1、支持 425Gbs 数据速率的交叉点开关一 78 一国外电子元器)2007 年第 9 期 2007 年 9 月支持 4.25Gb/s 数据速率的交叉点开关德州仪器 rI11 推出两款可支持高达 4.25Gb/s 数据速率的新型交叉点开关.这两款 4x4 与 2x2 的开关产品将高速度,低功耗以及低抖动性能实现了完美结合,非常适用于诸如 XAUI 信号缓冲/多路复用,背板冗余,以及百= 尤线基站与IP 网络路由器等终端设备中工作的高速网络路由等应用SN65LVCP404 与 SN65LVCP402 既口 f 作为交叉点开关又可作为缓冲器的双重能力为设计人员提供了极大的灵活性.使他们能够将这两款产
2、品广泛运用到大众消费市场的各个应用领域中.其他关键优势包括:接收等化(RxEQ)与传输预加强功能可显着提高信号完整性,并实现更 K 的传输距离:抗阻预加强控制允许设计人员根据不同的迹线或线缆长度灵活地对输出进行调谐;600mW 的低功耗使设计人员能够针对更高端口密度实现更小巧紧凑的产品封装;埘 Vbb的外部控制能够与不同类型的输入/输出实现接口卡 “连;4.25Gb/s 的优异抖动性能 f30ps)使设计人员能够充分满足抖动预算要求.SN65LVCP404 与 SN65LVCP402 交叉点开关这两款靳成员的加入进一步丰富了 rI1 广泛接口产品系列的阵营,该产品系列包括的解决方案适用于 ML
3、VDS,NDS,PECL,RS 一 485,PCIExpress,千兆以太网串行器/解串器以及附加交叉点开关等应用.此外,1rI 还可提供针对单内核与多内核通信局端进行了优化的全系列 DSP 解决方案.这些 DSP 支持多种空中接口标准,各种基站类型和核心网络应片 i,如码制转换和单芯片媒体网关等.配合目标软件库与第三方参考设计,TI 可为通信局端市场提供最稳继可靠的产品系列.咨询编号:070945低成本,高安全性 SHA 一 1EEPROM 器件Maxim 公司推出一款高度集成的安全存储器器件DS28CN01DS28CN01 采用国际公认的 SHAl(安全散列算法,密钥算法,可提供双向质询一
4、响应认证保护.lKbEEP ROM 阵列以及相应的指令集可确保对写入内置非易失数据阵列的数据的防篡改保存.每个 EEPROM 页面的数据修改受 SHAl 算法保护,同时还具有可编程写保护以及 EPROM/OTPf 一次性可编程 1 仿真模式.DS28CN01 理想用于很多成本敏感的终端设备,此类应用往往要求具有知识产权保护和/或设备功能需要安全受控,例如网络路由器 /交换机,笔记本 PC 电池包,激光和喷墨打印机墨盒以及 GPS 导航仪.此类应用中,DS28CN01 被用于:参考设计管理,知识产权保护,安全系统认证,消费品过期追踪以及认证系统,电路板级设计,配件和外设:每个 DS28CN01
5、具有保证唯一的 ,工厂编程的,只读存储器 fROM1,64 位 II)号,用于多种系统级功能,包括设备的唯一电子序列号和网络节点识别.64 位 ROMID 同时还可作为器件整体安伞所需的要素,用于 SHA 一 1 计算动态变量 .用户可通过工业标准的,400kHz 的 I2C/SMBus 兼容接口实现与 DS28CN01 的通讯 ,器件同时具有口 1 编程总线超时功能.当检测到总线闭锁故障时可复位接口.DS28CN01 可工作在 1.8,_5V 的电源电压以及一 40.C+85.C 工业级温度范围.该器件采用 8 弓 l 脚 pSOP 封装.咨询编号:070946高-能 2 通道 120WD
6、类音频放大器参考设计围际整流器公司 fInternationalRectifier,简称 IR)推出 D类音频功率放大器参考设计 IRAUDAMP4.与典型的电路设计相比,新型参考设计可帮助设计人员为适用于家庭影院应用,专业放大器,乐器和汽车娱乐系统的所有中压范围的中高功率放大器节省 50%的 PCB 占板面积.与 lR 的 200V 数字音频驱动 ICIRS20955 和 IRF6645DireetFET 数字音频 MOSFET 配合使用的 IRAUDAMP4 参考设计.是一种 2 通道,120W 半桥设计,在 120W,4Q 条件下町实现 96%的效率该设计也结合了多种关键保护功能,包括过
7、流保护,过压保护,欠压保护,直流保护,过热保护等.新设计还提供管理功能,例如用于前置放大器仿真信号处理的5v 电源.用于 D 类栅极驱动级的一 B 作参考的 +12V 电源这个 2 通道设计可扩展功率及通道数目,在正常运行情况下无需使用散热器:新参考设计基于的 IRS20955PbF 音频驱动 IC 设计,具有特别为 D 类音频放大器应用设计的浮动 PWM 输入.其双向电流检测可在无需外置分流电阻的情况下,在正及负的负载电流条件下监测过流状况.内置的保护控制模块可提供针对过流条件的安全保护程序和可编程复位定时器.内置死区时间生成模块则有助于精确的栅极开关,最佳死区时间设置可提供更佳的音频性能,例如较低的总谐波失真(THD),以及较低的音频背景噪声.配合新参考设计使用的 IRF6645 功率 MOSFET,为 IRDirectFET 系列的成员.创新的 DirectFET 封装技术通过减少引线电感提升了开关性能,并降低了 EMI 噪声,从而增强了D 类音频放大器电路的性能.其较高的热效率有助于实现在4Q 阻抗下的 120W 运行,加无需使用散热器,所以不仅能缩小电路尺寸,更可在线路布局方面提供更大的灵活性,同时降低整个放大器系统成本.咨询编号:070947
