1、山东爱和科技有限公司半导体材料项目可行性研究报告德州天洁环境影响评价有限公司二一年十一月目 录第一章 总 论 .1第一节 项目名称及承办单位 .1第二节 可行性研究编制单位 .1第三节 研究工作的依据与范围 .1第四节 简要结论 .2第五节 主要技术经济指标 .34第二章 项目提出的背景及建设的必要性 .36第一节 项目提出的背景 .36第二节 项目建设的必要性 .13第三章 市场需求分析与生产规模 .314第一节 市场需求分析 .314第二节 生产规模及产品方案 .15第四章 建设条件与厂址 .16第一节 原材辅材料供应 .16第二节 厂址概况 .16第三节 厂址方案 .22第五章 工程技术
2、方案 .23第一节 项目组成 .23第二节 生产技术方案 .23第三节 总平面布置及运输 .26第四节 土建工程 .28第五节 公用工程及辅助工程 .30第六章 企业组织及劳动定员 .34第一节 企业组织 .34第二节 项目工作制度及定员 .335第三节 职工来源与培训 .36第七章 环境保护、劳动安全与消防 .38第一节 环境保护 .38第二节 劳动安全 .41第三节 消防 .45第八章 节能 .47第一节 用能标准和节能规范 .47第二节 能耗状况和能耗指标分析 .47第三节 节能措施和节能效果分析 .48第九章 项目实施进度 .51第一节 项目实施进度 .51第二节 项目进度计划 .52
3、第十章 项目招标方案 .53第十一章 投资估算及资金筹措 .56第十二章 财 务 评 价 .59第一节 评价原则和方法 .59第二节 财务分析 .59第十三章 社会影响分析 .63第十四章 综合评价 .69附表目录附表1、建设投资估算表（附表 1）2、流动资金估算表（附表 2）3、投资计划与资金筹措表（附表 3）4、总成本费用估算表（附表 4）5、固定资产折旧费估算表（附表 5）6、销售收入和税金估算表（附表 6）7、利润及利润分配表（附表 7）8、项目投资现金流量表（附表 8）9、资金来源与运用表（附表 9）10、资产负债表（附表 10）山东爱和科技有限公司半导体材料项目 可行性研究报告1第
4、一章 总 论第一节 项目名称及承办单位项目名称：半导体材料项目项目建设性质：承办单位：山东爱和科技有限公司法人：联系电话：项目拟建地点：山东省禹城市高新技术开发区第二节 可行性研究编制单位单位名称：德州天洁环境影响评价有限公司工程咨询资格证书编号：工咨丙 11820100013资格等级：丙级发证机关：国家发展和改革委员会第三节 研究工作的依据与范围一、研究工作的依据（一）双方签订关于编制项目申请报告的委托书、合同书；（二）国家发展和改革委员会 2005 年第 40 号令发布实行的产业结构调整指导目录(2005 年本) ；（二三）信息产业科技发展“十一五” 规划和 2020 年中长期规划纲要等文
5、件；山东爱和科技有限公司半导体材料项目 可行性研究报告2（三四）节能中长期专项规划；（五）建设项目经济评价方法与参数（第三版）（六）投资项目可行性研究指南、 投资项目经济咨询评估指南（四七）项目承担单位提供的基础数据；（五八）国家有关法律、法规及产业政策；（六九）现行有关技术规范、规定及标准；二、研究工作的范围本可行性研究主要包括：（一）对项目提出的背景、必要性、市场前景、建设规模、建设条件与场地状况的分析；（二）对项目总图运输、生产工艺、土建、公用设施等技术方案的研究；（三）对项目所采取的消防、环境保护、劳动安全卫生及节能措施的评价；（四）对项目实施进度及劳动定员的确定；（五）对项目作出的投
6、资费用估算及技术经济综合评价对项目作出的投资费用估算及财务综合评价。第四节 简要结论半导体材料是指电导率介于金属和绝缘体之间的固体材料。半导体于室温时电导率约在 101010000/cm 之间，纯净的半导体温度升高时电导率按指数上升。半导体材料有很多种，按化学成分可分为元山东爱和科技有限公司半导体材料项目 可行性研究报告3素半导体和化合物半导体两大类。在半导体产业的发展中，一般将硅、锗称为第一代半导体材料；将砷化镓、磷化锢、磷化镓、砷化锢、砷化铝及其合金等称为第二代半导体材料；而将宽禁带(Eg2.3eV)的氮化镓、碳化硅、硒化锌和金刚石等称为第三代半导体材料。上述材料是目前主要应用的半导体材料
