1、发明名称：物理冶金多晶硅太阳电池去死层及钝化方法摘要：本发明公开了一种物理冶金多晶硅太阳电池去死层及钝化方法。具体步骤为：（1）将硅片进行清洗、制绒；（2）扩散制 PN 结；（3）湿法刻蚀去边结及表层磷硅；（4）去死层；（5）钝化；（6）PECVD 镀减反射膜；（7）丝网印刷正反面电极；（8）高温快速烧结；（9）测试分选。本发明在现有工艺中增加去死层及钝化步骤，具有良好效果：既能提高电池表面扩散死层的去除效果，降低电池因复合造成的效率损失；同时又能够在硅片正面和背面形成一层致密的二氧化硅钝化膜，对电池起到良好的钝化作用来提高少子寿命，同时增加电池背面长波利用效率。而且本发明去死层及钝化工艺均在
2、室温下完成，工艺简单，成本低，电池平均效率可提升 0.200.30。图 1 现有电池制备工艺流程清洗制绒三氯氧磷扩散测试分选高温快速烧结丝网印刷电极PECVD 镀减反膜湿法刻蚀图 2 本发明工艺流程HNO3+H2O2 处理去离子水漂洗去离子水漂洗HF+HCl 去死层测试分选清洗制绒三氯氧磷扩散湿法刻蚀去死层钝化PECVD 镀减反膜丝网印刷电极高温快速烧结HNO3+H2O2+HCl 处理NO3+H2O2 氧化去离子水漂洗烘烤、甩干权利要求书1. 物理冶金多晶硅太阳电池去死层及钝化方法，其特征在于它包括有以下步骤 ：（1）将物理冶金多晶硅原始硅片清洗干净、去除表面损伤层，并进行制绒；（2）将步骤（
3、1）得到的硅片进行三氯氧磷扩散制 PN 结；（3）将步骤（2）得到的硅片进行链式湿法刻蚀去边结和表层磷硅玻璃；（4）将步骤（3）得到的硅片进行去死层；首先将硅片放入 HNO3+H2O2 溶液中氧化处理；然后取出硅片放在盛有去离子水的溢流鼓泡槽中漂洗 515min；再放入 HF+HCl 溶液中去除发射极死层及表面金属杂质，然后取出硅片放入盛有去离子水的溢流鼓泡槽中再次漂洗515min。（5）将步骤（4）得到的硅片进行表面钝化；首先在以 HNO3 为主成分的溶液中氧化处理，同时添加 H2O2、HCl 的一方或两方，作为一种优选，两方同时添加；然后取出硅片在盛有去离子水的溢流鼓泡槽中漂洗 515mi
4、n；最后将得到的硅片放入甩干机中在温度 5080氮气气氛中甩干；（6）将步骤（5）得到的硅片进行 PECVD 沉积氮化硅减反射膜；（7）将步骤（6）得到的硅片进行丝网印刷正反面电极；（8）将步骤（7）得到的硅片进行高温快速烧结；（9）对步骤（8）得到的电池片进行测试分选；2. 根据权利要求 1 所述的物理冶金多晶硅太阳电池去死层及钝化方法，其特征在于，所述步骤（1）中所用硅片为物理冶金多晶硅片，电阻率0.63cm。3. 根据权利要求 1 所述的物理冶金多晶硅太阳电池去死层及钝化方法，其特征在于，所述步骤（4）去死层工艺中 HNO3 浓度为 6568，H 2O2 浓度至少为 30。4. 根据权利
5、要求 1 所述的物理冶金多晶硅太阳电池去死层及钝化方法，其特征在于，所述步骤（4）去死层工艺中 HNO3+H2O2 溶液体积比为 HNO3:H2O2 =2545:1，反应时间为 1545min。5. 根据权利要求 1 所述的物理冶金多晶硅太阳电池去死层及钝化方法，其特征在于，所述步骤（4）去死层工艺中 HF 浓度为 40，HCl 浓度为 36。6. 根据权利要求 1 所述的物理冶金多晶硅太阳电池去死层及钝化方法，其特征在于，所述步骤（4）去死层工艺中 HF+HCl 溶液体积比为HF:HCl：H 2O=28：1:30 60，反应时间为 210min。7. 根据权利要求 1 所述的物理冶金多晶硅太
