.调好匹配后,增加功率至设定值(此间还需调节匹配);注:1.启辉时,如反射功率很大,应先降低功率,待调好匹

5、配(反射功率最小)后,再提高功率。这对保护电源使之不受损坏是很重要的。2.溅射时,一定要通冷却水,否则能严重损坏溅射靶。9.取样品步骤.溅射结束后先关射频或直流电源。.关闭连接气体的阀门“阀1”或“阀2”,将流量显示仪阀控开关拨至“关闭”档,关闭总阀。.左旋“高阀”旋钮至“OFF”的位置,高阀旋钮灯灭,关闭“高阀”。.按下 “放气阀”按钮,打开放气阀,使腔体充气。.“放气阀”按钮灯灭后,按下“开盖”按钮,使腔体盖升到合适位置。.取样品。.按下“关盖”按钮,使上盖与腔体对齐盖好。.按下“前级阀关”开关,“前级阀关”灯亮后,按下“预抽阀开”开关,预抽真空室。当真空度至5Pa,按下“预抽阀关”开关,

6、“预抽阀关”灯亮后,按下“前级阀开”开关,右旋 “高阀”旋钮至“ON”位置,打开高阀。10.关机步骤:.溅射结束后先关射频或直流电源; .将所有气路阀门及总阀关闭,将流量显示仪拨至“关闭”档;.按分子泵“停止”按钮,稍后关分子泵电源;关闭“高阀”。.分子泵停止10分钟后,按下“前级阀关”开关。.关水,按下“机械泵关”开关。.检查所有旋钮及开关都应为“关”的位置上,关总电源。注:1)溅射台在不工作时,所有的气路阀门(包括流量计)应处于“关闭”状态。2)溅射完毕后,若不继续溅射,可开机械泵抽真空约5分钟后关机,使腔体内保持在真空状态。10.注意事项:不要随意打开四周侧盖和触动机械或电路部分。万一发生故障请来电话联系咨询后再动手修理。或由我们去人修理。

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