7、，三代半导体材料代表品种分别为硅、砷化镓和氮化镓。半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料，支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展。中国半导体材料市场自 2003 年以来已连续 4 年维持增长，且 2007 年全球规模已达 423.93 亿美元，较 2006 年增长约 14%，其中晶圆制程材料增长 17%，达到 250 亿美元，封装材料则增长 9%，达到 170 亿美元。而 2007 年全球整个半导体市场仅增长 3%，达到2556 亿美元。中国半导体材料市场发展迅速，预计 2010 年，半导体材料的销售额将达到 530 亿美元。与晶圆制造材料
8、类似，封装材料预计在2009 年和 2010 年将分别增长 9和 6，2010 年将达 206 亿美元。世界半导体行业巨头纷纷到国内投资，整个半导体行业快速发展，这也要求材料业要跟上半导体行业发展的步伐。可以说，市场发展为半导体支撑材料业带来前所未有的发展机遇。基于以上现状，山东爱和科技有限公司拟利用现有生产技术及技术优势开发生产半导体材料，以满足市场的需求。该项目拟在禹城市高新技术开发区，新建生产车间、仓库以及水电气等公用基础设施厂房 8664 平方米， 新上各种生产和检测设备 35 台（套），形成年产导电涂层材料、树脂材料、防静电树脂材料等半导体材料 1.5 万吨。山东爱和科技有限公司半导
9、体材料项目 可行性研究报告4通过初步分析估算，本项目工程总投资构成及资金来源为：1、项目总投资 4800 万元。其中，建设投资 4501 万元，在建设投资中，建筑工程费 545 万元，设备购置及安装费 3563 万元，其它费用 113万元,基本预备费 280 万元。2、资金来源为企业自筹资金。3、本项目完成后，达产年企业新增销售收入 15000 万元，新增利税 1514 万元（其中利润总额 792 万元，销售税金及附加 722 万元）。该项目从半导体材料科研开发到生产，形成了一条开发、生产、推广、销 售为一体的产业化链条，不仅为社会提供劳动就业机会，为国家和地方增加税收，同时也带动了与之相关的
10、机械制造、运输物流、城市基础设施建设等行业的发展。该项目符合国家产业政策和行业发展要求，产品市场广阔，经济效益和社会效益显著，抗风险能力强。通过研究可以看出本项目依据条件较好，工艺技术成熟可靠，无论在技术上还是在经济效益上都是可行的。第五节 主要技术经济指标主要技术经济指标表序号 项 目 单 位 指 标 备 注生产规模1年产半导体材料 万吨 1.5项目总投资 万元 4800其中：建设投资 万元 45012铺底流动资金 万元 299山东爱和科技有限公司半导体材料项目 可行性研究报告53 流动资金 万元 41524 项目厂区占地面积 平方米 8664项目定员 人 200其中：技术管理人员 人 40
11、5工 人 人 1607 全年生产天数 天 3008 人员工作日 天 2509 销售收入 万元/年 1500010 总成本 万元/年 13486 正常年11 利 税 万元/年 1514 正常年12 利 润 万元/年 792 正常年 (税后)13 总投资收益率 % 31.5414 财务内部收益率 % 12.43 税后15 投资回收期 年 5.54 含建设期、税后山东爱和科技有限公司半导体材料项目 可行性研究报告6第二章 项目提出的背景及建设的必要性第一节 项目提出的背景一、半导体材料现状（一）世界半导体材料现状1、半导体硅材料：半导体硅材料自从 60 年代被广泛应用于各类电子元器件以来，其用量平均
12、大约以每年 1216%的速度增长。目前全世界每年消耗约 1800025000 吨半导体级多晶硅，消耗 60007000 吨单晶硅，硅片销售金额约 6080 亿美元。可以说在未来 3050 年内，硅材料仍将是 LSI 工业最基础和最重要的功能材料。电子工业的发展历史表明，没有半导体硅材料的发展，就不可能有集成电路、电子工业和信息技术的发展。 半导体硅材料分 为多晶硅、单晶硅、硅外延片以及非晶硅、浇注多晶硅、淀积和溅射非晶硅等。现行多晶硅生产工艺主要有改良西门子法和硅烷热分解法。主要产品有棒状和粒状两种，主要是用作制备单晶硅以及太阳能电池等。生长单晶硅的工艺可分为区熔(FZ)和直拉(CZ) 两种。