6、阳电池去死层及钝化方法，其特征在于，所述步骤（5）中 HNO3 浓度为 6568 ，H 2O2 浓度至少为30。8. 根据权利要求 1 所述的物理冶金多晶硅太阳电池去死层及钝化方法，其特征在于，所述步骤（5）中以 HNO3 为主成分的溶液中，按体积比HNO3:H2O2:HCl =2550:16:13，反应时间为 1560min。9. 根据权利要求 1 所述的 物理冶金多晶硅太阳电池去死层及钝化方法，其特征在于，所述步骤（4） 、 （5）工艺均在室温下完成，反应溶液无需加热。说明书技术领域本发明属于光伏技术领域，具体涉及一种物理冶金多晶硅太阳电池去死层及钝化方法。背景技术太阳能电池是一种可以将光
7、能直接转化为电能的器件，由于其应用具有清洁、环保、无污染的优点，因此备受关注，正逐步成为有希望取代传统能源的最佳新能源。在众多种类的太阳电池中，多晶硅太阳电池价格较低且转换效率较高，在世界光伏市场中占据了绝对的主导地位，并且这一趋势在短期内难以改变。因此继续提高多晶硅太阳电池转换效率，降低生产成本，使多晶硅太阳电池发电能与传统化石能源进行竞争已经成为当今光伏技术领域亟待解决的课题。目前，世界范围内制备太阳能级多晶硅材料的主要技术路线有：改良西门子法，硅烷法，物理冶金法。其中改良西门子法需要在 1100左右的高温条件下，利用高纯氢还原高纯三氯氢硅，使生成的多晶硅沉积在高纯硅芯上。该方法存在投资成
8、本过高、设备工艺复杂、能耗高、产能低、反应副产物难以处理等问题，严重制约着光伏产业的发展。硅烷法就是将制得的硅烷（SiH 4）提纯后，再进行热分解制备纯度较高的棒状多晶硅的技术。该方法生产效率高，具有低电耗、低成本的优点，但是唯一的缺点是安全性差，生产操作时危险性大，其次是产品纯度不高。并且以上两种方法在得到纯度较高的硅后，又要重新熔融掺杂到 6N 的纯度，意味着能源的双重浪费。相比较而言物理冶金法提纯多晶硅，直接把硅材料中的硼提纯到所需纯度（6N） ，不需要再次对多晶硅重新熔融掺进高纯硼，并且 具有生产周期短、能耗低、污染小、成本低、产能大的优点，作为一种生产低成本太阳能级硅的新兴工艺，近年
9、来一直是世界各国竞相研究的重点。但在物理法多晶硅生产过程中往往会出现较多的金属杂质和较高密度的位错、晶界和微缺陷等，这些金属杂质和缺陷最终都会成为复合中心，降低材料的少子寿命，从而影响电池转换效率。为了提高物理冶金多晶硅电池的效率和可靠性，不但要从材料方面着手优化，还需要从电池生产工艺方面进行改善。目前，晶体硅太阳能电池制作工艺流程主要包括：清洗制绒、三氯氧磷扩散、去边结和表层磷硅玻璃、PECVD 沉积氮化硅减反射膜、丝网印刷上下电极、高温快速烧结、测试分选等工序。在三氯氧磷扩散工艺中，扩散过程可以看作是一个无限源杂质的分布过程，对于磷元素来说，在 850950的扩散温度下固溶度约为 3102
10、0cm-3( 即 5的硅原子被磷原子替代 )。磷扩散时，其浓度呈梯度分布，表面浓度高，导致了发射极表面区域磷浓度超过其在硅中的最大固溶度，有部分磷原子析出，不能作为施主提供电子。硅片上靠近表面附近杂质分布平坦，无浓度梯度，产生“死层” 效应，此区域存在大量晶格缺陷，而且会因为位错、晶格失配等，成为复合中心，少子寿命极低，因此表层吸收的短波 (400600nm) 光子所产生的光生载流子对电池电流输出贡献降低。现有技术在扩散后采用湿法刻蚀去边结及表层磷硅，同时对扩散死层进行去除，但仍然存在不能有效去除的问题。其次，扩散过程中又往往会对硅片背面全部或局部掺入磷原子，从而使得该处 P 型基体反型为 N
11、 型，若采用干法等离子刻蚀去边结则可能造成背面 N 型区域需要通过后续工艺中背面铝原子扩散来将该区域反型为 P 型，该处磷原子将成为有害杂质；另外一种方法是利用化学湿法刻蚀背面与边结，虽然避免了第一种方法的缺点，但在后续工艺中硅片背面和铝为全接触，导致少数载流子复合速率接近无穷大，影响电池背面对长波光生载流子收集。针对传统工艺进一步的优化是对电池背表面进行钝化，二氧化硅和氧化铝是目前最佳的背钝化材料，但传统的二氧化硅制备需要对硅片进行高温热氧化，能耗高，对硅片本身的热损伤较大，而氧化铝的生长沉积则需要非常昂贵的设备，并且工艺复杂，不利于规模化生产。对于半导体器件，表面问题一直是一个重要的研究课
