1、1IGBT 饱和压降 Vsat 实测值和官方参数对比在国内电子市场上，鱼目混珠的产品太多，特别是大功率的 IGBT，全新的和翻新的很难分辨出真假，标称的饱和压降参数和实际的参数相差较大。工程师容易测试 IGBT 是否顺坏，但是难测试大电流情况下 IGBT 的表现情况。如果采用多个 IGBT 并联工作，即使是同一批次的产品，由于个体差异，大电流情况下的 Vce 压降千差万别，无法很好实现均流。如果能够真实测量大电流情况下，IGBT 的实际压降，使用 IGBT 到实际产品时，能够大大的提高产品的可靠性。当然，本产品可以再采购时使用，准确分辨 IGBT 真伪，防止买到次品。厂家给定的参数为 400A
2、 时，对应输出电压为 2.5V Vgs=15.0V，对应的管子热量损耗为 1000W。如果工程师安装这个特性曲线进行散热设计，选择多大的散热片，选择多大的风速都是可以计算出来的。这些当然是理想的情况了，实际上，厂家给出的管子特性曲线都是真实的 IGBT 的实际测试曲线，但是那些IGBT 是经过挑选的，一批里面最好的管子，这样在销售的时候才有竞争力，你会去买一个同样电流，压降更大的管子吗？当然不会，选择性能好的才是最佳选择呀！本人也是工程师，在此深受其害。记的在做一个 30V1200A 的 36kW 恒流恒压电源的时候，本人采用了移向全桥结构，如下图。图 1 移向全桥结构使用 uc3875 作为
3、主控芯片，当满功率测试时，器件都工作在了软开关阶段了，扇热片发热厉害，分析一下，这个时候只有剩下导通损耗了呀。多次怀2疑自己的开通时序问题，但是都没有发现问题，经过长时间的折腾，测试 IGBT的特性，发现问题是 IGBT 的管压降比官方参数高，官方 2.0V，实测 2.8V,时间高 0.8V，多么可怕。这里使用艾克思科技的 IGBT-1200A 型测试仪来测试，CM400HA-24HA 型 IGBT 来说明问题，器件参数如下图所示。图 2 IGBT 外形图和参数图测试器件为 CM400HA-24HVgs=15.0V，得到的曲线如下图：下表将测试数据和官方数据进行比较， 电流(A) 电压(V)
4、官方数据(V)30 0.032 0162.8 2.264 1.9319.5 2.774 2.4482.4 3.208 2.6639.1 3.598 2.85802 4.004 3.21001 4.526 无1097.4 4.8 无1200 5.116 无通过比较发现：官方数据仅供参考，数据优化后非常美，实际上达不到标定参数，如果按照官方给定的参数设计散热量的话，你就相差 50%，后果严重，模电工程师不但需要具备看英文参数手册的能力，还需要具有准确的判断手头上的 IGBT 真实参数的能力，哈哈哈模电工程师就是一个需要资历、经验的岗位。回想我的一个朋友曾经使用 IGBT 做并联，获得更大的电流容量，在实际的操作中，损失伤亡较大。后来我去帮忙解决问题，发现主要问题是 IGBT 的Vsat 问题，当使用仪器测试好器件的 Vsat 后，然后使用相同批次，相同 Vsat的 IGBT 并联后，一切都工作正常了。结论是：同一批产品，igbt 不像 mos 管的参数那么标准，差别较大，并联更需谨慎。