13、其中，直拉硅单晶(CZ-Si)广泛应用于集成电路和中小功率器件。区域熔单晶(FZ-Si)目前主要用于大功率半导体器件，比如整流二极管，硅可控整流器，大功率晶体管等。单晶硅和多晶硅应用最广。经过多年的发展和竞争，国际硅材料行业出现了垄断性企业，日本、德国和美国的六大硅片公司的销量占硅片总销量的 90%以上，其中信山东爱和科技有限公司半导体材料项目 可行性研究报告7越、瓦克、SUMCO 和 MEMC 四家的销售额占世界硅片销售额的 70%以上，决定着国际硅材料的价格和高端技术产品市场，其中以日本的硅材料产业最大，占据了国际硅材料行业的半壁江山。在集成电路用硅片中，8 英寸的硅片占主流，约 4050
14、，6 英寸的硅片占 30。当硅片的直径从 8 英寸到 12 英寸时，每片硅片的芯片数增加 2.5 倍，成本约降低 30，因此，国际大公司都在发展 12 英寸硅片，2006 年产量将达到 13.4 亿平方英寸，将占总产量的 20%左右。2、砷化镓单晶材料：砷化镓是微电子和光电子的基础材料，为直接带隙，具有电子饱和漂移速度高、耐高温、抗辐照等特点，在超高速、超高频、低功耗、低噪声器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。目前，世界砷化镓单晶的总年产量已超过 200 吨(日本 1999 年的砷化镓单晶的生产量为 94 吨)。用于大量生产砷化镓晶体的方法是传统的 LEC 法( 液封直拉
15、法) 和 HB 法(水平舟生 产法)。国外开发了兼具以上2 种方法优点的 VGF 法(垂直梯度凝固法)、VB 法(垂直布里支曼法)和VCZ 法(蒸气 压控制直拉法) ，成功制备出 46 英寸大直径 GaAs 单晶。各种方法比较详见表 5。其中以低位错密度的 HB 方法生长的 23 英寸的导电砷化镓衬底材料为主。移动电话用电子器件和光电器件市场快速增长的要求，使全球砷化镓晶片市场以 30%的年增长率迅速形成数十亿美元的大市场，预计未来 20 年砷化镓市场都具有高增长性。日本是最大的生产国和输出国，占世界市场的 7080% ；美国在 1999 年成功地建成了 3 条 6 英寸砷化山东爱和科技有限公
16、司半导体材料项目 可行性研究报告8镓生产线，在砷化镓生产技术上领先一步。日本住友电工是世界最大的砷化镓生产和销售商，年产 GaAs 单晶 30t。美国 AXT 公司是世界最大的 VGF GaAs 材料生 产商。世界 GaAs 单晶主要生产商情况见表 6。国际上砷化镓市场需求以 4 英寸单晶材料为主，而 6 英寸单晶材料产量和市场需求快速增加，已占据 35%以上的市场份额。研制和小批量生产水平达到 8 英寸。近年来，为满足高速移动通信的迫切需求，大直径(68 英寸)的Si-GaAs 发展很快，4 英寸 70 厘米长及 6 英寸 35 厘米长和 8 英寸的半绝缘砷化镓(Si-GaAs)也在日本研制
17、成功。磷化铟具有比砷化镓更优越的高频性能，发展的速度更快，但研制直径 4 英寸以上大直径的磷化铟单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。3、宽禁带氮化镓材料: 国外对 SiC 的研究早在五十年代末和六十年代初就已开始了。到了八十年代中期，美国海军研究局和国家宇航局与北卡罗来纳州大学签订了开发 SiC 材料和器件的合同，并促成了在1987 年建立专门研究 SiC 半导体的 Cree 公司。九十年代初，美国国防部和能源部都把 SiC 集成电路列为重点项 目，要求到 2000 年在武器系统中要广泛使用 SIC 器件和集成电路，从此开始了有关 SiC 材料和器件的系统研究，并取得了令人鼓舞的进展。即
18、目前为止，直径50mm 具有良好性能的半绝缘和掺杂材料已经商品化。美国政府与西屋西子公司合作，投资 450 万美元开了 3 英寸纯度均匀、低缺陷的 SiC 单晶和外延材料。另外，制造 SiC 器件的工艺如离子注入、氧化、欧姆接触和肖特基接触以及反应离子刻蚀等工艺取得了重大进展，所以促成了 SiC山东爱和科技有限公司半导体材料项目 可行性研究报告9器件和集成电路的快速发展。由于 SiC 器件的优势和实际需求，它已经显示出良好的应用前景。航空、航天、冶炼以及深井勘探等许多领域中的电子系统需要工作在高温环境中，这要求器件和电路能够适应这种需要，而各类 SiC 器件都显示良好的温度性能。SiC 具有较