12、题。具有浅结特性的太阳电池，表面问题尤为重要，表面特性不仅影响电池的稳定性，而且表面载流子的复合会严重地影响电池的效率。随着太阳电池技术的发展，良好的表面钝化成为制备高效电池必不可少的条件。对于物理法提纯的多晶硅，因存在较多的金属杂质及微缺陷，对材料体内缺陷的钝化也显得十分重要，可以通过表面钝化的后续处理工艺，如退火、H 钝化等实现。现阶段，适用于太阳电池表面钝化的措施一般有两种方式：热氧化钝化和 PECVD 氮化硅钝化（杜永超,陈伟平,刘汉英,王景霄.太阳电池用硅片表面钝化研究J.电源技术,28(10): 641-643） 。文献“晶体硅太阳电池的 SINx:H/热氧化 SiO2 双层结构的
13、表面钝化特性研究” （周春兰,唐煌,王文静,赵雷,李海玲,刁宏伟，第十届中国太阳能光伏会议论文集，第 46-50 页）与中国专利“一种制备具有表面钝化的 PN 结和晶体硅太阳能电池的方法” （CN103618028A）均利用热氧化法制备 SiO2 钝化膜，并获得了良好效果。热氧化钝化技术通过使硅片表面非晶化饱和了部分硅的悬挂键，由于二氧化硅- 硅界面处 Si-O 价键匹配，界面态可降的非常低， Si-SiO2 界面的复合速率也大大下降。二氧化硅钝化的 PERC、PERL 电池也都得到了较高的转换效率。但是此方法也存在明显的不足之处，首先热氧化是一个高温过程，通常氧化温度需要达到 900以上，并
14、且在 11001200氧化时，才会形成非常低的界面态密度。高温对于高质量的 Fz 单晶硅片没有太大影响，但是对于材料质量本身比较差的物理冶金多晶硅片，长时间的高温会增加体内位错密度并激发出其它新的缺陷，导致少子寿命显著下降，同时高温过程还会引起衬底扩散层浓度的再分布，从而导致电池性能下降。如果作为减反膜，其厚度则要达到110nm 左右，需要更长的氧化时间，并且与太阳电池减反射膜要求的最佳折射率相比，二氧化硅的折射率偏低。为了改善长时间高温氧化的缺点，又发展了湿氧氧化（M. Stocks and A. Cuevas. Surface recombination velocity of therm
15、ally oxidised multicrystalline siliconC. in Proceedings of the 2nd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion. 1998: 16231626）和快速热氧化工艺（E.A. Irene. Ultra-thin SiO2 film studies: index, thickness, roughness and the initial oxidation regimeJ. Solid-State Electron. 2001, (45): 1207-1209） ，湿氧氧化把工
16、艺温度降低到 900以下，氧化速率比较快；快速热氧化采用钨灯加热，工艺温度需达到 1000左右，氧化速度非常快。不过湿氧氧化和快速热氧化的钝化效果并不理想，虽然缩短了氧化工艺时间以及降低了氧化温度，但是温度仍然要高于 850，也属于高温过程，并且在氧化之后还需要进行热处理才能得到良好的钝化效果，因此大规模应用受到了极大限制。为了避免上述高温工艺的缺点，人们发展了低温 PECVD 钝化技术，这也是目前工业化应用最广泛的钝化技术。在 PV 工业中氮化硅(Si3N4) 膜是仅有的一种可以在一步工艺步骤下同时实现减反射、表面钝化和体钝化的材料，所以在钝化工艺中应用非常普遍。但由于氮化硅膜中存在界面处隧
