1、1当 时 =h f= lev=1.602* J=0.85 12 10-19得 代入数据得： =1.459()=1.2398() () 同理得：当 时 =0.954=1.3 () 时 =0.800当 =1.55 () 2.光源有哪些主要类型？试简述他们的主要特性。光源主要分为两大类：激光器（LD）和发光二极管（ LED） 。激光器的发光功率大，与光纤的耦合效率高，单色性好，光源谱宽窄，主要用在长距离、大容量的传输系统中。发光二极管发光功率小，与光纤的耦合效率较低，光源谱宽较宽，主要用在短距离、小容量的传输系统中。3.半导体激光器特性：（1）P-I 特性：当激光器诸如电流增加时，受激发射量增加，一
2、旦超过 P-N 结中光的吸收损耗，激光器就开始震荡，于是光输出功率急剧增大。（2）微分量子效率 激光器输出光子数的增量与注入电子数的 增量之比，定义为微分量子效率：= = / /( 0 )()（3 光谱线型宽度是衡量器件发光单色性的一个物理量。激光器发射光谱的宽度取决于激发的纵模数目，对于存在的若干纵横的光谱特性可画出包络线，其谱线宽度定义为输出光功率峰值下降3dB 是的半功率点对应的宽度。对于高速率系统采用的单纵模激光器，则以光功率峰值下降 20dB 时的功率点对应的宽度评定。（4）温度特性；半导体激光器的阈值电流随温度增加而加大，尤其是工作于 2 长波段的 InGaAsP 激光器，阈值电流对温度更敏感。7.发光二极管特性（1）光输出特性 也即 P-I 特性当注入电流较小时发光二极管的输出功率曲线基本是线性的当电流过大时，由于 P-N 结发热而出现饱和状态。（2）光谱特性：发光二极管的发射光谱比半导体激光器宽很多。发光二极管对光纤传输带宽的影响比半导体激光器大。（3）温度特性：温度对发光二极管的光功率影响比半导体激光器要小。（4）发光管的频率调制特性:LED 的调制特性可表示为= （ 0）1+（ ） 212式中，P（0）是零频率时 LED 的发射功率；P（ ）是频率为时 LED 的发射功率； 是有源区载流子的寿命时间，一般为 比 LD 大一个数量级。10-8