19、大的禁带宽度，使得基于这种材料制成的器件和电路可以满足在 470K 到 970K 条件下工作的需要，目前有些研究水平已经达到 970K 的工作温度，并正在研究更高的工作温度的器件和集成电路。（二）我国半导体材料现状中国半导体材料行业经过四十多年发展已取得相当大的进展，先后研制和生产了 4 英寸、5 英寸、6 英寸、8 英寸和 12 英寸硅片。随着半导体分立元件和硅光电池用低档和廉价硅材料需求的增加，中国单晶硅产量逐年增加。据统计，2001 年我国半导体硅材料的销售额达 9.06亿元，年均增长 26.4%。单晶硅产量为 584t，抛光片产量 5183 万平方英寸，主要规格为 36 英寸，6 英寸
20、正片已供应集成电路企业，8 英寸主要用作陪片。单晶硅出口比重大，出口额为 4648 万美元，占总销售额的 42.6%，较 2000 年增 长了 5.3%。目前，国外 8 英寸 IC 生产线正向我国战略性移动，我国新建和在建的 F8 英寸 IC 生产线有近 10 条之多，对大直径高质量的硅晶片需求十分强劲，而国内供给明显不足，基本依赖进口，中国硅晶片的技术差距和结构不合理可见一斑。在现有形势和优势面前发展我国的硅单晶和 IC 技术面临着巨大的机遇和挑战。2004 年国内从事硅单晶材料研究生产的企业约有 35 家，从业人员约 3700 人，主要研究和生产单位有北京有研硅股、杭州海纳半导体山东爱和科
21、技有限公司半导体材料项目 可行性研究报告10材料公司、宁波立立电子公司、洛阳单晶硅厂、万向硅峰电子材料公司、上海晶华电子材料公司、峨眉半导体材料厂、河北宁晋半导体材料公司等。其中，有研硅股在大直径硅单晶的研制方面一直居国内领先地位，先后研制出我国第一根 6 英寸、8 英寸和 12 英寸硅单晶，单晶硅在国内市场占有率为 40%。2004 年国内硅单晶产量达 1000 吨左右，销售额突破 11 亿元，平均年增长率为 27.5%，预计 2005 年我国硅单晶产量可达1400 吨左右。中国从上世纪 60 年代初开始研制砷化镓，近年来，随着中科镓英半导体有限公司、北京圣科佳电子有限公司相继成立，中国的化
22、合物半导体产业迈上新台阶，走向更快的发展道路。中科镓英公司成功拉制出中国第一根 6.4 公斤 5 英寸 LEC 法大直径砷化 镓单晶；信息产业部 46所生长出中国第一根 6 英寸砷化镓单晶，单晶重 12kg，并已连续生长出 6 根 6 英寸砷化镓单晶；西安理工大在高压单晶炉上称重单元技术研发方面取得了突破性的进展。中国 GaAs 材料 单晶以 23 英寸为主，4 英寸处在产业化前期，研制水平达 6 英寸。目前 4 英寸以上晶片及集成电路 GaAs 晶片主要依赖进口。砷化镓生产主要原材料为砷和镓。虽然中国是砷和镓的资源大国，但仅能生产品位较低的砷、镓材料(6N 以下纯度)，主要用于生产光电子器件
23、。集成电路用砷化镓材料的砷和镓原料要求达 7N，基本靠进口解决。中国国内开展 SiC、GaN 材料和器件方面的研究工作比较晚，和国外相比水平还比较低。国内已经有一些单位在开展 SiC 材料的研究工山东爱和科技有限公司半导体材料项目 可行性研究报告11作。到目前为止，2 英寸、3 英寸的碳化硅衬底及外延材料已经商品化。目前研究的重点主要是 4 英寸碳化硅衬底的制备技术以及大面积、低位错密度的碳化硅外延技术。目前国内进行碳化硅单晶的研制单位有中科院物理所、中科院上海硅酸盐研究所、山东大学、信息产业部 46 所等，进行碳化硅外延生长的单位有中科院半导体所、中国科技大学以及西安电子科大。西安电子科技大
24、学微电子研究所已经外延生长了 6H-SiC，目前正在进一步测试证明材料的晶格结构情况。另外，还对材料的性质和载流子输运进行了理论和实验研究，器件的研究工作也取得了可喜的进展。二、项目建设的背景电子信息材料的总体发展趋势是向着大尺寸、高均匀性、高完整性、以及薄膜化、多功能化和集成化方向发展。当前的研究热点和技术前沿包括柔性晶体管、光子晶体、SiC、GaN、 ZnSe 等宽禁带半导体材料为代表的第三代半导体材料、有机显示材料以及各种纳米电子材料等。随着电子学向光电子学、光子学迈进，微电子材料在未来 510 年仍是最基本的信息材料。电子、光电子功能单晶将向着大尺寸、高均匀性、晶格高完整性以及元器件向