17、道效应、捕获效应及大量表面电荷，使 Si-SiNx 结构出现表面特性的滞后现象以及电荷的不稳定性。现有工艺中氮化硅直接淀积在硅片表面，中间夹有一层天然氧化层，氮化硅同二氧化硅的界面处存在许多施主型或受主型陷阱，那么界面陷阱同硅之间通过直接隧道效应交换电荷，会造成不稳定，影响表面的钝化效果。同时，氮化硅与硅材料的附着能力差，Si-SiN x 结构界面应力大且界面态密度高，也会影响表面的钝化效果。如果氧化层厚度增加，则陷阱与体内不再交换电子，氮化硅就起了阻挡钠离子向氧化层中渗透的作用。对于一些高效太阳电池，采用热氧化钝化加氮化硅减反射层的方法制作钝化减反射层，虽然效果不错，但是制作工艺极其复杂，且
18、高温的热氧化过程对质量不好的多晶硅片容易产生新的缺陷。因此研究具有良好钝化效果的低温工艺就显得尤为重要。发明内容本发明的目的是解决现有电池制备技术中存在的不能有效去除发射极死层，电池前表面、背表面无钝化或钝化效果差，或工艺复杂、成本过高，不宜应用于规模化生产，制约光伏产业发展的问题，提供一种物理冶金多晶硅太阳能电池去死层及钝化方法，既能更有效的去除电池表面扩散死层，提高电池短波响应，同时又能够对电池前表面和背表面起到良好的钝化作用来提高少子寿命，降低电池因复合造成的效率损失，最终达到通过提高电池并联电阻、短路电流等来提高电池转换效率的目的，并且该方法更简单、成本更低，适合大规模生产。本发明的目
19、的通过以下措施来实现，一种物理冶金多晶硅太阳能电池去死层及钝化方法，其特征在于，它包含有如下步骤：（1）将物理冶金多晶硅原始硅片清洗干净、去除表面损伤层，并进行制绒；（2）将步骤（1）得到的硅片进行三氯氧磷扩散制 PN 结；（3）将步骤（2）得到的硅片进行链式湿法刻蚀去边结和表层磷硅玻璃；（4）将步骤（3）得到的硅片进行去死层；首先将硅片放入 HNO3+H2O2 溶液中氧化处理；然后取出在盛有去离子水的溢流鼓泡槽中漂洗 515min；再放入 HF+HCl 溶液中去除发射极死层及表面金属杂质，然后取出放入盛有去离子水的溢流鼓泡槽中漂洗 515min；（5）将步骤（4）得到的硅片进行表面钝化；首先
20、在以 HNO3 为主成分的溶液中氧化处理，同时添加 H2O2、HCl 的一方或两方；然后取出硅片在盛有去离子水的溢流鼓泡槽中漂洗 515min；最后将得到的硅片放入甩干机中在温度 5080氮气气氛中甩干；（6）将步骤（5）得到的硅片进行 PECVD 沉积氮化硅减反射膜；（7）将步骤（6）得到的硅片进行丝网印刷正反面电极；（8）将步骤（7）得到的硅片进行高温快速烧结；（9）对步骤（8）得到的电池片进行测试分选；其中，步骤（4）去死层工艺中 HNO3 浓度为 6568，H 2O2 浓度至少为 30。其中，步骤（4）去死层工艺中 HNO3+H2O2 溶液体积比为 HNO3:H2O2 =2545:1，
21、反应时间为 1545min。其中，步骤（4）去死层工艺中 HF 浓度为 40，HCl 浓度为 36。其中，步骤（4）去死层工艺中 HF+HCl 溶液体积比为HF:HCl:H2O=28:1:3060，反应时间为 210min。其中，步骤（5）中 HNO3 浓度为 6568，H 2O2 浓度至少为 30。其中，步骤（5）中以 HNO3 为主成分的溶液中，按体积比 HNO3:H2O2:HCl =2550:16:13，反应时间为 1560min。其中，步骤（4） 、 （5）工艺均在室温条件下完成，无需对反应溶液进行加热。其中，步骤（6）中利用 PECVD 设备沉积三层氮化硅减反射膜，第一层氮化硅膜沉积
