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西工大材料科学基础考研试题.doc

上传人:gnk289057 文档编号:4802433 上传时间:2019-01-13 格式:DOC 页数:6 大小:202.54KB
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1、一、 简答题(每题 10 分,共 50 分)请从原子排列、弹性应力场、滑移性质、柏氏矢量等方面对比刃位错、螺位错的主要特征。答:刃型位错:1 晶体中有一个额外原子面,形如刀刃插入晶体 2 刃位错引起的应力场既有正应力又有切应力。3 位错线可以是折线或曲线, 但位错线必与滑移(矢量)方向垂直 4 滑移面惟一 5 位错线的移动方向与晶体滑移方向平行(一致)6 位错线与柏氏矢量垂直螺型位错:1 上下两层原子发生错排,错排区原子依次连接呈螺旋状 2 螺位错应力场为纯切应力场 3 螺型位错与晶体滑移方向平行,故位错线一定是直线 4 螺型位错的滑移面是不惟一;5 位错线的移动方向与晶体滑移方向相互垂直。6

2、 位错线与柏氏矢量平行何谓金属材料的加工硬化?如何解决加工硬化对后续冷加工带来的困难?答:随变形量增大,强度硬度升高,塑形下降的现象。软化方法是再结晶退火。什么是离异共晶?如何形成的?答:在共晶水平线的两个端部附近,由于共晶量少,领先相相依附在初生相上,另一相独立存在于晶界,在组织学上失去共晶体特点,称为离异共晶。有时,也将端部以外附近的合金,在非平衡凝固时得到的少量共晶,称为离异共晶。形成无限固溶体的条件是什么?简述原因。答:只有置换固溶体才可能形成无限固溶体。且两组元需具有相同的晶体结构、相近的原子半径、相近的电负性、较低的电子浓度。原因:溶质原子取代了溶剂原子的位置,晶格畸变较小,晶格畸

3、变越小,能量越低。电负性相近不易形成化合物。电子浓度低有利于溶质原子溶入。两个尺寸相同、形状相同的铜镍合金铸件,一个含 90%Ni,另一个含 50%Ni,铸造后自然冷却,问哪个铸件的偏析严重?为什么?答:50%Ni 的偏析严重,因为液固相线差别大,说明液固相成分差别大,冷速较快不容易达到成分均匀化。写出112 晶面族的等价晶面。答: )12()()12()12( )12 请判定下列反应能否进行: 0aa答:几何条件: 1212,满足几何条件能量条件: 2223 2222110 431)(aab aa 不满足能量条件,反应不能进行。已知某晶体在 500时,每 1010 个原子中可以形成有 1 个

4、空位,请问该晶体的空位形成能是多少?(已知该晶体的常数 A0.0539,波耳滋曼常数 K1.38110 -23 J / K)答: JckTEcVV1920 10230.8.1768.1 539.ln)275(ln)exp( 单晶铜拉伸,已知拉力轴的方向为001,=10 6 Pa,求(111)面上柏氏矢量 的螺位错线上所受的力( )答:外力在(111) 上的分切应力为:作用在位错线上的力为:经冷加工的金属微观组织变化如图 a 所示,随温度升高,并在某一温度下保温足够长的时间,会发生图 b-d 的变化,请分析四个阶段微观组织、体系能量和宏观性能变化的机理和原因。答:图 a:晶粒拉长,缺陷数量增大形

5、成位错亚结构,产生变形织构;存储能升高;位错缠结导致加工硬化,强度硬度升高,塑形下降,组织取向明显导致各向异性。图 b:回复。晶粒基本不变,位错发生滑移、攀移等,位错重排,数量略有减少,空位大量减少。内应力得到消除。加工硬化基本保留。图 c:再结晶。形成新的无畸变新晶粒。存储能全部释放,变形产生的点阵畸变消除。加工硬化消除,力学性能基本恢复到冷变形前的水平。图 d:晶粒长大。晶粒粗化。体系能量因界面能的下降而下降。强度下降,塑形也下降。根据 Ag-Cd 二元相图:1)当温度为 736、590、440和 230时分别会发生什么样的三相平衡反应?写出反应式。2)分析 Ag-56%Cd 合金的平衡凝

6、固过程,绘出冷却曲线,标明各阶段的相变反应。3)分析 Ag-95%Cd 合金的平衡凝固与较快速冷却时,室温下组织组成会有什么变化,并讨论其原因。答:2)LLL+ 736:包晶反应,L+Ag 590:包晶反应,L+ 440:共析反应,Ag+ 230:共析反应, 3)Ag-95%Cd 合金的平衡凝固到室温: Cd 包 II较快速冷却到室温: 初Cd 包II,且 II 相数量相对较少,尺寸相对细小。原因:快速冷却时,由于固态中扩散较慢,使本应该在包晶反应中消失的 初有剩余,既产生包晶转变不完全。另外,由于冷速快,使得 II 相变得细小,析出数量减少。一、 简答题(每题 10 分,共 50 分)1.