25、薄膜化、多功能化、片式化、超高集成度和低能耗方向发展。半导体微电子材料由单片集成向系统集成发展。微电子技术发展的主要途径是通过不断缩小器件的特征尺寸，增加芯片面积以提高集成度和信息处理速度，由单片集成向系统集成发展。（一）Si、GaAs、InP 等半导体单晶材料向着大尺寸、高均质、晶格高完整性方向发展。椎 8 英吋硅芯片是目前国际的主流产品，椎 12 英吋山东爱和科技有限公司半导体材料项目 可行性研究报告12芯片已开始上市，GaAs 芯片椎 4 英吋已进入大批量生产阶段，并且正在向椎 6 英吋生产线过渡；对单晶电阻率的均匀性、杂质含量、微缺陷、位错密度、芯片平整度、表面洁净度等都提出了更加苛刻
26、的要求。（二）在以 Si、GaAs 为代表的第一代、第二代半导体材料继续发展的同时，加速发展第三代半导体材料宽禁带半导体材料SiC、GaN、ZnSe、金 刚石材料和用 SiGe/Si、SOI 等新型硅基材料大幅度提高原有硅集成电路的性能是未来半导体材料的重要发展方向。（三）继经典半导 体的同质结、异质结 之后，基于量子阱、量子线、量子点的器件设计、制造和集成技术在未来 515 年间，将在信息材料和元器件制造中占据主导地位，分子束外延 MBE 和金属有机化合物化学汽相外延 MOCVD 技术将得到进一步发展和更加广泛的应用。（四）高纯化学试剂和特种电子气体的纯度要求将分别达到lppb0.1ppb
27、和 6N 级以上，0.5m 以上的 杂质颗粒必须控制在 5 个/毫升以下，金属杂质含量控制在 ppt 级，并将开发替代有毒气体的新品种电子气体。第二节 项目建设的必要性一、符合国家产业政策国家发展和改革委员会以 40 号令发布实施了产业结构调整指导目录(2005 年本) ，本 项目生产产品为半 导体材料，符合第一类：鼓励类，第二十四条：信息产业，第 24 款“电子专 用材料制造” 。因此，该项目的建设符合国家产业政策。山东爱和科技有限公司半导体材料项目 可行性研究报告13二、符合产业和和行业规划2009 年，国务院出台了电子信息产业调整和振兴规划，大力支持半导体材料发展，支持开发先进技术和产品
28、，加快半导体材料的创新改进和进入市场速度。三、产品市场不断扩大地需求半导体材料市场广阔，具有很好的社会效益和经济效益。随着社会进步，生活水平提高，人们对环境保护日益重视，APET 片材这一环保产品越来越受到人们的欢迎，APET 片材设备的发展前景将更加广阔。四、当地政府的大力的支持的需要国务院在 2000 年颁布和实施了鼓励软体产业和积体电路产业发展的若干政策，市委市政府大力支持新材料的发展,先后出台了一系列的政策,在资金、物质、人才等方面进行扶持、引导和奖励, 在土地、环境、手续等方面的大力支持，该项目适合禹城市综合开发的需要，可作为禹城市的新兴产业扶持项目，切实推进禹城市相关产业的发展，符
29、合禹城市的投资导向，并能促进全市出口创汇工作。第三章 市场需求分析与生产规模第一节 市场需求分析一、市场需求预测中国的 IT 产业即将进 入快速发展时期， 这一点已成为人们的普遍共识。在信息产品市场的拉动下，电子信息材料产业也将获得持续较快的增长。 电子信息材料业在 IT 产业中乃至整个国民 经济中的地位将会山东爱和科技有限公司半导体材料项目 可行性研究报告14进一步上升。据信息产业部的预测，2005 年中国电 子信息产品市场的总规模将达 2 万亿元人民币，这大约相对于全球市场总规模的 13。巨大的市场需求，将拉动中国信息产业快速发展。在此背景下，我国信息材料业的未来商机首先来自半导体材料市场
30、。当今全球最大、最重要的信息材料细分市场就是集成电路，而集成电路的 99以上都是由硅材料制作的。半导体材料在信息设备中的价值含量已达 20，并且还在继续上升。 中国半导体材料市场自 2003 年以来已 连续 4 年维持增长，且 2007年全球规模已达 423.93 亿美元，较 2006 年增长约 14%，其中晶圆制程材料增长 17%，达到 250 亿美元，封装材料则增长 9%，达到 170 亿美元。而 2007 年全球整个半导体市场仅增长 3%，达到 2556 亿美元。中国半导体材料市场发展迅速，预计 2010 年，半导体材料的销售额将达到530 亿美元。与晶圆制造材料类似，封装材料预计在 2