22、在二氧化硅上，厚度为 2535nm，折射率为 2.62.8；第二层氮化硅膜沉积在第一层氮化硅上，厚度为 2029nm，折射率为 2.12.5；第三层氮化硅膜沉积在第二层氮化硅上，厚度为 4555nm，折射率为 2.02.1。本发明的有益效果：本发明与传统多晶硅电池制备技术相比，由于增加了去死层及钝化工艺，所制 PN 结表面杂质浓度低，方块电阻可提高 25，更有利于电子的收集，因此降低了死层效应，降低了太阳能电池因复合造成的效率损失；可在硅片正面和背面均形成一层致密的二氧化硅钝化膜，对硅片表面起到良好的钝化作用，并能提高电池背表面长波利用效率。而且本发明去死层及钝化工艺均在室温下完成，工艺简单，
23、成本低，达到了提高电池并联电阻、短流电流的目的，从而使电池平均效率可提升 0.200.30。在湿法刻蚀去边结及表层磷硅玻璃步骤后增加去死层工艺，将硅片依次经过 HNO3+H2O2、HF+HCl 溶液浸泡腐蚀，分步去除表面含高浓度磷的薄层，能达到去死层目的，方块电阻可提高 25。在去死层步骤后又加入表面钝化步骤，将硅片在 HNO3+H2O2+HCl 溶液中浸泡氧化，利用 HNO3、H 2O2 的氧化性，在硅片表面反应生成二氧化硅，同时反应副产物氮氧化物又与水结合产生亚硝酸，同样具有强氧化性，最终硅片正面和背面均形成一薄层致密的二氧化硅膜，对硅片表面起到良好的钝化作用。本发明的二氧化硅钝化膜是通过
24、浸泡在 HNO3 和 H2O2 的混合液中来生成的，反应易于控制，致密性好，缩短了制备二氧化硅膜的周期，适合大规模生产。利用 PECVD 方法在二氧化硅膜上沉积三层氮化硅膜，制备的 SiO2-SiNx 叠层钝化结构把二氧化硅优良的电学性能及其与硅之间良好的界面性质同氮化硅膜的化学惰性和低渗透率结合了起来，形成稳定的钝化减反射结构。该结构中 SiO2-Si 界面态密度要比 SiNx-Si 界面态密度低，使 SiO2-SiNx 叠层膜既具有 SiNx 膜的氢钝化效果，又具有较低的 SiO2-Si 界面态密度，综合了两者之间的优势，表现出更好的钝化与减反射效果。此外，二氧化硅的热膨胀系数比硅小，Si
25、N x-SiO2 界面的应力要比 SiNx-Si 界面小，SiN x-SiO2 下面的 SiO2层还可改善 SiNx 的附着力，形成一个连续的界面，这种界面在高温下有更好的热稳定性。在电池表面的 SiO2 氧化膜上淀积氮化硅膜，一方面阻止了外界的钠离子对器件的玷污，另一方面还能将氧化膜中已含有的钠转移到氮化硅膜中。另外，在二氧化硅膜中由于氧空位造成了大量的正电荷中心，而在氮化硅膜中存在负电荷中心，因此在复合 SiNx-SiO2 钝化膜中，SiO 2 膜中的正电荷就有可能被吸收到 SiO2-SiNx 界面上来，这点对控制可动电荷是有贡献的。在这种结构中，SiO 2不但起到一个缓冲和中介的作用，也
26、作为优良的表面钝化膜，在同减反射涂层结合时它足够薄不干扰 SiNx 减反射膜光学系统。而且制作的电池不易被腐蚀、防潮， 从而提高了太阳能电池的使用寿命。最后本发明去死层及钝化过程均在室温下完成，具有工艺简单，成本低，前表面钝化和抗反射性能好，背表面钝化效果优异并能提高长波利用效率等优点。与传统工艺相比较，生产的高效物理冶金多晶硅太阳电池的转换效率提平均高 0.22%以上。具体实施方式 为了使本发明所解决的技术问题、技术方案以及有益效果更加清楚明白，以下结合具体实施例，对本发明作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限制本发明。实施例 1：一种物理冶金多晶硅太阳
