1、模拟电子技术基础,安徽理工大学电气工程系,主讲 ：黄友锐,第三讲,半导体三极管有两大类型，一是双极型半导体三极管二是场效应半导体三极管,2.1 双极型半导体三极管,2.2 场效应半导体三极管,双极型半导体三极管是由两种载 流子参与导电的半导体器件，它由两 个 PN 结组合而成，是一种CCCS器件。,场效应型半导体三极管仅由一种 载流子参与导电，是一种VCCS器件。,第二章 晶体三极管,2.1.1 双极型半导体三极管的结构 2.1.2 双极型半导体三极管电流的分配 与控制 2.1.3 双极型半导体三极管的电流关系 2.1.4 双极型半导体三极管的特性曲线 2.1.5 半导体三极管的参数 2.1.
2、6 半导体三极管的型号,2.1 双极型半导体三极管,2.1.1双极型半导体三极管的结构,双极型半导体三极管的结构示意图如图02.01所示。 它有两种类型:NPN型和PNP型。图 02.01 两种极性的双极型三极管,e-b间的PN结称为发射结(Je),c-b间的PN结称为集电结(Jc),中间部分称为基区，连上电极称为基极， 用B或b表示（Base）；,一侧称为发射区，电极称为发射极， 用E或e表示（Emitter）；,另一侧称为集电区和集电极， 用C或c表示（Collector）。,双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的
3、，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。,2.1.2 双极型三极管的电流分配与控制,双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。若在放大工作状态：发射结外加正向电压，集电结外加反向电压。,现以 NPN型三极管的放大状态为例，来说明三极管内部的电流关系， 见图02.02。(动画2-1),图 02.02 双极型三极管的 电流传输关系,发射结加正偏时，从发射区将有大量电子向基区扩散，形成发射极电流，与PN结中的情况相同。从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。,进
4、入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成集电极电流。在基区被复合的电子形成基极电流。,另外因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。于是可得如下电流关系式:,IE =IC+IB,三极管放大的实质,发射结正向电压大小控制,基区少子浓度影响,集电极电流大小,即由Vbe控制Ic，由于Ib正比于Vbe， 所以有Ib正比于Ic。,以上关系在图02.02的动画中都给予了演示。由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区很薄，是保证三极管能够实现电流放大的
5、关键。若两个PN结对接，相当基区很厚，所以没有电流放大作用，基区从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个实例。,问题1：除了从三极管的电流分配关系可以 证明 IE=IC+IB 。还可以通过什么方 法加以说明？,问题2：为什么当温度升高时，三极管将失去放大作用？从物理概念上加以说明。,2.1.3双极型半导体三极管的电流关系,(1)三种组态双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态，见图02.03。,共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;,共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。,共发射极接法，发
6、射极作为公共电极，用CE表示；,图 02.03 三极管的三种组态,(2)三极管的电流放大系数,对于集电极电流 IC 和发射极电流 IE 之间的关系可以用系数来说明，定义:,称为共基极直流电流放大系数。它表示最后达到集电极的电子电流ICN与总发射极电流IE的比值。ICN与IE相比，因ICN中没有IEP和IBN，所以 的值小于1, 但接近1。由此可得:,IC=ICN+ICBO= IE+ICBO= (IC+IB)+ICBO,2.1.4 双极型半导体三极管的特性曲线,这里，B表示输入电极，C表示输出电极，E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。iB是基极输入电流，vBE 是基极输入电压
7、，加在B、E两电极之间。 iC是输出电流，vCE是输出电压，从C、E 两电极取出。,输入特性曲线 iB=f ( vBE) vCE=const输出特性曲线 iC=f ( vCE) iB=const,本节介绍共发射极接法三极管的特性曲线，即,共发射极接法的供电电路和电压电流关系如图02.04所示。,图02.04 共发射极接法的电压-电流关系,简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除vCE的影响，在讨论输入特性曲线时，应使vCE=const(常数)。,(1) 输入特性曲线,vCE的影
8、响，可以用三极管的内部反馈作用解释，即vCE对iB的影响 。,共发射极接法的输入特性曲线见图02.05。其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当vCE1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致，右移不明显说明内部反馈很小。输入特性曲线的分区：, 死区 非线性区 线性区,图02.05 共射接法输入特性曲线,(2)输出特性曲线,共发射极接法的输出特性曲线如图02.06所示，它是以iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任
