1、微电子所在高可靠技术领域取得突破性进展 近日, 微电子所中国科学院硅器件技术重点实验室在高可靠技术领域取得突破性进展。近年来, 重点实验室与微电子所先导中心、中科院新疆理化所等所内外科研单位合作, 在 Fin FET 器件、DSOI 器件和 VDMOS 器件抗辐照性能上进行了深入研究。研究表明, 在导通偏置下的辐照过程中, 体硅 Fin FET 展现出高抗总剂量辐射能力, 辐照诱发阈值电压增大、跨导增加并改善了其亚阈值特性, 引起“反向”的辐照后室温退火效应。相同工艺下的新型 DSOI 器件结构将 SOI 抗总剂量效应能力提高了 1 到 2 个数量级, 而对电离辐照效应不敏感的复合电荷平衡终端
2、结构, 提高了电荷平衡 VDMOS 器件的抗总剂量辐照能力, 这两种结构为高剂量下器件总剂量辐照加固提供了解决方案。图 1 Fin FET 器件的辐照机理研究进展 下载原图图 2 DSOI 器件的辐照机理研究进展 下载原图图 3 VDMOS 器件的辐照机理研究进展 下载原图基于上述研究成果, 重点实验室向 2017 RADECS 投送的 3 篇学术研究论文均被录用, 并受邀参加了 2017 年 10 月在瑞士日内瓦举办的 2017R ADECS 国际学术大会。其中, 重点实验室助理研究员杨玲的论文“Anomalous Total Dose Response and Room-Temperature Annealing Behavior in Bulk n Fin FETs”受邀作了大会报告。重点实验室助理研究员黄杨、副研究员宋李梅的论文“An Effective Method to Compensate TID Induced Degradation on DSOI Structure”和“A Novel Combined Charge Balance Termination Structure Insensitive to Ionizing Radiation Effect”在会议期间进行了海报展示并同与会代表进行了深入交流。