7、请解释 -Fe 与 -Fe 溶解碳原子能力差异的原因。答:-Fe 为体心立方晶体,其八面体间隙为扁八面体,相比而言四面体间隙较大;-Fe 为面心立方,其八面体间隙大。体心立方的四面体间隙比面心立方的八面体间隙小很多,因此溶解小原子的能力小很多。2. 请简述位向差与晶界能的关系,并解释原因?答:位向差越大晶界能越高;随位向差增大,晶界能先快速增大,后逐渐趋于稳定。原因:位向差越大,缺陷越多(小角晶界位错密度越大),畸变越严重,因此能量越高。3. 请简述在固态条件下,晶体缺陷、固溶体类型对溶质原子扩散的影响。答:晶体缺陷处的原子具有较高能量,且原子排列比较杂乱,有利于扩散。间隙原子扩散激活能比置换

8、原子扩散激活能低,因此间隙原子扩散速度高。 4. 请分析解释在正温度梯度下凝固,为什么纯金属以平面状方式生长,而固溶体合金却往往以树枝晶方式长大?答:正温度梯度下,纯金属的液固界面是等温的,小突起处的过冷度小,生长受到抑制,因此液固界面保持平直,以平面状生长。固溶体合金由于溶质原子再分配,产生成分过冷,液固界面处的小突起将获得更大过冷度,因此以树枝状生长。5. 铁碳合金中可能出现的渗碳体有哪几种?它们的成分有何不同?平衡结晶后是什么样的形态?答:一次渗碳体(规则的、粗大条状)、共晶渗碳体(莱氏体的连续基体)、二次渗碳体(沿奥氏体晶界分布,量多时为连续网状,量少时是不连续网状)、共析渗碳体(层片

9、状)、三次渗碳体(铁素体晶界处)。它们成分没有区别。2、 作图计算题1. 写出附图的简单立方晶体中 ED、CF 的晶向指数和 ACH、FGD 的晶面指数,并求 ACH 晶面的晶面间距,以及 FGD与 ABCD 两晶面之间的夹角。(注:G、H 点为二等分点,F 点为三等分点)答:ED :,C F: ACH: ,FGd : ACH 的晶面间距: FGD与 ABCD 之间的夹角:2.请判断图示中 和 两位错各段的类型,以及两位错所含拐折(bc、de 和 hi、jk)的性质?若图示滑移面为 fcc 晶体的(111)面,在切应力 的作用下,两位错将如何运动?(绘图表示)答:ab :螺位错;bc :刃位错

10、;cd:螺位错;de:刃位错;ef:螺位错gh:螺位错;hi:刃位错;ij:螺位错;jk:刃位错;kl:螺位错 bc、de 为扭折,hi、jk 为割阶 运动后 恢复为直线, 上的 h、 i、 j、 k 为固定点,形成位错源3. 某合金的再结晶激活能为 250KJ/mol,该合金在 400完成再结晶需要 1 小时,请问在 390下完成再结晶需要多长时间。(气体常数 R=8.314L/molK)答: 所以 t21.96 小时4. 请分别绘出 fcc 和 bcc 晶体中的最短单位位错,并比较二者哪一个引起的畸变较大。答:BCC 晶体中为: (1 分),FCC 晶体中为: 故:FCC 中的 b2 引起

11、的畸变较小。bcc: fcc:3、 综合分析题(共 40 分)1、请分析对工业纯铝、Fe-0.2%C 合金、Al-5%Cu 合金可以采用的强化机制,并解释机理。答:工业纯铝:细晶强化利用晶界和位向差对位错运动的阻碍作用进行强化;加工硬化利用冷变形后缠结位错之间的相互作用进行强化。Fe-0.2%C:固溶强化利用碳原子引起铁的晶格畸变对位错运动的阻碍作用进行强化。加工硬化同上 细晶强化同上 沉淀强化利用碳化物对位错运动的阻碍作用进行强化。 Al-5%Cu:沉淀强化(时效强化)利用沉淀相对位错运动的阻碍作用进行强化。加工硬化同上 细晶强化同上2、 请根据 Cu-Zn 相图回答下列问题:1) 若在 500下,将一纯铜试样长期置于锌液中,请绘出扩散后从铜棒表面至内部沿深度方向的相分布和对应的浓度分布曲线。2) 请分析 902、834、700、598、558的相变反应类型,并写出反应式。3)请绘出 Cu-75%Zn 合金的平衡结晶的冷却曲线,并标明各阶段的相变反应或相组成。4) 请计算 Cu-75%Zn 合金平衡结晶至 200时的相组成含量。 902:包晶 L+ 834:包晶L+ 700:包晶L+598:包晶L+ 558:共析+

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