1、哈尔滨工业大学半导体物理考研大纲半导体物理考试大纲考试科目名称：半导体物理考试科目代码：8 2 9 一、考试要求：要求考生系统地掌握半导体物理的基本概念和基本原理，并能利用基本原理分析半导体的物理性能。要求考生对半导体的晶体结构和能带论、载流子统计分布、载流子输运过程、p-n结理论、金属-半导体接触理论、半导体光电效应等基本原理有很好的掌握，并能熟练运用分析半导体的光电特性。二、考试内容：1）半导体晶体结构和能带论a:半导体晶格结构及电子状态和能带b:半导体中电子的运动c:本征半导体的导电机构d:硅和锗及常用化合物半导体的能带结构2 )杂质半导体理论a:硅和锗晶体中的杂质能级b:常用化合物半导
2、体中的杂质能级c:缺陷、位错能级3 )载流子的统计分布a:状态密度与载流子的统计分布b:本征与杂质半导体的载流子浓度c:一般情况下载流子统计分布d:简并半导体4 )半导体的导电性a:载流子的漂移运动与散射机构b:迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系c:多能谷散射、耿氏效应5 )非平衡载流子a:非平衡载流子的注入、复合与寿命b:准费米能级c:复合理论、陷阱效应d:载流子的扩散、电流密度方程e:连续性方程6 )p-n结理论a:p-n结及其能带图b:p-n结电流电压特性c:p-n结电容、p-n结隧道效应7 )金属-半导体接触理论a:金-半接触、能带及整流理论b:欧姆接触8 )半导体光电效应a:半导体
3、的光学性质（光吸收和光发射）b:半导体的光电导效应c:半导体的光生伏特效应d:半导体发光二极管、光电二极管三、试卷结构：a)考试时间：1 8 0分钟，满分：1 5 0分b)题型结构a:概念及简答题（6 0分）b:论述题（9 0分）c）内容结构a:半导体晶体结构和能带论及杂质半导体理论（3 0分）b:载流子的统计分布（2 0分）c:半导体的导电性（2 0分）d:非平衡载流子（2 0分）e:p-n结理论和金属-半导体接触理论(3 0分)f:半导体光电效应(3 0分)四、参考书目1 .刘恩科，朱秉升，罗晋升编著.半导体物理学.电子工业出版社,2 0 1 1 .0 3 .2 .美施敏（S.M.Sze），半导体器件物理，电子工业出版社，1 9 8 7 .1 2 .文章来源：文彦考研