31、009 年和 2010 年将分别增长 9和 6，2010 年将达 206 亿美元。世界半导体行业巨头纷纷到国内投资，整个半导体行业快速发展，这也要求材料业要跟上半导体行业发展的步伐。可以说，市场发展为半导体支撑材料业带来前所未有的发展机遇。第二节 生产规模及产品方案根据产品市场、技术和设备及资金筹措能力等因素，确定项目为年产导电涂层材料、树脂材料、防静电树脂材料等产品。年形成达到 1.5万吨的规模。 山东爱和科技有限公司半导体材料项目 可行性研究报告15第四章 建设条件与厂址第一节 原材辅材料供应性能指标能满足技术要求的，均立足国内供应，以节约资金、降低生产成本；本项目所需的各种原材料均为行业
32、常用的材料，原辅材料的需求量在山东省内均可以满足供应。对于国内尚不能生产或质量不能满足技术要求的，考虑进口解决。第二节 厂址概况一、地理位置禹城市位于东经 116，北纬 37。禹城市属黄河冲积平原的一部分。地势平坦，无显著起伏。总的趋势由西南向东北缓缓倾斜，地面坡降为 1/5000-1/8000 之间。厂址处地貌属黄河冲积平原地貌单元，微地貌为人工开挖农田灌溉水渠。场地地形较平坦，最大相对高差 0.53 米，据调查，场地及附近无不良地质作用。北依北京、天津，南邻省会济经济开发带交汇区内，兼具沿海与内陆双重优势。二、自然条件（一）地形、地貌禹城地质构造上属华北地台，沧东大断裂北北东向，西盘上升，
33、东山东爱和科技有限公司半导体材料项目 可行性研究报告16盘下降。地壳运动总的趋势是以上降为主，长期接受堆积覆盖有深厚的新生界地层。地层内主要为锈黄色、黄土类土，岩性一般以粘质砂土为主。其次是砂质粘土夹粉砂、细砂透镜体。其显著特征是锈染特别发育，含分散钙、结构较上复地层密实。常见虫孔构造及植物残体。于 60-70米左右均有淤泥层，淤泥厚度 10 米多，砂层一般为粉细砂、细砂层，厚24。禹城市地处黄河中下游冲积平原，地势平坦，地质结构优良，地耐力达 18-30 吨/平方米。（二）气象条件禹城市气候特点受季风影响显著，四季分明，冷热干湿界限明显，春季干旱多风回暖快，夏季炎热多雨，秋季凉爽多晴天，冬季
34、寒冷少雪干燥，具有显著的大陆性气候特征。1、年平均气温：13.32、绝对最高气温：41.8绝对最低气温：-22.0累年最热月（7 月）：平均温度 27.0，平均最高温度 31.9，地面下 0.8 米处土壤平均温度 28.7。最冷月（1 月）平均温度-2.9 。3、常年主导风向：SW 风春夏季：南风、西南风秋冬季：东北风4、年平均风速：2.5 米/ 秒5、年平均气压：1014.3Kpa山东爱和科技有限公司半导体材料项目 可行性研究报告176、年平均日照数：2534.9h 7、年相对湿度：65%8、年平均降雨量：554.0mm年最大降雨量：1144.4 mm天最大降雨量：171.0 mm（三）工程
35、地质及水文禹城地质构造上属华北地台，沧东大断裂北北东向，西盘上升，东盘下降。地壳运动总的趋势是以上降为主，长期接受堆积覆盖有深厚的新生界地层。地层内主要为锈黄色、黄土类土，岩性一般以粘质砂土为主。其次是砂质粘土夹粉砂、细砂透镜体。其显著特征是锈染特别发育，含分散钙、结构较上复地层密实。常见虫孔构造及植物残体。于 60-70米左右均有淤泥层，淤泥厚度 10 米多，砂层一般为粉细砂、细砂层，厚24。厂址区域地下水类型属第四系孔隙潜水，局部微承压。地下水稳定水位埋深，一般在 1.80-2.60 米，相 应标高 为 19.35-18.60 米。据有关资料介绍，地下水历年平均最高水位在 19.50 米左
36、右。地下水对混凝土无侵蚀性。禹城市地处黄河中下游冲积平原，地势平坦，地质结构优良，地耐力达 18-30 吨/平方米。禹城市境内主干河道 26 条，全长 398 公里，年均引用黄河水 2 亿立方米，年可开采浅层地下水 1047 亿立方米。地下水位埋深 1.76-2.35 米，年变化幅度 2.0 米左右 。经水样水质分析报告，PH=7.47.5，地下水对混凝土具弱腐蚀性，对钢结构具有中山东爱和科技有限公司半导体材料项目 可行性研究报告18等腐蚀性，对钢筋混凝土结构中的钢筋具有弱腐蚀性。地质层 ：素填土和粉 质 粘土层，层厚 2.203.80m，地基承载力推荐值为 95kPA。层 ：粉土 层，层厚