9、何一条加以说明，当vCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。当vCE 稍增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电结反偏电压很小时，如：vCE 1 VvBE =0.7 VvCB= vCE- vBE= 0.7 V集电区收集电子的能力很弱，iC主要由vCE决定。 图02.06共发射极接法输出特性曲线,运动到集电结的电子基本上都可以被集电区收集，此后vCE再增加，电流也没有明显的增加，特性曲线进入与 vCE轴基本平行的区域 ( 这与输入特性曲线随 vCE增大而右移的原因是一致的) 。图02.06 共发射极接法输出特性曲线。,当vCE增加到使集电结反偏电压较大时，如： vCE 1 ， VvBE 0
10、.7 V,图02.06 共射极输出特性曲线,输出特性曲线可以分为三个区域:,饱和区iC 受 vCE 显著控制的区域，该区域内vCE 的数值较小，一般vCE0.7 V(硅管)。此时发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。,截止区iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，发射结反偏，集电结反偏。,放大区iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏，电压大于0.7 V左右(硅管) 。,（动画2-2）,2.1.5 半导体三极管的参数,半导体三极管的参数分为三大类:直流参数交流参数极限参数(1)直流参数直流电流放大系数1.共发射极直流电流放大系数=（ICICEO）/IB
11、IC / IB vCE=const,在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求取IC / IB ，如图02.07所示。在IC较小时和IC较大时， 会有所减小，这一关系见图02.08。,2.共基极直流电流放大系数=（ICICBO）/IEIC/IE显然 与 之间有如下关系:= IC/IE= IB/1+ IB= /1+ ,极间反向电流1.集电极基极间反向饱和电流ICBOICBO的下标CB代表集电极和基极，O是open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于集电结的反向饱和电流。,2.集电极发射极间的反向饱和电流ICEOICEO和ICBO有如下关系ICEO
12、=（1+ ）ICBO相当基极开路时，集电极和发射极间的反向 饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应 的Y坐标的数值。如图02.09所示。,图02.09 ICEO在输出特性曲线上的位置,(2)交流参数 交流电流放大系数1.共发射极交流电流放大系数=IC/IBvCE=const,图02.10 在输出特性曲线上求,在放大区 值基本不变，可在共射接法输出特性曲线上，通过垂直于X 轴的直线求取IC/IB。或在图02.08上通过求某一点的斜率得到。具体方法如图02.10所示。,2.共基极交流电流放大系数=IC/IE VCB=const 当ICBO和ICEO很小时， 、 ，可以不 加区分。,特征频率
13、fT三极管的 值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的 将会下降。当 下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。,(3) 极限参数 集电极最大允许电流ICM,如图02.08所示，集电极电流增加时， 就要下降，当 值下降到线性放大区 值的7030时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电,图02.08 值与IC的关系,流ICM 。至于 值下降多少不同型号的三极管，不同厂家的规定有所差别。可见，当ICICM时，并不表示三极管会损坏。,集电极最大允许功率损耗PCM,集电极电流通过集电结时所产生的功耗，PCM= ICVCBICVCE，因发射结正偏，呈
14、低阻，所以功耗主要集中 在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。,反向击穿电压,反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图02.11所示。,图02.11 三极管击穿电压的测试电路,1.V(BR)CBO发射极开路时集电结击穿电压。下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。,2.V(BR) EBO集电极开路时发射结的击穿电压。,3.V(BR)CEO基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。对于V(BR)CER表示 BE 间接有电阻，V(BR)CES 表示 BE 间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系： V(BR)
15、CBOV(BR)CESV(BR)CERV(BR)CEOV(BR) EBO,由PCM、 ICM和V(BR)CEO 在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图02.12。,图02.12 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区,晶体管参数与温度的关系,1、硅管温度每增加8C（锗管每12 C )，ICBO增大一倍。,2、温度每升高 1C，UBE将减小约 2 mV，即晶体管具有负温度系数。,3、温度每升高 1C， 增加 0.5%1.0%。,2.1.6 半导体三极管的型号,国家标准对半导体三极管的命名如下:3 D G 110 B,第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、C硅PNP管、D硅NPN管,第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管,用字母表示材料,用字母表示器件的种类,用数字表示同种器件型号的序号,用字母表示同一型号中的不同规格,三极管,表02.01 双极型三极管的参数,