27、电池去死层及钝化方法，具体包括以下步骤：（1）首先取物理冶金多晶硅原始硅片，将硅片清洗干净并去除表面损伤层，然后进行湿法表面制绒；（2）将步骤（1）得到的硅片放进管式扩散炉中进行三氯氧磷扩散；（3）将步骤（2）得到的硅片进行链式湿法刻蚀去边结和表层磷硅玻璃；（4）将步骤（3）得到的硅片进行去死层首先将硅片放入到 HNO3+H2O2 溶液当中，其中硝酸浓度为 68，H 2O2 浓度为 30，溶液体积比为 HNO3:H2O2=35:2，时间控制为 15 分钟；然后将处理好的硅片取出，放入盛有去离子水的溢流鼓泡槽中漂洗 6 min，然后取出硅片放入到 HF+HCl 溶液当中去除发射极死层及表面金属杂
28、质，其中 HF 浓度为 50，HCl 浓度为 36，溶液体积比为 HF:HCl:H2O=4:1:35，时间控制为 4 分钟，最后取出硅片，放入盛有去离子水的溢流鼓泡槽中再次漂洗 6 min，以上过程均在室温下进行；（5）将步骤（4）得到的硅片在 HNO3+H2O2+HCl 溶液中氧化处理，在硅片表面制备二氧化硅钝化层；其中硝酸浓度为 68，H 2O2 浓度为 30，HCl浓度为 36，溶液体积比为 HNO3:H2O2:HCl =35:3:1，反应在室温下进行，时间控制为 20 分钟。然后取出硅片，放入盛有去离子水的溢流鼓泡槽中漂洗 5 min，最后将得到的硅片放入甩干机中在温度 60氮气气氛中
29、甩干；（6）将步骤（5）得到的硅片进行 PECVD 沉积三层氮化硅减反射膜，其中第一层氮化硅膜沉积在二氧化硅上，厚度为 2535nm，折射率为 2.62.8；第二层氮化硅膜沉积在第一层氮化硅上，厚度为 2029nm，折射率为 2.12.5；第三层氮化硅膜沉积在第二层氮化硅上，厚度为 4555nm，折射率为 2.02.1。（7）将步骤（6）得到的硅片进行丝网印刷正反面电极；（8）将步骤（7）得到的硅片进行高温快速烧结；（9）对步骤（8）得到的电池片进行测试分选；实施例 2：一种物理冶金多晶硅太阳电池去死层及钝化方法，具体包括以下步骤：（1）首先取物理冶金多晶硅原始硅片，将硅片清洗干净并去除表面损
30、伤层，然后进行湿法表面制绒；（2）将步骤（1）得到的硅片放进管式扩散炉中进行三氯氧磷扩散；（3）将步骤（2）得到的硅片进行链式湿法刻蚀去边结和表层磷硅玻璃；（4）将步骤（3）得到的硅片进行去死层首先将硅片放入到 HNO3+H2O2 溶液当中，其中硝酸浓度为 68，H 2O2 浓度为 30，溶液体积比为 HNO3:H2O2=32:1，时间控制为 20 分钟；然后将处理好的硅片取出，放入盛有去离子水的溢流鼓泡槽中漂洗 8 min，取出硅片放入到HF+HCl 溶液当中去除发射极死层及表面金属杂质，其中 HF 浓度为 50，HCl 浓度为 36，溶液体积比为 HF:HCl:H2O=4:1:45，时间控
31、制为 5 分钟，最后取出硅片，放入盛有去离子水的溢流鼓泡槽中再次漂洗 8 min，以上过程均在室温下进行；（5）将步骤（4）得到的硅片在 HNO3+H2O2+HCl 溶液中氧化处理，在硅片表面制备二氧化硅钝化层；其中硝酸浓度为 68，H 2O2 浓度为 30，HCl浓度为 36，溶液体积比为 HNO3:H2O2:HCl =44:5:1，反应在室温下进行，时间控制为 30 分钟。然后取出硅片，放入盛有去离子水的溢流鼓泡槽中漂洗 5 min，最后将得到的硅片放入甩干机中在温度 60氮气气氛中甩干；（6）将步骤（5）得到的硅片进行 PECVD 沉积三层氮化硅减反射膜，其中第一层氮化硅膜沉积在二氧化硅上，厚度为 2535nm，折射率为 2.62.8；第二层氮化硅膜沉积在第一层氮化硅上，厚度为 2029nm，折射率为 2.12.5；第三层氮化硅膜沉积在第二层氮化硅上，厚度为 4555nm，折射率为 2.02.1。（7）将步骤（6）得到的硅片进行丝网印刷正反面电极；（8）将步骤（7）得到的硅片进行高温快速烧结；（9）对步骤（8）得到的电池片进行测试分选；对比例除不经过去死层、钝化步骤，其他工艺流程均与实施例 1、2 相同。