37、0.803.10m，地基承载力推荐值为 105kPA。层 ：粉质 粘土层，层 厚 1.404.20m，地基承载力推荐值为105kPA。层 ：粉土 层，层厚 0.502.50m，地基承载力推荐值为 130kPA。层 ：粉质 粘土层，层 厚 0.402.50m，地基承载力推荐值为135kPA。层 ：粉土 层，层厚 0.402.90m，地基承载力推荐值为 150kPA。层 ：粉质 粘土层，层 厚 1.604.50m，地基承载力推荐值为160kPA。层 ：细砂 夹粉砂层 ，层厚 1.6017.10m，地基承载力推荐值为200kPA。（四）抗震设防烈度根据 GB50011-2001建筑抗震设计规范附录
38、A 划分，山 东省禹城市的抗震设防烈度为 7 度，设计基本地震加速值为 0.10g。三、交通运输条件禹城市开发区南离省会济南 50 公里，北距首都北京 450 公里，东离沿海开放城市青岛 460 公里。京沪铁路、济邯铁路、京福高速公路、青银高速公路、308 国道、1001 省道、1009 省道和规划建设中的京沪高速铁路贯穿境内，是鲁西北地区的交通枢纽和重要的物资集散地。乘汽山东爱和科技有限公司半导体材料项目 可行性研究报告19车到北京、青岛只需 3 个多小时，到济南只需要 30 多分钟，到济南遥墙机场 40 多分钟。厂址附近公路有：京沪高速公路、平原-临邑的省级道路，可满足汽车运输条件。厂址距
39、禹城火车站 10 公里，交通运输有可靠保障。四、社会经济条件禹 城 水 资 源 丰 富 ，地 下 水 总 储 量 11.6 亿 立 方 米 ，可 开 发 利 用量 4.7 亿 立 方 米 ；电 力 供 应 充 足 ，处 于 德 州 华 鲁 电 厂 120 万 KW 电网 之 中 ，自 有 装 机 容 量 1.8 万 KW 热 电 厂 ，新 扩 建 的 2.5 万 KW 热电 机 组 也 已 投 入 使 用 ，市 区 已 实 现 集 中 供 热 ；邮 电 通 讯 发 展 快 捷 ，现 有 程 控 电 话 装 机 容 量 7.5 万 门 ，程 控 电 话 、移 动 通 讯 、国 际 传 真构 成
40、了 覆 盖 全 国 、伸 向 世 界 的 现 代 化 信 息 网 。 禹 城 自 然 条 件 优 越 ，土 地 资 源 丰 富 ，劳 动 力 充 足 ，盛 产 粮 食 、棉花 、大 豆 、花 生 、果 品 、蔬 菜 、肉 牛 、肉 鸡 、肉 兔 等 ，年 粮 食 产 量 约380000 吨 ，是 国 家 重 要 的 商 品 粮 、优 质 棉 、瘦 肉 型 猪 生 产 基 地 和 联合 国 棉 花 技 术 研 究 基 地 ，是 华 北 地 区 第 一 批 农 业 引 用 外 资 项 目 市 、全 国 黄 淮 平 原 农 业 开 发 先 期 试 点 市 、示 范 市 。有 40 多 个 国 家 和
41、 地区 的 专 家 、学 者 、政 府 官 员 和 联 合 国 组 织 前 来 考 察 ，并 给 予 了 高 度评 价 。目 前 ，禹 城 先 后 同 100 多 个 大 专 院 校 和 科 研 单 位 建 立 了 稳 固的 合 作 关 系 。 禹 城 工 业 发 展 迅 速 ，有 限 额 以 上 的 企 业 64 家 ，其 中 年 销 售 收 入过 1000 万 元 的 30 家 ，形 成 了 以 轻 纺 、机 电 、化 工 、电 力 、建 材 、食品 、造 纸 、农 副 产 品 加 工 等 为 主 导 行 业 ，30 多 个 门 类 、1000 多 个 品山东爱和科技有限公司半导体材料项目
42、 可行性研究报告20种 的 工 业 生 产 体 系 。DHA“忘 不 了 ”胶 丸 、低 聚 糖 、木 糖 醇 、豆 沙 馅 、机 引 耙 片 等 多 种 产 品 ，在 国 内 外 享 有 较 高 声 誉 。 禹 城 商 业 流 通 繁 荣 活 跃 ，外 向 型 经 济 初 具 规 模 。拥 有 56 个 大 中型 商 业 网 点 和 13 个 专 业 批 发 市 场 。远 见 划 面 积 31 万 平 方 米 的 禹 城商 城 和 6.5 万 平 方 米 的 老 城 商 贸 街 正 在 建 设 之 中 。建 立 有 济 南 海 关禹 城 监 管 仓 库 、国 际 货 物 运 输 公 司 ，拥
