1、模拟电子技术试题一、判断题：（202）1、半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若降低环境温度导电能力会减弱。 （对） 2、在 P 型半导体中，少数载流子是空穴，多数载流子是电子。 （F）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档 R10K 档位。 （错）4、PN 结正向偏置时，其内外电场方向一致。 （错）5、二极管和三极管都是非线性器件。 （ T ）6、N 型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。 （对）7、二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一范围时，二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变。 （对）8、P 型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明 P 型半导体
2、呈负电性。 （错）9、使用稳压管时应阳极接正，阴极接负（错）10、二极管的核心是一个 PN 结，所以二极管具有单向导电性。 （T）11、某发光二极管，两引脚一个长，一个短，则长引脚对应发光管的阴极。 （ F ）12、稳压管在正常稳压工作区域里，它的电流变化很大，而电压变化很小（对）13、普通二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿（ ）14、双向二极管两引脚有阳极和阴极之分（ F ）15、整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把交流电变为脉动直流电。 （ ） 16、放大电路的三种组态，都有功率放大作用。 （ T ） 17、晶体三极管的发射结和集电结是同类型的 PN 结，所以三极管在作放大
3、管使用时，发射极和集电极可相互调换使用。 （ F ）18、在 N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可以将其改成 P 型半导体。 （ T ）19、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （F）20、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 （ 对 ） 二、选择题：（153）1、P 型半导体的多数载流子是（ B ） 。 A. 电子 B. 空穴 C. 电荷 D. 电流2、下列说法正确的是（ C ） 。 A.N 型半导体带负电B.P 型半导体带正电 C.PN 结型半导体为电中性体D.PN 结内存在着内电场，短接两端会有电流产生3、关于 P 型N 型半导体内参与导电的粒子，下列说法正
4、确的是（ A ） 。 A.无论是 P 型还是 N 型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B.P 型半导体中只有空穴导电C.N 型半导体中只有自由电子参与导电D.在半导体中有自由电子空穴离子参与导电4、稳压二极管是利用 PN 结的（ A ）来实现稳压性能的。 A.反向击穿特性 B.正向导通性 C.反向截止性 D.单向导电性5、型号为 1N4007 的二极管，其管体一端有一白色色环，则该白色环表示（ C ） 。 A.二极管阳极 B.仅表示该管为二极管C.二极管阴极 D.无任何意义6、用 MF47 型万用表测量普通小功率二极管性能好坏时，应把万用表拨到欧姆档的（ D ）档。A.R1 B.R100 C
5、.R1K D.R100 或 R1K7、电路如图所示，则处于导通状态的二极管是( B )。A.只有 D1 B.只有 D2 C.D1 和 D2 D.D1 和 D2 均不导通8、三极管的集电结反偏，发射结正偏时，三极管处于（ C ） 。A.饱和状态 B.截止状态 C.放大状态 D.开关状态9、三极管具有放大作用，其实质是（ D ） 。A.三极管可把小能量放大成大能量 B.三极管可把小电压放大成大电压C.三极管可把小电流放大成大电压 D.三极管可用小电流控制大电流10、当温度升高时，三极管的电流放大系数 将（ A ） 。A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定11、在三极管放大器中，三极管各极电位最高
6、的是（ B ） 。A.NPN 管的发射极 B.NPN 管的集电极C.PNP 管的基极 D.PNP 管的集电极12、三极管在组成放大器时，根据公共端的不同，连接方式有（ C ）种。A.1 B.2 C.3 D.413、为了保证放大作用，放大器中的三极管一定要（ A ） 。 A.发射结正偏，集电结反偏 B.发射结正偏，集电结正偏C.始终工作在饱和区 D.静态时处于饱和区14、三极管工作于饱和状态时，它的集电极电流将（ C ） 。A.随基极电流的增大而增大 B.随基极电流的增大而减小C.与基极电流变化无关 D.以上都不对15、晶体管具有放大能力，放大器的能源来自于( B )。A.基极信号源 B集电极电源 C基极电源 DB 和 C三、电路分析题（15）设二极管为理想的，说明下图中二极管是导通还是截止，并求出 UAO。二极管处于导通状态， ；二极管 D1 截止 二极管 D2 导通，VUAO6VUAO6