43、 有 中 外 合 资 企 业 21 家 、三 资企 业 45 家 ，13 家 企 业 享 有 自 营 进 出 口 权 。投 资 国 别 和 地 区 涉 及 美国 、日 本 、新 加 坡 、奥 地 利 、马 来 西 亚 、台 湾 、香 港 等 。高 档 牛 肉 、脱水 蔬 菜 、木 糖 醇 、豆 沙 馅 等 远 销 50 多 个 国 家 和 地 区 ，出 口 产 品 已达 10 大 类 、20 个 系 列 、126 个 品 种 。 禹 城 市 将 把 工 业 带 动 、个 体 私 营 非 公 有 制 经 济 、农 业 产 业 化 、市场 流 通 作 为 工 作 重 点 ，力 争 通 过 几 年
44、的 努 力 ，使 农 业 形 成 产 业 化 、规 模 化 格 局 ，走 上 高 产 、优 质 、高 效 的 路 子 ；使 工 业 形 成 轻 纺 、化 工 、机 电 、医 药 、食 品 加 工 等 支 柱 企 业 和 拳 头 产 品 ，培 植 起 以 生 物 化 工 、机 电 一 体 化 、新 材 料 为 主 的 高 新 技 术 产 业 ；使 第 三 产 业 更 加 繁 荣 ，服 务 体 系 更 加 健 全 ，成 为 区 域 性 商 贸 中 心 ；使 城 乡 基 础 设 施 更 加 完善 ，社 会 文 明 程 度 显 著 提 高 ，人 民 物 质 文 化 生 活 明 显 改 善 ，把 禹 城
45、建 成 富 强 、文 明 、开 放 的 现 代 化 区 域 中 心 城 市 。 扩 大 对 外 开 放 ，加 强 与 国 际 、国 内 的 经 济 交 流 与 合 作 ，是 禹 城市 长 期 坚 持 的 指 导 思 想 和 基 本 方 针 。为 此 ，禹 城 市 从 优 化 投 资 环 境入 手 ，先 后 制 定 了 一 系 列 吸 引 人 才 、技 术 、资 金 和 项 目 的 优 惠 政 策 ，建 立 了 经 济 技 术 开 发 区 、新 世 纪 工 业 园 和 禹 西 生 态 与 观 光 农 业 园 ，加 强 了 城 乡 基 础 设 施 建 设 ，为 扩 大 对 外 经 济 合 作 与
46、交 流 创 造 了 宽 松山东爱和科技有限公司半导体材料项目 可行性研究报告21的 环 境 。第三节 厂址方案一、项目用地分析项目拟建地点位于山东省禹城市高新技术开发区。该场地占地 8664 平方米，土地类型为工业用地，按照国家相关政策要求，项目建设符合当地土地使用规划要求。二、厂址方案综合分析厂址方案，认为具有以下优势：（一）厂址位置选择符合当地整体规划布局的要求，并符合国家有关法律、法规规定；（二）厂址处具有满足生产、生活及发展规划所必须的水源、电源和通讯，基 础设施较好；（三）厂址处临近道路，外部交通运输条件便利，地理位置比较优越。根据以上分析，拟建厂址是适宜的。三、市政配套设施条件1、
47、交通山东爱和科技有限公司位于禹城市高新区，西距 S316 仅 2km，东距京福高速公路 200m，地理位置优越，交通便利。2、供水：来自厂区自备井，出水量约为 130m3120m3/d，水资源丰富，能保证生产生活用水供应。3、供电：禹城市高新区供电公司保证供电。4、通讯：项目区通讯条件便利，城乡电话通讯已实现程控化，进入山东爱和科技有限公司半导体材料项目 可行性研究报告22全国先进行列，通讯条件完全可满足项目通讯要求。5、排水：污水处理采用雨污分流制，生产过程排出的水不含有毒物质，排入废水站处理，对本地水质环境影响较小。6、消防禹城市消防局根据火灾危险性类别和重点单位、工商企业、人口密度、建筑
48、状况以及交通道路、水源等实际情况划分消防区，以“消防结合、以防为主” 的原则组织 消防。整个城区消防 给水以城市自来水为主，消防设施按防水规范要求设置，沿城市主干道每隔 120 米设一消火栓，次干道每隔 150 米设置一消火栓，以确保火情发生时能及时灭火，降低损失。该项 目的消防应按建筑设计防火规范和建筑灭火器配置设计规范设计、配置。山东爱和科技有限公司半导体材料项目 可行性研究报告23第五章 工程技术方案第一节 项目组成该项目在禹城市高新技术开发区内，建设车间、仓库、座办公楼等基础设施 8664 平方米。新上各种生产和检测设备 35 台（套），进行导电涂层材料、树脂材料、防静电树脂材料等生产。第二节 生产技术方案一、项目主要技术方案（一）主要技术方案项目单位技术团队完整，从事用于各种电子产品包装用的塑料材料的导电加工业务。产品被广泛应
